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131.
通过比较测量方法测量得到绿漆涂层木板探测目标在400~720 nm的光谱偏振二向反射分布函数值,从获得的户外试验测量数据入手,分析与探测角、波长之间的关系,通过有限探测条件得到的光谱偏振二向反射分布函数值(BRDF)建立光谱偏振BRDF模型,来描述探测目标的偏振二向反射特性。其中利用基于小面元的模型建立光谱偏振BRDF模型,利用遗传算法和Levenberg-Marquardt(LM)算法相结合的优化算法来获得非线性模型参数。仿真实验结果表明采用的遗传LM优化算法具有较好的性能,能较快较准确得到非线性的模型参数。真实实验数据证明了基于小面元模型的正确性,表明光谱偏振二向反射分布函数建模方法结果的可靠性。最后与绿漆涂层铁板目标的模型反演参数进行比较得出:2种不同材质、相同颜色涂层的目标,具有较为接近的折射率,其较小差别可以理解为由涂层的厚度、均匀程度的不同导致,而非不同的材质所引起。 相似文献
132.
利用高非线性光子晶体光纤中的自相位调制效应产生的超连续谱,理论上推导了超窄脉冲信号的再生机制。分别从频域和时域上形象的解释了脉冲再生的原理,该本再生方法可以适用于OTDM的信号再生。实验上对劣化了的脉冲宽度为1.7ps的携带信息的超窄脉冲信号进行了再生,再生之后的信号峰值均衡,消光比达到了15dB。再生前信号中心波长是1548.2nm,重复频率是9.96872GHz。实验中,在1554nm—1570nm和1530nm—1543nm范围内都可以得到10dB以上的再生质量。同时拟合了信号峰值功率和波长关系,得到的曲线和超连续谱曲线相吻合。 相似文献
133.
一种新型桥路型HTSFCL的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在研究一种新型桥路型高温超导限流器的限流原理的基础上,研制开发了一台三相600V、故障电流峰值100A的实验室样机.本文介绍了该限流器的功率电路、控制器、低温容器和高温超导磁体等部分的结构特点和功能.在三相系统中进行了各种短路故障限流实验,结果表明该限流器有较强的限流能力和重合闸能力,说明新型高温超导限流器的研究对改善电网动态性能和提高电网电能质量有十分重要的意义. 相似文献
134.
在Mie散射理论基础上,由单分散射的光强表达式导出在偏振光的入射条件下一定立体角内的散射光通量的表达式,并与自然光入射作比较。计算了在相同强度不同光源入射下,尘埃粒子计数器的两种常用散射光收集系统收集的散射光通量。结果表明:采用近前向散射光收集系统得到的光通量相等;而采用直角方向散射光收集系统时两者并不相等,且在平面偏振光入射时,收集的散射光通量还跟探测器中心与入射光偏振方向夹角有关。用MATLAB编程计算,得出了在探测器中心与偏振方向的夹角成90°或270°位置时,收集的散射光通量有极值的结论,为激光尘埃计数器传感器光学设计提供了依据。 相似文献
135.
硒化镉量子点具有随粒径尺寸改变,而产生发光波长调变的特性,目前已被广泛研究。本研究是由化学溶胶法合成不同粒径尺寸的核壳型CdSe/ZnS硒化镉量子点,其表面包覆十六烷基胺,避免分子团聚现象。在由硒化镉成核温度的控制,成功地制备一系列具有各种尺寸粒径的核壳型硒化镉量子点(2—6nm)。本研究也合成了含有纳米金粒子于核壳型硒化镉量子点,实验结果发现:硒化镉发光效率明显的提高。在有机发光器件的应用方面,将发光波长为505nm核壳型CdSe/ZnS量子点掺入溶有发光波长为570nm铱化合物的氯仿溶液时,其溶液的光致发光光谱表明,原量子点的发光特性消失,只有铱化合物的发光依然存在,且其发光强度呈现明显增强趋势,我们推测此现象源自于量子点到铱化合物能量转移的机制。我们也以含有核壳型硒化镉量子点的铱化合物与PVK混合材料为发光层,成功的制作发光二极管器件,器件的发光效率因核壳型硒化镉的掺杂,明显提高2倍多。 相似文献
136.
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Efficiency enhancement of InGaN based blue light emitting diodes with InGaN/GaN multilayer barriers 下载免费PDF全文
The advantages of InGaN based light-emitting diodes with InGaN/GaN multilayer barriers are studied.It is found that the structure with InGaN/GaN multilayer barriers shows improved light output power,lower current leakage,and less efficiency droop over its conventional InGaN/GaN counterparts.Based on the numerical simulation and analysis,these improvements on the electrical and the optical characteristics are mainly attributed to the alleviation of the electrostatic field in the quantum wells(QWs) when the InGaN/GaN multilayer barriers are used. 相似文献