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Acta Mathematicae Applicatae Sinica, English Series - A k-tree is a tree with maximum degree at most k. In this paper, we give a sharp degree sum condition for a graph to have a spanning k-tree in... 相似文献
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给出集值Bartle积分一个新的定义,并进一步讨论了数值函数关于有界闭凸集值可数可加集值测度的积分的性质,建立了集值Bartle积分的新的极限定理. 相似文献
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把正方体切成无数平行断面,每个断面均有一个光锥,在无数个光锥内观察断面截面与投影截面及断面和断面投影的变化,可得出以下结论:(1)X线影像变形是光锥作用的结果;(2)无论物体投影面是否成角,光锥中心线直射或斜射作用不变;(3)各断面截面的椭圆离心率反映物体空间歪斜程度,是真正的变形因素;(4)投影截面椭圆离心率分别大于、等于或小于断面截面椭圆离心率,则断面正中纵径投影/实长分别大于、等于或小于通过该投影中点的横径投影/实长;(5)若物体投影面成角,将会产生断面投影不均等放大现象;(6)变形程度与物体厚度成正比,且变形的程度与点光源至物体的距离成逆向变化,而与物体投影面距离无关;(7)教材中的论述是错误的。 相似文献
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利用金属掩模法优化了制备磁性隧道结的实验和工艺条件,金属掩模的狭缝宽度为100 μm. 采用4 nm厚的Co75Fe25为铁磁电极和10或08 nm厚的铝氧化物 为势垒膜, 直接制备出了室温隧穿磁电阻(TMR)为30%—48%的磁性隧道结,其结构为Ta(5 nm)/Cu(25 nm)/Ni79Fe21(5 nm)/Ir22Mn78(10 nm)/ Co75Fe25 (4 nm)/Al(08 nm)-O/Co75Fe25(4 nm)/Ni79Fe 21(20 nm)/Ta(5 nm).同时,利用刻槽打孔法和去胶掀离法两种光刻技术并结合Ar离子束刻蚀及化学反应刻 蚀,制备出面积在4 μm×8 μm—20 μm×40 μm、具有室温高TMR和低电阻的高质量磁性 隧道结.300 ℃ 退火前后其室温TMR可分别达到22% 和50%.研究结果表明,采用光刻中的刻 槽打孔或去胶掀离工艺方法制备的小尺寸磁性隧道结,可用于研制磁动态随机存储器和磁读 出头及其他传感器件的磁敏单元.
关键词:
磁性隧道结
隧穿磁电阻
金属掩模法
光刻法 相似文献
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原子电性作用矢量用于氨基酸化学位移计算 总被引:3,自引:6,他引:3
提出了用于表征分子内部化学微环境的结构描述子:原子电性作用矢量(AEIV),并将其应用于20个天然氨基酸103个13C 原子核磁共振化学位移CS建模:δ =-190.514+7.352×ν1+63.998×ν2+49.252×ν3+39.678×ν4,取得优良效果. 模型值、留一法(LOO)和留分法(LMO)交互校验的复相关系数分别为RMM=0.966 0,RLOO=0.957 7和RLMO=0.957 7. 相似文献
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采用盐酸为介质,以顺序注射-氢化物发生原子荧光法测定生产用水中的锑含量.通过正交实验确定了仪器工作参数,研究了介质浓度、KBH4浓度、硫脲一抗坏血酸加入量等因素对测定结果的影响,探讨了共存离子的干扰.在选定的最佳实验条件下,方法的检出限为0.011ng/mL,线性范围0~8ng/mL,相对标准偏差为2.78%~6.20%,加标回收率为91.0%~99.1%.该方法操作简便,灵敏度高,准确度好,与微波消解法相比较,两者无显著性差异. 相似文献
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模拟轻质油品的氧化脱硫 总被引:6,自引:10,他引:6
以正庚烷为溶剂,苯并噻吩(BT)、二苯并噻吩(DBT)、4,6-二甲基二苯并噻吩(4,6-DMDBT)作为模型含硫化合物组成模拟轻质油品,在H2O2-HCOOH氧化体系中对模拟轻质油品氧化脱硫进行了研究。考察了氧化剂用量、氧化温度、氧化时间及芳烃、烯烃、含氮化合物的存在等因素对BT、DBT脱除的影响。实验结果表明:在反应温度60 ℃,H2O2∶S=7∶1(mol/mol),H2O2∶HCOOH=1∶1(v/v),反应时间在40 min的条件下,4,6-DMDBT能全部脱除, DBT、BT的脱除率分别为96% 、58%。向油品中添加芳烃、烯烃、含氮化合物等对BT、DBT的脱除均有不同程度的影响。 相似文献
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本文研究了四种新型咪唑啉酮类化合物的拉曼光谱,在对拉曼谱峰进行归属的基础上,确定了化合物的空间伸展形态,并对其除草活性的影响因素进行了探讨. 相似文献