一般有界区域上次线性椭圆方程改进的正解估计

在一般有界区域上，建立了次线性椭圆方程广义Ｄｉｒｉｃｈｌｅｔ问题改进的正解估计和有界强解的存在性定理．     

A simple method to synthesize α-Si3N4, β-SiC and SiO2 nanowires by carbothermal route

α-Si₃N₄ nanowires, β-SiC nanowires and SiO₂ amorphous nanowires are synthesized via the direct current arc discharge method with a mixture of silicon, activated carbon and silicon dioxide as the precursor. The α-Si₃N₄ nanowires, β-SiC nanowires and SiO₂ amorphous nanowires are about 50–200 nm in stem diameter and 10–100 μm in length. α-Si₃N₄ nanowires and β-SiC nanowires consist of a solid single-crystalline core along the [0 0 1] and [1 1 1] directions, respectively, wrapped within an amorphous SiO_x layer. The direct current arc plasma-assisted self-catalytic vapor–solid and/or vapor–liquid–solid (VLS) growth processes are proposed as the growth mechanism of the nanowires.     

Total Synthesis of (±)-Nocardione A and (±)-Nocardione B, Two Cdc25B Tyrosine Phosphatase Inhibitors

Quinones are biologically important compounds, especially because of their cytotoxic and pharmacological action. The antitumor activities of the quinones, including naphthoquinones1, were revealed more than two decades ago when the National Cancer Institute published a report in which 1500 synthetic and nature quinones were screened. Some natural naphthoquinones were under development for antitumor agents2. The protein tyrosine phosphatases (PTPase) and dual phosphatases (DSPase) are key…     

强磁场中的逆Compton散射和Crab Pulsar的光学辐射

本文在非相对论极限下(B/B_q≤1,(?)_ω/mc^≤1),给出了强磁场中逆Compton散射的截面、偏振特性和散射光子能量的一般表达式,并在此基础上讨论了脉冲星外gap附近的次级高能粒子与gap脉动的低频光子的逆Compton散射产生Crab Pulsar光学辐射的可能性,这种机制可以较好地解释Crab Pulsar光学观测的主要特征。     

平行板静电场法离子引出的对称收集

离子引出的研究在AVLIS工程中有重要的意义，离子引出量和引出时间直接关系到整个系统 的离子收集效率. 在静电场中，由于等离子体屏蔽效应的存在，等离子体电位要高于正、负 极板的电位，而且在靠近正、负极板的两侧均存在鞘层. 理论模拟表明在正极板一边也可以 引出离子. 选取铯（Cs）作为实验对象，研究静电场对Cs等离子体的离子引出，使用安装在 两个极板上的法拉第筒收集离子引出信号. 实验结果表明，正极板确实可以引出离子，随着 外加电压的升高，从正极板一边引出离子的比率降低. 关键词： AVLIS 离子引出 等离子体     

Ge在Ru(0001)表面上生长及其性质研究

报道Ge在Ru(0001)表面上生长以及相互作用行为的扫描隧道显微镜（STM）和x射线光电子能谱（XPS）研究. STM的实验结果表明Ge在Ru(0001)表面的生长呈典型的Stranski_Krastanov生长模式，Ge的覆盖度小于单原子层时呈层状生长，而从第二层开始呈岛状生长. XPS测量显示衬底Ru(0001)与Ge的相互作用很弱. Ru(0001)表面的Ru 3d5/2和Ru 3d3/2芯态结合能分别处于2798和2840 eV. 随着Ge的生长，到Ge层的厚度为20个单原子层，衬底Ru 3d芯态结合能减小了约02 eV，而Ge 3d芯态结合能从Ge低覆盖度时的289 eV增加到了290 eV，其相对位移约为01 eV. 关键词： Ge Ru表面 生长 相互作用     

线性有限自动机的递增秩与FA公开钥密码体制的复杂性

有限自动机(FA)公开钥密码体制是由一个非线性延迟0步弱可逆FA与一个线性延迟,τ步弱可逆FA经化合实现加密算法的,本文将证明这样化合所得到的非线性FA具有与线性FA相同的、输入输出均匀的性质,其中线性FA的递增秩对化合后的非线性FA有很大影响,甚至决定了其某些性质,本文将给出一个概率算法,并从线性FA的递增秩求得该算法的复杂度,进而分析安全线性FA的参数规模。     

两步浸渍法制备发光多孔硅及NO2的作用

用两步浸渍染色法在单晶硅片上制备了室温光致发光多孔硅,膜层均匀,其等效折射率在2.0—2.4之间,测量了荧光激发谱和荧光发射谱以及Fourier变换红外透射谱,结果表明:浸渍染色多孔硅与阳极电化多孔硅特征一一对应,指出染色多孔硅的形成动力是中性NO₂的传递电子的催化作用,HNO_3的氧化和HF的氢化共同作用形成的化学染色多孔硅与阳极电化多孔硅具有相似的红外透射谱,分析了斑秃染色层的成因,认为染色多孔硅中有偏硅酸混合体的成分。     

电子关联与硼原子四个共壳P态的定性特征

研究了硼的²Ｐ⁰₁（基态），²Ｐ⁰₂，²Ｐ^e₁和⁴Ｐ^e₁４个Ｎ＝２共壳Ｐ态结构的定性特征，表明了电子关联对自旋极性的依赖，显示了各量子态对取向（相对于总角动量Ｌ）的偏爱，研究了它们的几何结构和内部运动模式，侧重探讨了量子力学对称性对微观系统的决定性效应。 关键词：     

植物研究用γ射线成像系统设计

为了利用正电子发射断层成像技术在植物生理功能研究中的优势,正在开发由两个探测器相向放置构成的γ射线成像系统.系统中采用的探测器是由10×10的氧正硅酸镥(LSO)晶体阵列与滨松R5900-C12耦合组成.单个LSO尺寸为1.8mm×1.8mm×10mm.根据PET应用的特点,测试了该探测器的性能.所有闪烁晶体的图像在位置图谱中清楚可见;511keV全能峰处的能量分辨率位于14.5%—22%之间;符合时间分辨率随着位置灵敏光电倍增管的供给电压的增加而得到改善.这些实验结果表明,该LSO探测器适于构造高分辨率的双探测器成像系统.