强电磁脉冲(激光、微波)在高温离解氮气中的击穿效应

 通过对电子能量分布函数所满足的Boltzmann方程的求解，在理论上分析了强电磁脉冲(激光、微波)在高温氮气中的击穿效应。高温气体的一个主要特征是其中的部分气体分子会离解为原子，这一离解效应会对强电磁脉冲在气体中发生电离击穿的阈值产生影响。计算表明：随着温度的升高，氮分子的离解度增大，强电磁脉冲的击穿阈值下降；击穿阈值的下降幅度与电磁波的频率有关，对频率较高的红外激光，击穿阈值下降明显；而对微波，击穿阈值所受影响较小。     

光束偏转法自动测试激光等离子体冲击波系统的研制

根据光束偏转原理，研制了激光等离子体冲击波自动测试系统的硬件和软件。该系统使用计算机与可编程序控制器作为上下位机，采取上下位机通讯的方式控制步进电机及二维移动架的移动，以改变探测光的相对位置，并利用单模光纤和光电倍增管将探测到的光偏转信号传入数字示波器进行存储，最后计算机将示波器中采集到的光偏转信号进行分析处理。使用该系统对激光等离子冲击波的衰减过程进行了实际测试，得到了较为理想的实验结果。     

未钝化和H钝化GaN纳米线的电子结构

用密度泛函理论研究直径为9.5Å,15.9Å和22.5Å,未钝化和H钝化GaN纳米线的能带和态密度.结果表明:未钝化和H钝化GaN纳米线的能隙都是直接带隙,未钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径的增加减小,但是变化不明显,H钝化GaN纳米线的禁带宽度随着直径增大也是减小的,但是减小的幅度比未钝化的大.未钝化GaN纳米线表面N原子的2p电子主要聚集在价带顶,表面Ga原子的4p电子主要聚集在导带底,这两种电子都具有很强的局域性,而且决定着能隙值;加H钝化可以消除表面原子产生的表面效应.     

带隙法测定SiGe/Si材料的应变状态

从固体模型理论的结果出发，计算了生长于Si（100）衬底上x值小于085的Si_1-xGe_x合金材料（能带结构为类Si结构）的间接带隙与应变的关系，结 果表明，应变的S iGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系.基于这一结果，提出了 用测量带隙来间接测定SiGe/Si应变状态的方法.用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应 变状态下的SiGe/Si多量子阱材料的应变弛豫度，两者可以较好的符合，表明带隙法测量SiG e应变弛豫度是可行的. 关键词： SiGe合金 应变 带隙     

依赖性药物滥用者头发中微量元素测定及相关分析

为了探讨依赖性药物滥用者头发中微量元素营养水平的变化情况及微量元素与滥用依赖性药物间的相关性,用ICP-AES法测定了195例戒毒所收容的强制戒毒人员和200例健康对照者头发中Al,Ba,Ca,Co,Cr,Cu,Fe,Mg,Mn,Ni,Pb,Sr,Zn等13种微量元素的含量;用SPSS统计软件进行相关分析。结果表明,依赖性药物滥用者头发中锌、钙含量明显低于对照组,铅、铁和镁则明显高于对照组(p＜0.001)。用皮尔逊相关分析分析了依赖性药物滥用者头发中微量元素的相关性,为改善依赖性药物滥用者戒毒期间的免疫功能和巩固戒毒效果提供了依据。     

永磁流变抛光纳米精度非球面技术研究

利用永磁流变抛光技术制造高精度光学元件是一项极具前景的超精密制造技术。对一台五轴联动磁流变数控抛光系统的结构特点、功能特色及关键部件的设计进行了阐述。在此基础上,结合装置开展基础试验,对磁流变抛光过程中的主要控制参量如抛光轮下压量、抛光轮速度等对材料去除特性的影响进行了研究。开展了磁流变抛光对提高工件(K9玻璃)表面粗糙度效果的抛光试验,结果证明该套系统具有良好的磁流变抛光特性,抛光23min后工件表面粗糙度降低到0 6739nm。     

转换屏发光光谱对闪光照相成像质量影响研究

转换屏的X射线激发发光光谱与透镜系统的匹配偏差会对闪光照相光电接收系统的成像质量造成影响.提出了一种一维线阵全分辨的模拟计算方法,对在理想光源照射下系统成像视觉全分辨能力进行了模拟计算.用白光光源加滤波片照明分辨率板的实验方法,对不同光源照射下系统的成像质量进行了评估.分析表明,转换屏发光宽光谱及其中心波长与透镜系统不匹配均对成像分辨率造成一定影响,而对图像对比度造成较大影响.只有在透镜系统针对的消像差波段540～550 nm附近窄带发光的转换屏,其成像质量才能基本不受匹配影响,近似于模拟计算的结果.     

墙截面优化声学小房间低频响应的鲁棒性分析

改进了通过优化墙截面形状改善声学小房间低频响应的优化方法,实现了墙面阶梯形状宽度和深度同时优化。在60- 120 Hz频段对优化后房间频响随声源位置的鲁棒性进行了分析,并与未优化的房间比较。结果表明:对一个5×4.65×2.68 m³的小房间优化后,210个不同位置点声源所激励房间声场的频响标准偏差(SRD)平均值从未优化房间的9.66 dB下降为6.17 dB,频响最大偏离值(MD)平均值从未优化房间的41.27 dB下降为17.42 dB;SRD和MD值的标准差分别比未优化房间下降了44.8%和63.9%。证明了墙截面优化不仅能够使房间频响变好,而且小房间内频响对于声源位置的敏感程度也随着墙截面形状的优化而降低。通过运用优化的墙截面改善房间低频响应鲁棒性是有意义的。     

煤直接制甲烷系统的热力学分析

通过Ca基吸收剂的引入,将煤的气化反应、甲烷化反应和CO₂吸收反应集成在同一反应器内,形成煤直接制甲烷系统,可缩短传统煤制甲烷系统流程,提高转化效率。分析了热力学平衡状态下温度、压力、Ca/C比和H₂O/C比对气体产物产量的影响。结果表明降低反应温度和提高反应压力有利于甲烷的产生,而Ca/C比和H₂O/C比的选取存在最优值,得到了煤直接制甲烷体系较为适宜的反应条件为:500～700℃,5～10 MPa,Ca/C=0.5,H₂O/C=1。     

OPTICAL PROPERTIES OF δ-DOPED GaAs AND GaAs/Al0.1Ga0.9As SUPERLATTICES

Radiative transition in δ-doped GaAs superlattices with and without Al_0.1Ga_0.9As barriers is investigated by using photoluminescence at low temperatures. The experimental results show that the transition mechanism of δ-doped superlattices is very different from that of ordinary superlattices. Emission intensity of the transition from the electron first excited state to hole states is obviously stronger than that from the electron ground state to hole states due to larger overlap integral between wavefunctions of electrons in the first excited state and hole states. Based on the effective mass theory we have calculated the self-consistent potentials, optical transition matrix elements and photoluminescence spectra for two different samples. By using this model we can explain the main optical characteristics measured. Moreover, after taking into account the bandgap renormalization energy, good agreement between experiment and theory is obtained.