全文获取类型
收费全文 | 13335篇 |
免费 | 2494篇 |
国内免费 | 5077篇 |
专业分类
化学 | 10205篇 |
晶体学 | 556篇 |
力学 | 1049篇 |
综合类 | 661篇 |
数学 | 1925篇 |
物理学 | 6510篇 |
出版年
2024年 | 41篇 |
2023年 | 121篇 |
2022年 | 479篇 |
2021年 | 459篇 |
2020年 | 447篇 |
2019年 | 421篇 |
2018年 | 398篇 |
2017年 | 641篇 |
2016年 | 423篇 |
2015年 | 624篇 |
2014年 | 787篇 |
2013年 | 1039篇 |
2012年 | 1045篇 |
2011年 | 1064篇 |
2010年 | 1058篇 |
2009年 | 1167篇 |
2008年 | 1370篇 |
2007年 | 1225篇 |
2006年 | 1138篇 |
2005年 | 1062篇 |
2004年 | 889篇 |
2003年 | 615篇 |
2002年 | 650篇 |
2001年 | 564篇 |
2000年 | 679篇 |
1999年 | 474篇 |
1998年 | 226篇 |
1997年 | 180篇 |
1996年 | 161篇 |
1995年 | 150篇 |
1994年 | 143篇 |
1993年 | 159篇 |
1992年 | 135篇 |
1991年 | 96篇 |
1990年 | 97篇 |
1989年 | 125篇 |
1988年 | 96篇 |
1987年 | 79篇 |
1986年 | 54篇 |
1985年 | 41篇 |
1984年 | 51篇 |
1983年 | 36篇 |
1982年 | 35篇 |
1981年 | 32篇 |
1980年 | 27篇 |
1979年 | 18篇 |
1978年 | 6篇 |
1974年 | 7篇 |
1965年 | 20篇 |
1964年 | 10篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
991.
矩阵损失下多维几何分布均值 的线性估计可容许性 总被引:4,自引:0,他引:4
郑海 《浙江大学学报(理学版)》2000,27(2):171-174
本文在矩阵损失函数 (d - λ ) (d - λ )′下讨论多维几何分布均值参数 λ的线性估计在齐次线性 估计类中的可容许性 . 相似文献
992.
993.
994.
995.
利用SAC(Symmetry-Adapted Cluster)/SAC-CI(Configuration Interaction)理论中的SAC-CI-NV(Non-variational)and SAC-CI-V(Variational)方法,以及6-311 g**基组对LiH分子的基态(X1∑ )和A1∑ 、B1∏激发态的平衡结构以及性质进行了研究计算.两种方法对LiH分子的三个态进行处理,并将优化结果与现有实验值进行了比较,结果显示,理论计算值都与实验值符合较好.同时利用SAC/SAC-CI方法中的AllProperties关键字对我们所关心的LiH分子的基态(X1∑ )和A1∑ 、B1∏激发态进行了计算,并给出各个态在其平衡点位置处的偶极矩、振子强度和抗磁化率等一些性质参数,对以后的实验作理论参考. 相似文献
996.
We investigate the molecular beam epitaxy growth of metamorphic InxGal-xAs materials (x up to 0.5) on GaAs substrates systematically. Optimization of structure design and growth parameters is aimed at obtaining smooth surface and high optical qualdty. The optimized structures have an average surface roughness of 0.9-1.8 nm. It is also proven by PL measurements that the optical properties of high indium content (55%) InGaAs quantum wells are improved apparently by defect reduction technique and by introducing Sb as a surfactant. These provide us new ways for growing device quality metamorphic structures on GaAs substrates with long-wavelength emissions. 相似文献
997.
Nanocrystalline porous TiO2 films were prepared on conducting glass supports (ITO) by processed commercial TiO2 nanometre powder (P25). Three methods of physical dispersing for TiO2 powder, i.e. grinding, magnetic stirring, sonicleaning, were used to disperse TiO2 nanometre powder. Surface morphologies of TiO2 films were observed by optic-microscope and SEM. It is found that the surface morphologies of TiO2 films are determined not only by the dispersing methods but also by the percentage of TiO2 powder in the dispersing system. Different film morphologies can be obtained under the same preparation condition but with different dispersing methods. A lot of cracks exist on the film surface for which the TiO2 slurry is dispersed by grinding. Magnetic stirring leads to some white points and micro-holes on the film surface. Only a few of micro-holes can be observed on the film surface, in which the TiO2 slurry is dispersed by sonicleaning. Different surface morphologies can also be found with different thicknesses of TiO2 films. Different film thicknesses are due to different percentages of TiO2 powder in the slurry. The related mechanism leading to different features of the surface morphologies for the TiO2 films is discussed. 相似文献
998.
根据密度泛函理论,用自洽迭代的方法求解二维方形量子点中有杂质时电子(N=1~12)的薛定谔方程,对绝对零度情况下处于基态电子的总能量进行了数值计算,并讨论了杂质对量子点中电子基态能量的影响,得出了方形量子点中多电子系统基态的一些性质. 相似文献
999.
本文基于原子分子反应静力学证明甲硅烷SiH4的分解方式Ⅱ是对称性允许的,而分解方Ⅰ是对称性不许可的. 相似文献
1000.
在QCD光锥求和规则(LCSR)框架内应用具有手征流关联函数计算B(Bc)→Dlν衰变过程的弱形状因子. 所获得的形状因子的表达式仅依赖于D介子的主导级分布振幅(DA). 应用了三类D介子的分布振幅计算了形状因子FB→D(0)和FBc→D(0). 在速度迁移1.142=0附近算符乘积展开(OPE)得以有效的情况下所计算的形状因子行为在误差范围内与B(Bc)→Dlν过程实验数据相一致. 在大反冲区域1.35B→D(0)是与微扰QCD(pQCD)结果相一致的. 所以本文的计算在联接格点QCD, 重夸克对称性和pQCD之间起桥梁作用,有助于进一步对B(Bc)→Dlν跃迁过程的理解. 计算
使用了在端点具有指数压低的分布振幅行为, 对FBc→D(0)的预言与其他方法获得的结果是可比的, 有利于具有库仑修正的三点求和规则(3PSR)方法所得的结果. 相似文献