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本文提出应用小参数法 ,探讨 Markov链中相邻两次更新时刻内稀疏事件的概率估计问题 .建立了三种最重要的具有更新时间的概率模型 .通过小参数的引入和对概率式的幂展开 ,进而推证出幂渐近展开系数的模型估算法 .论证了无偏估计的重要定理 ,给出了概率估计式和无偏估计精度 .亦将许多算法扩展到Markov链的任意状态空间 相似文献
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In this paper, we give a recursive construction from an LTTS(v + 2) to an LTTS(16v + 2) for v 3. Furthermore, the existence of LTTS(2n + 2) is proved. Thereby, we completely solve the existence problem of LTTS)(v) (large set of pairwise disjoint transitive triple systems of order v). 相似文献
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We prove that there is precisely one normal CM-field of degree 48 with class number one which has a normal CM-subfield of degree 16: the narrow Hilbert class field of with .
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Surface status and size influences of nickel nanoparticles on sulfur compound adsorption 总被引:1,自引:0,他引:1
Metallic nickel nanoparticles were incorporated on mesoporous silica to remove sulfur compounds in diesel selectively. In the first method, nickel nanoparticles were formed on mesoporous silica SBA-15 by impregnation and subsequent reduction of nickel nitrate. The sulfur adsorption capacity was strongly dependent on the nickel loading and the average nickel particle size. In the second method, nickel nanoparticles were synthesized in solution in the presence of a capping agent and then incorporated in mesoporous silica MCF by sonication. Although these particles maintain their sizes on the MCF surface after heat treatment, capping agent remaining on the Ni particle surface might interfere the adsorption of sulfur compounds. 相似文献
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Y.R. Liu Author Vitae J.B. Peng Author Vitae P.T. Lai Author Vitae 《Applied Surface Science》2007,253(17):6987-6991
Polymer thin-film transistors (PTFTs) based on poly(2-methoxy-5-(2′-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylene vinylene) (MEH-PPV) semiconductor are fabricated by spin-coating process and characterized. In the experiments, solution preparation, deposition and device measurements are all performed in air for large-area applications. Hysteresis effect and gate-bias stress effect are observed for the devices at room temperature. The saturation current decreases and the threshold voltage shifts toward the negative direction upon gate-bias stress, but carrier mobility hardly changes. By using quasi-static C-V analysis for MOS capacitor structure, it can be deduced that the origin of threshold-voltage shift upon negative gate-bias stress is predominantly associated with hole trapping within the SiO2 gate dielectric near the SiO2/MEH-PPV interface due to hot-carrier emission. 相似文献
100.
Adare A Afanasiev S Aidala C Ajitanand NN Akiba Y Al-Bataineh H Alexander J Al-Jamel A Aoki K Aphecetche L Armendariz R Aronson SH Asai J Atomssa ET Averbeck R Awes TC Azmoun B Babintsev V Baksay G Baksay L Baldisseri A Barish KN Barnes PD Bassalleck B Bathe S Batsouli S Baublis V Bauer F Bazilevsky A Belikov S Bennett R Berdnikov Y Bickley AA Bjorndal MT Boissevain JG Borel H Boyle K Brooks ML Brown DS Bucher D Buesching H Bumazhnov V Bunce G Burward-Hoy JM Butsyk S Campbell S Chai JS Chang BS 《Physical review letters》2007,98(23):232301
The PHENIX experiment at the BNL Relativistic Heavy Ion Collider (RHIC) has measured J/psi production for rapidities -2.2相似文献