(ΩΩ)0+ Dibaryon Productions in Central Au+Au Collisions at RHIC Energy(SNN)= 130 GeV

Based on the measured transverse mass spectra ofπr-, K-, and p at the RHIC energy s()NN = 130 GeV,di-omega productions from baryon-baryon reactions in hadronic matter are studied. Results about the (ΩΩ)0+ numbershow that the deeply bound state (ΩΩ)o+ can be observed at RHIC energies.     

防紫外线伞ATR-OMNI采样器的FTIR分析

本实验使用OMNI采样器，直接对伞面内外进行单反射ATR的分析，快速、简便、不破坏样品，得到分辨率很好的红外图谱，再配合红外谱库的谱图检索，可以分别得到匹配率95％以上的尼龙－6和聚酯型聚氨酯的分析结果。     

类铜离子的电子碰撞参数及其规律

用准相对论扭曲波方法系统地计算了Ｂａ、Ｎｄ、Ｇｄ、Ｙｂ、Ａｕ、Ｐｂ类铜离子组态能级之间的电子碰撞激发强度Ω（ｎｌ－ｎｌ），３≤ｎ≤７，４≤ｎ≤７，同时给出了高能极限的碰撞强度和外推到阈值的碰撞强度，用最小二乘样条方法拟合了全能域碰撞强度及热平均速率系数。对于一个激发过程，用１０个参数可以得到碰撞电子在任意能量下的碰撞强度以及任意温度下的速率系数。     

在强碳化物形成元素衬底上生长金刚石薄膜的物理机制探索

作者在研究金刚石表面金属化机理中发现,该物理过程是用化学气相沉积(CVD)方法在强碳化物形成元素上生长金刚石薄膜的逆物理过程。推断在强碳化物形成元素上,诸如WSi,Ta等,生长金刚石薄膜,其界面有相应的碳化物,诸如WC,SiC,TaC等出现,继而生长的金刚石薄膜实质是在相应的碳化物背底上择优取向成核生长的。从而揭示在强碳化物形成元素上生长金刚石薄膜的物理机制是:W(Si,Ta)等→WC(SiC,TaC)等→金刚石薄膜。 关键词：     

谱任意的符号模式矩阵

一个n阶符号模式矩阵A称为是谱任意的,如果对任意的实系数n次首1多项式r(x),在A的定性矩阵类Q(A)中至少存在一个实矩阵B,使得B的特征多项式是r(x),文中证明了当n为奇数时n阶谱任意符号模式矩阵是存在的。     

具连续分布滞量的非线性中立型抛物偏泛函微分方程的振动性

考虑一类具连续分布滞量的非线性中立型抛物偏泛函微分方程解的振动性,借助Green定理和时滞微分不等式获得了这类方程在Robin,Dirichlet边值条件下所有解振动的若干充分条件.     

基于FPGA的光纤水听器PGC解调算法实现

针对干涉型光纤水听器信号的PGC（Phase Generated Carrier，相位产生载波）数字化调制解调原理，提出一种基于FPGA（Field Programmable Gate Array，现场可编程门阵列）的实现方案。相比基于DSP的实现方案，该方案可将处理系统的采样率提高1—2个量级，从而大大提高可处理水声信号的上限频率，提高系统的抗混叠能力。     

随机环境中双移民生灭过程的极限性质

引入了随机环境中双移民生灭过程的概念，定义了过程的模态指示函数，在此基础上研究了其转移矩阵的平稳分布，给出了平稳分布众数的位置与模态指示函数之间的关系．研究了平稳分布的众数与边界关系．     

一类二阶三点边值问题单调正解的存在性

利用范数形式的锥上不动点定理,研究了一类二阶微分方程三点边值问题单调正解的存在性．分别给出了齐次和非齐次边界条件下的三点边值问题单调正解存在的充分条件,确定了解曲线的凹凸性,并且给出了一个应用实例．     

γ-LiAlO2晶体生长、改性和热学性质研究

采用快速提拉法生长出了透明、完整的γ-LiAlO2晶体,但是晶体的高熔点和易挥发性限制了γ-LiAlO2晶体质量.采用气相传输平衡法(vapor transport equilibration technique,VTE)工艺对晶体改性,半高宽(FWHM)值从116.9arcsec降至44.2arcsec,继续升高VTE处理温度至1300℃,FWHM值反而升高至55.2arcsec.快速提拉法生长出来晶体,[100]方向和[001]方向的热膨胀系数分别为17.2398×10-6/K,10.7664×10-6/K.经过三步VTE处理后[100]和[001]方向热膨胀系数降至16.6539×10-6/K和10.1784×10-6/K.