17N+197Au反应中碎片与中子的符合测量

在3?3?.4MeV/u ¹⁷N束轰击¹⁹⁷Au靶产生的反应中,利用放置于不同角度组合的17个中子探测器(4°—83°)和14个半导体望远镜(2.3°—9.0°)对反应产物碎片与中子进行了符合测量.经对所得实验角分布积分得到Z=3—6元素的同位素产额分布.在参加者-旁观者模型框架下,采用¹⁷N原子核内部的不同密度分布计算了同位素产额分布并与实验数据做比较.     

激光防护材料注塑加工工艺的研究

采用聚碳酸酯为基材,掺杂激光吸收剂制备了防530nm和1060nm波长激光的防护材料,通过对加工温度和混合料在料筒中停留时间的研究,确定了材料的加工温度为280℃,混合料在料筒中的时间为3min,确定了防护材料的加工工艺条件,并对其光学密度、激光防护能量、可见光透过率和抗冲击强度进行了测试。结果表明防护材料在530nm和1060nm波长的光密度大于4,其防激光能量达150mJ,可见光透过率为17%,抗冲击强度高,完全可以满足一般激光防护材料的要求。     

导电箔对于相对论环形束的约束作用分析及其对束流群聚过程影响的初步实验结果

分析导电箔上的镜像电荷对环形束的约束作用,给出了可用于设计选择聚焦环形束的导电箔几何尺寸的计算结果。利用已有的X波段相对论速调管(RKA)进行了初步的镜像电荷聚焦RKA的实验。虽然实验中的导电箔对电子束的通过率只有0.88,但结果表明导电箔对RKA的束流有一定聚焦作用,不影响束流群聚过程。     

富硅氮化硅薄膜的制备及其光学带隙研究

采用双极脉冲磁控反应溅射法在不同参数条件下制备了一系列氮化硅薄膜。利用数字式显微镜和紫外-可见光光谱仪研究了沉积薄膜的表面形貌及其光学带隙,利用共焦显微拉曼光谱仪比较了硅衬底、氮化硅薄膜退火前后的拉曼光谱。结果表明,氮气流量对薄膜的光学带隙影响较大,制备的薄膜主要为富硅氮化硅薄膜。原沉积薄膜的拉曼光谱存在明显的非晶硅和单晶硅峰,退火处理后非晶硅峰减弱或消失,表明薄膜出现明显的结晶化;单晶硅峰出现频移现象,表明薄膜中出现硅纳米颗粒,平均尺寸约为6.6 nm。     

双组分玻色-爱因斯坦凝聚体中亚稳态存在条件及其寿命

本文对双势阱中凝聚的冷原子通过约瑟夫森结隧穿时所形成的亚稳态进行研究.通过介观自旋算符建立了体系的精确量子相位模型,利用对量子自旋的势场描述给出了在两阱中振荡的原子之间相位差为时,即亚稳态时所要满足的物理条件,并用瞬子方法计算了该亚稳态存在的寿命.     

冻干过程中升华界面温度测量方法的研究

压力测温技术是基于在平衡状态下,冰晶温度与其饱和蒸汽压为单值函数这一基本规律,在升华干燥过程中,突然中断从冻干室流向冷阱的水蒸汽流,通过测量冻干室内压力回升情况去推算升华界面温度的一种非接触式测温方法。与热电偶或热敏电阻测温相比,压力测温技术即不破坏冻干样品的结构,又能够较为准确地反应出移动升华界面的温度,并能判断升华干燥过程终点。文中分析了升华界面温度测量的意义与困难,建立了压力测温技术的数学模型与分析方法,并通过实验研究了压力测温技术。     

激光加速电子束团的输出特性研究

通过仔细研究俘获加速CAS(captureandaccelerationscenario)机制中电子束团的输出特性,发现其出射电子有3类不同的运动轨道即掠过(pass-by)、非弹性散射(IS)、CAS.由于实际入射电子束团的线度远大于强激光脉冲的线度,因此只有位于入射电子束团中心区域的电子才可能被俘获加速.对于目前所能获得的聚焦激光场强(～10²¹W/cm²)和实际的电子束团(～10⁸个电子)而言,最大的输出能量可达到450MeV以上,同时被加速电子的数目可达到10⁴—10⁵个.这表明CAS可望发展成为小型台式加速器的新加速原理     

Zn对称统计模型的量子代数结构常数与杨-Baxter关系

本文对统计中的杨-Baxter方程的Z_n对称解进行了仔细的分析,自然地得到了相应的量子代数的结构常数,并对这个解给出了一个直接的证明。 关键词：     

基于遗传算法和分布式计算的气动优化设计

采用求解NS方程作为气动优化设计的CFD分析方法,为了提高基于遗传算法的气动优化设计的效率,发展了一种基于分布式并行计算的混合遗传算法,并应用该方法进行了气动优化设计.设计实践表明,该方法是可行的,且由于采用了混合遗传算法和分布式并行计算而提高了优化的质量和效率.     

近红外光谱预测汽油辛烷值和辛烷值仪的研制

本文报道了用近红外光谱预测汽油马达法辛烷值,研究法辛烷值和抗爆指数的方法。用多重线性回归和偏最小二乘法回归建立辛烷值的预测模型。基于此模型,首次研制成功光学多道近红外辛烷值仪。