矩阵损失下多维几何分布均值 的线性估计可容许性

本文在矩阵损失函数 (d - λ ) (d - λ )′下讨论多维几何分布均值参数 λ的线性估计在齐次线性 估计类中的可容许性 .     

北京谱仪Ⅲ飞行时间计数器系统刻度中的关联分析

利用电子对事例对北京谱仪Ⅲ飞行时间的测量误差, 以及不同测量之间的关联因子随击中位置的变化进行了仔细的研究. 加权的飞行时间由不同的测量值及其相关的误差矩阵计算而得. 蒙特卡罗研究表明. 为北京谱仪Ⅲ开发的关联分析算法 可以正确地处理包含公有误差项的多个实验测量结果的合并, 并且能够为粒子鉴别提供可靠的飞行时间信息.     

用于短波长RT不稳定性的莫尔条纹成像技术

瑞利-泰勒(RT)不稳定性对内爆有十分不利的影响,在很多情况下,10μm左右的波长的小尺度扰动增长是最快的,这要求诊断设备的空间分辨好于几μm,但是现有的设备难以做到这一点。为了测量短波长的RT不稳定性,利用莫尔条纹技术的差拍放大作用,发展了莫尔条纹技术,并在“星光Ⅱ”装置上进行了莫尔干涉法的实验。采用两个周期相近10μm和12μm的光栅成像,获得了周期为60μm的清晰的莫尔条纹图像,图像放大了5倍。实验结果表明,莫尔条纹技术是可行的。     

改进的遥感图像多种信息熵阈值分割算法

给出了一种新的图像信息量的表述方法,提出了五种基于信息熵的科学分割遥感图像的改进方法。用MATLAB对这些算法进行了实验仿真,并进行了算法性能优化。得出了各种不同算法的最佳阈值和耗时,并对它们进行了比较和分析。实验数据表明,新算法较以往的算法在分割效果和速度上都有明显的改善和提高。     

SAC/SAC-CI方法研究LiH基态(X1∑+)以及A1∑+、B1∏激发态结构与性质

利用SAC(Symmetry-Adapted Cluster)/SAC-CI(Configuration Interaction)理论中的SAC-CI-NV(Non-variational)and SAC-CI-V(Variational)方法,以及6-311 g**基组对LiH分子的基态(X1∑ )和A1∑ 、B1∏激发态的平衡结构以及性质进行了研究计算.两种方法对LiH分子的三个态进行处理,并将优化结果与现有实验值进行了比较,结果显示,理论计算值都与实验值符合较好.同时利用SAC/SAC-CI方法中的AllProperties关键字对我们所关心的LiH分子的基态(X1∑ )和A1∑ 、B1∏激发态进行了计算,并给出各个态在其平衡点位置处的偶极矩、振子强度和抗磁化率等一些性质参数,对以后的实验作理论参考.     

Optimization of Metamorphic InGaAs Quantum Wells on GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy

We investigate the molecular beam epitaxy growth of metamorphic InxGal-xAs materials （x up to 0.5） on GaAs substrates systematically. Optimization of structure design and growth parameters is aimed at obtaining smooth surface and high optical qualdty. The optimized structures have an average surface roughness of 0.9-1.8 nm. It is also proven by PL measurements that the optical properties of high indium content （55%） InGaAs quantum wells are improved apparently by defect reduction technique and by introducing Sb as a surfactant. These provide us new ways for growing device quality metamorphic structures on GaAs substrates with long-wavelength emissions.     

Effects of Different Dispersion Methods on the Microscopical Morphology of TiO2 Film

Nanocrystalline porous TiO2 films were prepared on conducting glass supports （ITO） by processed commercial TiO2 nanometre powder （P25）. Three methods of physical dispersing for TiO2 powder, i.e. grinding, magnetic stirring, sonicleaning, were used to disperse TiO2 nanometre powder. Surface morphologies of TiO2 films were observed by optic-microscope and SEM. It is found that the surface morphologies of TiO2 films are determined not only by the dispersing methods but also by the percentage of TiO2 powder in the dispersing system. Different film morphologies can be obtained under the same preparation condition but with different dispersing methods. A lot of cracks exist on the film surface for which the TiO2 slurry is dispersed by grinding. Magnetic stirring leads to some white points and micro-holes on the film surface. Only a few of micro-holes can be observed on the film surface, in which the TiO2 slurry is dispersed by sonicleaning. Different surface morphologies can also be found with different thicknesses of TiO2 films. Different film thicknesses are due to different percentages of TiO2 powder in the slurry. The related mechanism leading to different features of the surface morphologies for the TiO2 films is discussed.     

杂质对多电子方形量子点系统基态能的影响

根据密度泛函理论,用自洽迭代的方法求解二维方形量子点中有杂质时电子(N=1~12)的薛定谔方程,对绝对零度情况下处于基态电子的总能量进行了数值计算,并讨论了杂质对量子点中电子基态能量的影响,得出了方形量子点中多电子系统基态的一些性质.     

甲硅烷的分解复合的对称性

本文基于原子分子反应静力学证明甲硅烷SiH4的分解方式Ⅱ是对称性允许的,而分解方Ⅰ是对称性不许可的.     

应用具有手征流关联函数的光锥求和规则计算B(Bc)→Dlν过程的形状因子

在QCD光锥求和规则(LCSR)框架内应用具有手征流关联函数计算B(B_c)→Dlν衰变过程的弱形状因子. 所获得的形状因子的表达式仅依赖于D介子的主导级分布振幅(DA). 应用了三类D介子的分布振幅计算了形状因子F_B→D(0)和F_Bc→D(0). 在速度迁移1.142=0附近算符乘积展开(OPE)得以有效的情况下所计算的形状因子行为在误差范围内与B(B_c)→Dlν过程实验数据相一致. 在大反冲区域1.35B→D(0)是与微扰QCD(pQCD)结果相一致的. 所以本文的计算在联接格点QCD, 重夸克对称性和pQCD之间起桥梁作用，有助于进一步对B(B_c)→Dlν跃迁过程的理解. 计算 使用了在端点具有指数压低的分布振幅行为, 对F_Bc→D(0)的预言与其他方法获得的结果是可比的, 有利于具有库仑修正的三点求和规则(3PSR)方法所得的结果.