全文获取类型
收费全文 | 435篇 |
免费 | 119篇 |
国内免费 | 132篇 |
专业分类
化学 | 242篇 |
晶体学 | 4篇 |
力学 | 57篇 |
综合类 | 19篇 |
数学 | 70篇 |
物理学 | 294篇 |
出版年
2024年 | 8篇 |
2023年 | 13篇 |
2022年 | 7篇 |
2021年 | 14篇 |
2020年 | 19篇 |
2019年 | 18篇 |
2018年 | 22篇 |
2017年 | 12篇 |
2016年 | 17篇 |
2015年 | 19篇 |
2014年 | 19篇 |
2013年 | 26篇 |
2012年 | 21篇 |
2011年 | 31篇 |
2010年 | 33篇 |
2009年 | 28篇 |
2008年 | 35篇 |
2007年 | 31篇 |
2006年 | 20篇 |
2005年 | 23篇 |
2004年 | 22篇 |
2003年 | 34篇 |
2002年 | 23篇 |
2001年 | 11篇 |
2000年 | 9篇 |
1999年 | 13篇 |
1998年 | 9篇 |
1997年 | 14篇 |
1996年 | 19篇 |
1995年 | 6篇 |
1994年 | 6篇 |
1993年 | 10篇 |
1992年 | 7篇 |
1991年 | 8篇 |
1990年 | 7篇 |
1989年 | 12篇 |
1988年 | 9篇 |
1987年 | 6篇 |
1986年 | 4篇 |
1985年 | 6篇 |
1984年 | 5篇 |
1983年 | 8篇 |
1982年 | 5篇 |
1981年 | 3篇 |
1980年 | 5篇 |
1979年 | 3篇 |
1978年 | 3篇 |
1977年 | 1篇 |
1975年 | 1篇 |
1966年 | 1篇 |
排序方式: 共有686条查询结果,搜索用时 15 毫秒
91.
92.
93.
本文求出了Eliashberg方程在T=Tc时的解,得到了下面的临界温度级数表示式: 其中α0(μ*),α1(μ*)等系数是μ*的函数.此式表明,Tc不仅依赖于λ,〈ω2〉和μ*,而且依赖于有效声子谱α2F(ω)的各级矩〈ω2n〉.这是区别于前人的Tc公式最重要的一点。这说明像McMillan以及Allen和Dynes的Tc公式不仅是近似的,而主要是他们没有能正确地概括出α2F(ω)对Tc的影响. 相似文献
94.
本文应用以前一项工作中所得到的超导-正常界面系统格林函数研究了S-N界面的邻近效应.界面两边的超导有序参量随空间变化,变化展布的范围为相平长度量级.此外,有两点值得一提:1)序参量是一和频率有关的复量,且呈现出振荡的行为.2)在界面的近邻可以出现无能隙区域. 相似文献
95.
关于误差合成公式──教学笔记(之二)龚镇雄,刘俊刁(北京大学物理系)(惠州大学物理系)1.借用全微分的误差传播向来,各种物理实验教材中都借用全微分公式作为误差传播公式.N为x、y、z的函数,即N=(x,y,z)其全微分或取对数后再全微分(2)、(3)... 相似文献
96.
基础模糊命题演算系统BL*是一个和基础命题演算系统BL相对独立的命题演算系统。命题演算系统L*是系统BL*的扩张,但不是系统BL的扩张。通过对系统BL*及其它模糊命题演算系统的研究,本文对BL*系统进行了修正,进一步改进了BL*系统中的公理体系。 相似文献
97.
对多模干涉器的模场传播常数和光场分布进行了精确计算,并与解析近似计算结果进行了比较,发现在弱限制条件下出现输出光能量降低的真正原因:一方面是波导支持的导模数量较少,导致高频成分丢失,自映像质量下降,形成大的弥散斑,造成输出耦合损失;另一方面是由于高频辐射模直接辐射带走了一部分能量。该分析结果纠正了传统的模糊观念。 相似文献
98.
99.
从EAST 装置2016 年的放电实验中,选取了119 次等离子体破裂放电数据,分析诱发等离子体破裂的原因,发现约60%的破裂是由垂直不稳定性直接引起的,其破裂后将会产生更大的晕电流,从而产生更大的电磁应力损坏装置。对由垂直不稳定性引起的破裂(简称为VID)(72 次放电)进行了研究,建立了分别基于单变量(垂直位移)和两维变量(垂直位移、垂直位移增长率)的预测模型用于对VID 破裂的预测。离线测试表明,基于两维变量的预测模型可以在破裂发生前20ms 给出破裂预警信号,预测成功率达93%。 相似文献
100.
通过红外可见内窥镜诊断系统对EAST等离子体芯部逃逸电子的同步辐射功率谱进行了分析,得出低能段逃逸电子同步辐射主要在红外波段,随着逃逸电子能量的增加,同步辐射向短波方向移动进入可见光波段。在欧姆放电条件下,对逃逸电子同步辐射所产生的的红外可见光进行了成像分析,同时研究了EAST等离子体在低杂波和中性束注入加热条件下的逃逸电子行为。实验结果显示,低杂波和 NBI 的投入总体抑制电子的逃逸,但低杂波投入初期产生的快电子对逃逸电子的产生具有促进作用。 相似文献