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11.
12.
A. I. Golovashkin G. N. Izmaïlov G. V. Kuleshova T. Q. Khánh A. M. Tskhovrebov L. N. Zherikhina 《The European Physical Journal B - Condensed Matter and Complex Systems》2007,58(3):243-249
A scheme of magnetic calorimeter for registration of rare events
characterized by small energy release (cosmic rays, WIMPs, solitary X-ray
quanta) is proposed. The calorimeter is brought to operation by adiabatic
demagnetization, and its magnetic response is measured by a quantum
interferometer (SQUID, A. Barone and G. Paterno, Physics and applications of Josephson Effect). Special consideration is given to the specific
features of calorimeter operation in the ferromagnetic transition region.
The trigger registration of ultrasmall energy release by a ferromagnetic
system in the metastable state is described. 相似文献
13.
We establish new estimates for the Laplacian, the div–curl system, and more general Hodge systems in arbitrary dimension, with an application to minimizers of the Ginzburg–Landau energy. To cite this article: J. Bourgain, H. Brezis, C. R. Acad. Sci. Paris, Ser. I 338 (2004). 相似文献
14.
15.
16.
Herve Loïc 《Integral Equations and Operator Theory》1998,32(2):199-215
LetX be a locally compact space, andT, a quasi-compact positive operator onC
0(X), with positive spectral radius,r. Then the peripheral spectrum ofT is a finite set of poles containingr, and the residue of the resolvent ofT at each peripheral pole is of finite rank. Using the concept of closed absorbing set, we develop an iterative process that gives the order,p, ofr, some special bases of the algebraic eigenspaces ker(T-r)
p
and ker(T
*-r)
p
, and finally the dimension of the algebraic eigenspace associated to each peripheral pole. 相似文献
17.
研究了HfN/HfO2高K栅结构p型金属-氧化物-半导体(MOS)晶体管(MOSFET)中,负 偏置-温度应力引起的阈值电压不稳定性(NBTI)特征.HfN/HfO2高K栅结构的等效 氧化层厚度(EOT)为1.3nm,内含原生缺陷密度较低.研究表明,由于所制备的HfN/HfO2 高K栅结构具有低的原生缺陷密度,因此在p-MOSFET器件中观察到的NBTI属HfN/HfO2高K栅结构的本征特征,而非工艺缺陷引起的;进一步研究表明,该HfN/HfO2高K栅结构中观察到的NBTI与传统的SiO2基栅介质p-MOSFET器件中观察 到的NBTI具有类似的特征,可以被所谓的反应-扩散(R-D)模型表征: HfN/HfO2 栅结构p-MOSFET器件的NBTI效应的起源可以归为衬底注入空穴诱导的界面反应机理,即在负 偏置和温度应力作用下,从Si衬底注入的空穴诱导了Si衬底界面Si-H键断裂这一化学反应的 发生,并由此产生了Si+陷阱在Si衬底界面的积累和H原子在介质层内部的扩散 ,这种Si+陷阱的界面积累和H原子的扩散导致了器件NBTI效应的发生.
关键词:
高K栅介质
负偏置-温度不稳定性(NBTI)
反应-扩散(R-D)模型 相似文献
18.
19.
Chiral α,ω-diesters react under high-pressure conditions (10 kbar) with α,ω-diamines to give chiral cyclic tetraamides of C2-symmetry. The complexation properties of tetraamides towards alkali metal cations (Li+, Na+, K+, Rb+ and Cs+) were estimated on the basis of ESI-MS spectra. 相似文献
20.
A series of P[N-isopropylacrylamide (NIPAM)] latexes with different contents of cyano groups were successfully prepared by either seeded
or shot-growth polymerizations of an aqueous solution containing acrylonitrile (AN) onto a seed P[NIPAM] latex, respectively, and further characterized by FT-IR, 1H-NMR, elemental analysis, as well as by quasielastic light scattering (QELS) and scanning electron microscopy (SEM). All
prepared surface-cyanofunctionalized P[NIPAM] latexes exhibited the same range of lower critical solution temperature (LCST) as a pure P[NIPAM] latex. The shot polymerization process proved more efficient at yielding cyano derivatized latexes than the seeded
polymerization technique. The amount of incorporated cyano groups onto the particles was determined with a good correlation
both by 1H-NMR and elemental analysis. The higher the amount of initially introduced AN monomer in the reaction mixture, the more cyano
groups were incorporated onto the particles. The surface of the particles with high content of cyano groups appeared quite
rough by SEM in comparison with that of the pure P[NIPAM] particles.
Received: 25 February 1998 Accepted: 23 June 1998 相似文献