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901.
研究了在不同气体环境下,利用532nmNd:YAG纳秒脉冲激光累积辐照单晶硅表面形成的微结构,结果表明,在其他条件相同,背景气体不同的情况下,背景气体对硅表面形貌的形成起着重要的作用。具体分析了真空、N2和SF6 3种环境气氛下形成的微结构,结果显示,在sF6中形成的锥形微结构的数密度比在N2和真空中的大,并且锥形具有更大的纵横比;在N2、真空和sF6中形成的微结构尺寸依次减小。sF6气氛下,激光辅助化学刻蚀的效率比在真空和N2气氛中的高。另外,辐照区域边缘有波纹微结构形成,分析认为,该微结构的形成是由表面张力波的冷却导致的。 相似文献
902.
903.
904.
以8-羟基喹啉为配体的金属配合物是一种性能优良的有机电致发光材料,其中有关8-羟基喹啉铝(Alq3)研究已有大量报道,8-羟基喹啉锌(Znq2)研究还有待发展。介绍了两种以Znq2为基体的新型有机电致发光材料Znq2(H2O)2和(Znq2)4的合成方法。用IR、XRD、TG、DTA和荧光测试方法进行表征与分析表明:Znq2(H2O)2和(Znq2)4的玻璃化温度(Tg)分别为104.2℃和204.9℃;在161℃下Znq2(H2O)2脱去水分子成为Znq2,在361℃高温下四聚体(Znq2)4裂解为单体Znq2;Znq2(H2O)2和(Znq2)4具有很好的发光性能,在光致发光谱中λmax分别是505,550nm。 相似文献
905.
以ZnO和HGaO2为原料,用不同配比合成出系列ZnGa2O4,并对其晶体结构和发光性能进行了研究。用荧光分光光度计检测了ZnGa2O4的激发和发射光谱,用X射线衍射仪检测了ZnGa2O4的衍射图谱,用热重差热仪绘制了TGA-DAT曲线。对检测结果分析认为:1.ZnGa2O4属于尖晶石结构,稍过量的Zn或Ga能进入ZnGa2O4结构中,并对ZnGa2O4的晶格常数产生一定影响。2.ZnGa2O4存在两个自激发光中心,当Ga稍过量时,自激发光中心是四面体镓氧键[Td(Ga-O)],最大激发波长约248nm,最大发射波长约367nm;当Zn稍过量时,自激发光中心是八面体镓氧键[Oh(Ga-O)],最大激发波长约270nm,最大发射波长约441nm。当n(Zn):n(Ga)在理论值附近,激发和发射光强度最大,而且光谱峰位发生了红移。3.ZnGa2O4的热稳定性能非常好。上述结论对研究ZnGa2O4基质或掺杂的发光材料具有一定意义。 相似文献
906.
LI Guo-qiang 《理论物理通讯》1991,15(2):195-208
The liquid-gas phase transitions in nuclear matters are investigated by employing the thermal Fermi-gas model and the Skyrme-type nucleon-nucleon interactions. Various situations with different sophistications are under consideration. The nuclear equations of state (EOS), P(pcT) or µ(pcT), are derived for these situations. From these EOS, the critical temperature Tc and density pc are obtained by making use of the inflection conditions. 相似文献
907.
用绝对频率精度优于1.2MHz的CO_2激光边带光谱仪记录了SF_6分子v_3带Q支的多普勒受限吸收谱,光谱范围在CO_2激光10P(16)支线中心两侧,距支线中心8.0~12.4 GHz。用内插法以<6MHz的均方误差测量了百余条跃迁谱线的频率,并标识出Q_Z、Q_R、Q_X、Q_W、Q_A等亚支的谱线,量子数J从26到83。用最小二乘法拟合实验数据得到了v_3带的部分光谱常数。 相似文献
908.
909.
C60和C60/C70的激光脱附飞行时间质谱分析 总被引:1,自引:1,他引:1
采用激光脱附并直接测量离子的方法对实验室提取的C_(60)/C_(70)以及进一步分离得到的纯C_(60)进行了飞行时间质谱分析,并讨论了质谱分析过程中实验条件对结果的影响. 相似文献
910.