激光辐照VO2薄膜温度场分布及透射特性研究

为了探究VO₂薄膜受激光辐照的温度场分布,以及1 064 nm激光直接辐照100 s内至相变的激光功率密度阈值,并比较近红外和中红外波段透过率调制特性差异。首先基于COMSOL建立了薄膜受激光辐照的模型并进行了温度场仿真,然后分别测试了薄膜正反面被不同功率密度的1 064 nm激光辐照100 s内激光透过率随时间响应特性。实验中的VO₂薄膜利用分子束外延法在Al₂O₃基底上制备得到。仿真结果表明,激光功率密度为25 W·mm^-2时,50 nm厚薄膜在被辐照1 ms时间内即达到相变温度。经激光辐照实验发现:50 nm厚的VO₂薄膜正反面受1 064 nm激光直接辐照100 s内至相变的功率密度阈值分别为4.1 W·mm^-2和5.39 W·mm^-2。30 nm厚VO₂薄膜对1 064 nmn激光的透过率调制深度约为13%,对3 459 nm激光透过率调制深度约62%,说明VO₂薄膜对近红外透过率调制特性不明显。     

SBS新介质C4Cl6参数确定及性能研究

 从介质对光的吸收机理出发，研究了吸收系数较小的受激布里渊散射（SBS）新介质六氯-1,3-丁二烯（C4Cl6）。通过基本的物理参数，确定了入射光波长为1 064 nm时C₄Cl₆的SBS参数，其吸收系数约为0.003 cm^-1，声子寿命约为0.25 ns，增益系数约为4.9 cm·GW^-1。分析了入射光波长与介质SBS参数的关系，布里渊频移与入射光波长成反比，声子寿命与入射光波长的平方成正比，增益系数一般与入射光波长无关。在单池SBS系统中，利用Nd:YAG调Q激光器研究了C₄Cl₆的SBS性能。实验结果表明：由于其吸收系数小，与具有相同增益系数的H₂O比较，C₄Cl₆具有较高的能量反射率（饱和能量反射率大于55%）和较宽的SBS脉宽；由于其声子寿命短，与具有相同吸收系数的CS₂比较，C₄Cl₆的SBS波形上升时间较短。吸收系数小和声子寿命短的特点，使C₄Cl₆适合作为放大池介质，这对优化SBS介质选取，提高SBS系统性能具有一定意义。     

火焰原子吸收光谱法测定几种清泻去湿药材的微量元素

用硝酸-高氯酸的混合酸对车前草、泽泻、乌元参、茯苓4种药材进行处理,用火焰原子吸收光谱法测定其中Ca、Mg、Fe、Zn、Mn、Co 6种微量元素。样品加标回收率在96.0%—103.5%之间,相对标准偏差（RSD）小于3.2%,该方法测量简便、准确,结果可靠。     

Application of EDXRF Method in Measurement of Fe Content in Aqueous Fe Sample

介绍了能量色散X荧光分析方法在含水Fe样品测量中的应用.用ANTG -2000型海底X荧光探测系统对含Fe为10％～60％的Fe样进行测量,建立水分对Fe元素特征K α射线影响的校正模型.结果表明,通过该模型校正,对含饱和水情况下Fe样品的分析相对误差小于4％,具有良好的分析效果.     

利用高压热处理技术提高Bi-2223/Ag高温超导带材临界电流

提高临界电流密度(Jc)对促进Bi-2223/Ag高温超导带材的应用有着重要意义.在常压热处理条件下所制备的带材中存在大量的裂纹、孔洞和第二相颗粒等,这些因素都会对带材的超导连接性能产生破坏作用.我们成功建立了一套可用氧气氛的热等静压设备,工作气压和温度可同时达到15MPa和850°C.通过引入裂纹愈合热处理过程,我们成功对带材进行了高压热处理,所得样品中第二相颗粒和裂纹数量大幅度降低,77K、自场下的临界电流相比常压热处理样品提高了20%左右.     

圆柱状铁磁体中的偶极-交换自旋波

对于轴向磁化的圆柱状铁磁体,同时考虑偶极作用和交换作用,得到了偶极-交换自旋波的本征方程,给出了频谱的数值结果。当自旋波波矢β较小,即偶极能起主要作用时,相当于静磁模的结果,β较大,即交换能起主要作用时,过渡到宏观自旋波交换模理论的结果。     

脉冲激光沉积的金属原子团簇的电子状态及生长的研究

 介绍了采用X射线光电子谱(XPS)等技术研究脉冲激光沉积在Ni、Mo、C、NaCl(100)表面的Cu、Au原子团簇的电子状态;结合Cu₂p_3/2 X射线光电子谱峰和Cu L₃M_4,5M_4,5俄歇跃迁分离了电子结合能的初态和终态贡献,得出了它们随Cu表面浓度变化的关系,并对之作出了解释。使用XPS、RBS、TEM三项技术研究了Au在NaCl(100)表面的生长过程,通过计算得出了在不同表面浓度下Au原子团簇的平均高度和表面覆盖率。     

Elastic Modulus and Hardness of Cr-Nb Nano-Multilayers

Cr-Nb nano-multilayered films with various modulation wavelengths A are prepared by e-gun evaporation and their mechanical properties are investigated. Cr and Nb both have bcc structures with large differences in lattice constants and Young＇s modulus, which are supposed to favour modulus enhancement. Nevertheless, nano-indention measurements show no enhancement for the modulus and a slight decrease for the hardness with decreasing A down to 5 nm. This is mainly due to counter-contribution to modulus from adjacent layers subjected to reverse strains, in agreement with recent theoretical study, while the decrease of hardness arises from grain boundary sliding. Interestingly, at A = 3 nm, the hardness of the film has an increase of 44% relative to the value of a rule of mixture, owing to the emergence of a new phase for reconciling the structure difference at the interfaces.     

一个基于随机函数族的新广播加密方案

通过构建一个随机甬数族,本方案可成功地为用户分配密钥,使合法用户以概率为1地获得解密,而用户的密钥存储仅为(l 1)个.在系统开始运行前,每一个用户从每一个密钥池获得一个密钥.对于退出用户,广播中心只需用他们所不拥有的其他(辅助)密钥加密会话密钥即可;而对于未退出用户,在一定程度上他们总可以找到一个密钥与广播中心在加密会话密钥时所使用的密钥相匹配.本方案较目前基于二叉树结构的广播加密方案(如SD)在密钥存储量上有显著的优势,同时在一定条件下可使传输成本最小.     

HL-2M 磁体系统安装中的定位与测量

为提高磁体系统安装精度,在 HL-2M 集成大厅建立 63 个基准点构成测量基准网,并利用激光跟 踪仪等高精度测量设备建立每个磁体的局部坐标系,测量特征点的局部坐标;基于测量基准网和公共测量点,采 用最佳拟合得到坐标转换矩阵,以此得到特征点在测量基准网的位置,指导磁体安装。完成安装后的中心柱同支 撑基础的同轴度为∅2.03mm;PF1~PF4 线圈安装标高偏差为±0.5mm,与中心柱的同轴度为∅2.60mm;PF5/6/7/8 线圈与中心柱的同轴度偏差小于∅3.00mm,标高偏差在[−1mm, 1mm]区间内。基于以上方法所得到的线圈安装精 度都满足设计需求。