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Summary It has been observed in many silicon junction detectors that the measured charge produced by an ionising particle depends on the applied bias voltage. It is shown that this effect can be attributed to the back contact of the diode and occurs always when this contact is of non-ohmic nature. At low temperatures this is the case for many industrial samples.For the transmission of the -particle pulse this back contact can be represented by a resistance and a capacitance in parallel. This impedance may cause apparent and unwanted losses of the measured charge.However no loss of charge due to recombination processes could be observed.  相似文献   
998.
Zusammenfassung Es wird ein Verfahren beschrieben, das es gestattet, in Metall- Vanadin-Sauerstoffverbindungen in einer Probe hintereinander die Oxydationsstufe des Vanadins und den Vanadingehalt auf maßanalytischem Wege mit großer Genauigkeit zu bestimmen. Zur Ermittlung der Oxydationsstufe wird mit einer bekannten Menge KMnO4-Lösung oxydierend gelöst und mit FeSO4-Lösung bis zum Vanadin(IV) zurücktitriert. Als Indicator wird Natrium-N-methyldiphenylamin-p-sulfonat verwendet. Anschließend wird mit KMnO4 zum Vanadin(V) oxydiert, der KMnO4-Überschuß mit Nitrit entfernt, das nicht umgesetzte Nitrit mit Harnstoff zerstört und der Vanadingehalt durch erneute Titration mit FeSO4-Lösung bestimmt.  相似文献   
999.
Ohne ZusammenfassungTeil einer von der Naturwissenschaftlich-Philosophischen Fakultät der Technischen Hochschule Braunschweig angenommenen Habilitationsschrift.Teil I, Math. Z.76, 85–102, Teil II, Math. Z.76, 155–163, Teil III, Math. Z.76, 240–256 (1961); im folgenden hier mit I, II bzw. III zitiert.  相似文献   
1000.
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