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61.
测量了石墨和纳米碳在不同温度下的正电子寿命谱,研究了石墨和纳米碳中缺陷和电子密度随温度的变化.结果表明,纳米碳中缺陷的开空间和缺陷浓度分别大于和高于石墨晶体;纳米碳的平均自由电子密度低于石墨晶体.当温度从25K升至295K时,石墨和纳米碳中的平均自由电子密度随温度的升高而下降:石墨晶体中的自由电子密度随温度的升高变化较小;纳米碳的自由电子密度随温度的升高变化较大.随着温度的升高,石墨和纳米碳中的热空位数量增多,而且这些空位可迁移至微孔洞的内表面使微孔洞的开空间增大.  相似文献   
62.
具有突变结构开放腔的矩阵分析   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
刘迎辉  李宏福  李浩  王峨锋  徐勇  王晖  王丽 《物理学报》2006,55(4):1718-1723
利用模式展开与场匹配原理,建立了突变波导的散射矩阵(S参数矩阵),在此基础上分析研究了具有突变结构的波导开放式谐振腔,并由矩阵级联建立了开放腔总的S参数矩阵.通过Matlab编制计算程序对具有多级突变结构的开放式输出腔进行了数值计算和分析,并通过与实验数据和软件模拟的结果比较对该方法得到的数据结果进行了验证. 关键词: 回旋管 开放式谐振腔 突变结构 S参数矩阵  相似文献   
63.
二维非正交坐标斜方格金属光子带隙结构   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
郝保良  刘濮鲲  唐昌建 《物理学报》2006,55(4):1862-1867
金属光子带隙结构在高能加速器、微波真空电子器件和太赫兹波源等方面具有重要的应用前景.基于实空间传输矩阵理论,详细研究了非正交坐标系下二维斜方格金属光子带隙结构,给出了计算横电模、横磁模完全带隙结构的一般公式,并分析了填充系数、任意斜角及金属柱横截面对带隙结构的影响.计算结果在退化为正方格情况下时,与其他方法的计算结果取得很好的一致. 关键词: 光子晶体 金属光子带隙 传输矩阵法 微波真空电子器件  相似文献   
64.
李蕾蕾  刘红侠  于宗光  郝跃 《物理学报》2006,55(5):2459-2463
在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况. 这种退化是恒流应力和时间的函数,对恒流应力大小的依赖性更加强烈,隧道氧化层在F-N电流下的退化是注入电荷密度(Qinj)的函数. 在较低Qinj下氧化层中发生正电荷俘获,在较高Qinj下发生负电荷俘获,导致栅压变化的反复. 关键词: 2PROM')" href="#">E2PROM 隧道氧化层 退化 恒流应力  相似文献   
65.
利用国家同步辐射实验室合肥光源的真空紫外同步辐射,使NO分子和Ar原子混合物的超声分子束发生光电离,测量了Ar,NO和异类团簇Ar·NO的光电离效率谱. 在谱中,在与Ar原子的共振线对应的能量区域(11.5—12.0 eV)观察到一个强的类共振结构. 这个结果表明,在异类团簇Ar·NO的内部,稀有气体Ar原子的激发能转移到与它接触的分子NO上,使分子NO发生电离. 关键词: Ar·NO团簇 同步辐射 光电离 能量转移  相似文献   
66.
哈特曼-夏克波前传感器进行波前探测时,用子孔径光斑强度的一阶矩来计算光斑质心位置,子孔径窗口作为探测窗口,但探测时子孔径窗口内噪声对一阶矩有很大的影响,会使质心探测精度产生很大的误差。因此在计算质心位置时探测窗口的选取对探测精度有重要影响,必须选取合适的探测窗口来提高光斑质心探测精度。为此,在传统算法的基础上提出优化探测窗口的方法来提高质心探测精度,仿真和实验结果表明新方法提高了质心探测的精度,未经处理的高噪声恢复波前的波前残差峰谷值是2.851 4λ,均方根值是0.606 3λ,优化探测窗口后波前残差的峰谷值是1.636 2 λ,均方根值是0.367 1 λ,重构误差减小了40%。证明了算法的可行性和稳定性。  相似文献   
67.
微纳米加工技术及其应用综述   总被引:2,自引:0,他引:2  
崔铮 《物理》2006,35(1):34-39
材料与结构在微纳米尺度展现了许多不同于宏观尺度的新特征,纳米技术已经成为当前科学研究与工业开发的热门领域之一。微小型化依赖于微纳米尺度的功能结构与器件,实现功能结构微纳米化的基础是先进的微纳米加上技术,文章对微纳米加上技术做了一个综合的介绍,简要说明了微纳米加工技术与传统加工技术的区别,在微纳米加工技术的应用方面提出了一些合理选择加工技术的原则,并对当前微纳米加工技术面临的挑战和今后发展的趋势作了预测。  相似文献   
68.
以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体,利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜.薄膜沿(002)择优取向生长,厚约为1.2μm,呈现电绝缘特性.将溅射的ZnO薄膜在10-3Pa,510~1 000 K的温度范围等温退火1 h,室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘—n型—p型—n型半导体的变化.XPS测试表明ZnO薄膜的Zn/O离子比随退火温度的升高而降低,但一直是富锌ZnO,说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成p型导电.p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于VZn受主浓度可以克服VO和Zni本征施主的补偿效应.  相似文献   
69.
系统研究了室温下Tb0.3Dy0.7(Fe0.9T0.1)1.95(过渡金属元素T=Mn,Fe,Co,B,Al,Ga)合金中ⅢA族金属和过渡金属元素T替代Fe对结构、自旋重取向和穆斯堡尔谱的影响.结果发现,不同金属T替代Fe,Tb0.3Dy0.7(Fe0.9T0.1)1.95,合金具有相同的MgCu2型立方Laves相结构;Al,Ga替代使Tb0.3Dy0.7(Fe0.9T0.1)1.95合金的易磁化方向在{110}面逐渐偏离了立方晶体的主对称轴,即自旋重取向,B,Mn,Co替代未使易磁化轴发生明显转动;Al,Ga元素替代使超精细场Hhf略有下降,B,Mn替代对超精细场Hhf的影响不大,而Co元素替代使超精细场Hhf有较大增加;所有元素替代使同质异能移IS有所增加;B,Al,Ga和Mn替代使四极劈裂Qs增加,而Co替代使四极劈裂Qs下降. 关键词: 立方Laves相 自旋重取向 穆斯堡尔谱  相似文献   
70.
The high-entropy materials have raised much attention in recent years due to their extraordinary performances in mechanical, catalysis, energy storage fields. Herein, a new type of high-entropy hydroxides (e.g., NiFeCoMnAl(OH)x) that are amorphous and capable of broad solar absorption is reported. A facile one-pot co-precipitation method is employed to synthesize these amorphous high-entropy hydroxides (a-HEHOs) under ambient conditions. The a-HEHOs thus obtained display widely tunable bandgap (e.g., from 2.6 to 1.1 eV) due to their high-entropy and amorphous characteristics, enabling efficient light absorbance and photothermal conversion in the solar regime. Further solar water evaporation measurements show that the a-HEHOs delivered a considerable energy conversion efficiency of 55%, comparable to black titanium oxides that are synthesized using more complex and expensive methods.  相似文献   
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