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251.
SnO2 was added to high-permeability MnZn ferrites and MnZn ferrites for high-frequency power supplies. The effects of the SnO2 addition were studied. Sn4+ ions can dissolve into the spinel lattice and form stable Fe2+–Sn4+ pairs and hence can compensate the magneto-crystalline anisotropy constant K1 and improve the initial permeability effectively. The initial permeability of ferrites is also improved as abnormal grain growth caused by ion vacancy is controlled with SnO2 doping. In addition, the SnO2 doping also leads to a decrease in the relative loss factor and an increase in density. The power loss and minimum power loss temperature decrease with SnO2 doping.  相似文献   
252.
用Langer变换和Olver变换求得一类具有转向点问题的n阶近似解:y(x)=v(x)ψ(x),其中ψ=λ12-14×(x2-1)14,2332=-λx∫11-τ2dτ,v(z)=A(z,λ)ξ(λ23z)+B(z,λ)'ζ(λ23z).并探讨了其特征值问题,得到λn=4n+1112,n=0,1,2….由此给出了该类问题的解的一般性结论.  相似文献   
253.
254.
This paper considers a two-echelon capacitated supply chain with two non-identical retailers and information sharing. We characterize the optimal inventory policies. We also study the benefits of the optimal stock rationing policy over the first come first served (FCFS) and the modified echelon-stock rationing (MESR) policies.  相似文献   
255.
256.
采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.用X射线衍射技术(XRD)研究了PLT薄膜结晶性能,结果表明PLT薄膜为(111)择优取向钙钛矿相织构.使用原子力显微镜(AFM)和压电响应力显微镜(PFM)分别观察了PLT薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构.PFM观察显示PLT薄膜中存在90°纳米带状畴,电畴的极化为首尾相接的低能量的排列方式,带状畴的宽度为20-60nm.研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与性能之间的关系.发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365、介电损耗tgδ为0.02,热释电系数γ为2.18×10-8C·(cm2·K)-1,可以满足制备非制冷红外探测器的需要.  相似文献   
257.
电流引线是高温超导变压器的主要外部漏热来源,它的漏热量直接影响了超导变压器的经济性能,因此,引线的设计与漏热测量一直备受关注。文中构建了一个实验方案,运用量热法测量低压引线的漏热,并将试验结果与仿真预期值进行了对比和分析,从而验证了仿真设计的正确性。  相似文献   
258.
The total synthesis of the bicyclic C-nucleoside malayamycin A is described starting with d-ribonolactone. A new method was developed to obtain preparatively important quantities of β-pseudouridine, which was used as an intermediate. The synthesis of a carba N-nucleoside analogue of malayamycin A is also described.  相似文献   
259.
The melting curve of MgSiO分子动力学 MgSiO3钙钛矿 熔化温度 高压melting temperature, molecular dynamics, high pressureProject supported by the National Natural Science Foundation of China (Grant Nos 10274055 and 10376021),the Natural Science Foundation of Gansu Province, China (Grant No 3ZS051-A25-027) and the Scientific Research Foundation of Education Bureau of Gansu Province, China (Grant No 0410-01).2005-01-125/8/2005 12:00:00 AMThe melting curve of MgSiO3 perovskite is simulated using molecular dynamics simulations method at high pressure. It is shown that the simulated equation of state of MgSiO3 perovskite is very successful in reproducing accurately the experimental data. The pressure dependence of the simulated melting temperature of MgSiO3 perovskite reproduces the stability of the orthorhombic perovskite phase up to high pressure of 130GPa at ambient temperature, consistent with the theoretical data of the other calculations. It is shown that its transformation to the cubic phase and melting at high pressure and high temperature are in agreement with recent experiments.  相似文献   
260.
Raman spectra of ceramic Sr2Bi4Ti5O18 (SBTi5) are reported to consist of four different Raman bands. Temperature-dependent spectra reveal the relationship between the lattice vibration and the material's structure. There appears a relatively large change in structure of the material at about 273K, The anharmonic potential of the material has a great influence on its phonon mode full width at half maximum (FWHM), which can be expressed by a function of temperature. Theoretical fittings of the FWHMs for the two modes at around 312 cm^-1 and 464cm^-1 indicate that the latter phonon mode is more anharmonic than the former one.  相似文献   
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