快前沿直线脉冲变压器单级模块开关触发时延分散性实验研究

针对12支路并联的快前沿直线脉冲变压器单级模块,给出了模块的电路结构和关键器件参数,实验获得了12只多间隙气体开关的自击穿特性和触发特性。同时,还给出了快前沿直线脉冲变压器模块输出电流的初步实验结果,工作电压150 kV时,次级短路放电电流幅值为235 kA,电流前沿88.2 ns（10%~90%）。次级带0.58 负载情况下,输出电流幅值114.5 kA,电流前沿88.9 ns（10%~90%）。利用微分环测量了12只开关的触发时延分散性,结果表明100次实验开关触发时延分散性近似符合正态分布,开关触发时延分散性对输出电流的影响不大,电流幅值和前沿的标准偏差分别小于2.0%,4.0%,电流波形的畸变主要以平顶为主。     

Identification and elimination of inductively coupled plasma-induced defects in AlxGa1 - xN/GaN heterostructures

By using temperature-dependent Hall,variable-frequency capacitance-voltage and cathodoluminescence (CL) measurements,the identification of inductively coupled plasma (ICP)-induced defect states around the Al x Ga 1-x N/GaN heterointerface and their elimination by subsequent annealing in Al x Ga 1-x N/GaN heterostructures are systematically investigated.The energy levels of interface states with activation energies in a range from 0.211 to 0.253 eV below the conduction band of GaN are observed.The interface state density after the ICP-etching process is as high as 2.75×10 12 cm 2 ·eV 1.The ICP-induced interface states could be reduced by two orders of magnitude by subsequent annealing in N 2 ambient.The CL studies indicate that the ICP-induced defects should be Ga-vacancy related.     

WZNW模型的手征Hamilton约化

对WZNW模型作传统的Hamilton约化时,总是将Kac-Moody流的某些分量约束为非零常数。本文将这种归为常数的约束推广到了任意手征函数的惰形,证明在经典及量子水平上,这种手征约束都将导致共形的可积模型。深入的讨论表明,手征约束的引入相应于将Hamilton 约化转移到WZNW模型与自由场的直积相空间进行。     

一类具有弱奇异核的偏积分微分方程的Chebyshev小波数值方法（英文）

本文提出一种基于第四类Chebyshev小波配置法,求解了一类具有弱奇异核的偏积分微分方程数值解.利用第四类移位Chebyshev多项式,在Riemann-Liouville分数阶积分意义下,导出Chebyshev的分数次积分公式.通过利用分数次积分公式和二维的第四类Chebyshev小波结合配置法,将具有弱奇异核的偏积分微分方程转化为代数方程组求解.给出了第四类Chebyshev小波的收敛性分析.数值例子证明了本文方法的有效性.     

小度数图的邻点可区别全染色

本文研究了最大度为3且没有相邻最大度的图的邻点可区别全染色.利用边剖分的方法,构造了此类图更为一般的情形,得到了它们的邻点可区别全色数的上界.目前,未找到最大度为3的图且它的邻点可区别全色数是6.本文的结果部分地回答了这个问题.     

热天平用水蒸汽发生系统的研制与配套

自制水蒸汽发生系统与TGA92热天平（Setaram公司)配套，水蒸汽的体积分数在1％－40％范围内可调。通过对煤及煤液化残渣的水蒸汽气化研究，得到的热重曲线平滑，说明该装置出水平衡，无脉冲，没有影响仪器本身的性能指标。该系统的配置拓展了仪器的使用功能。     

多芯Bi2223／Ag带材30K温区的临界电流密度和交流损耗

本文研究了３０Ｋ温区和工频下８１芯Ｂｉ２２２３／Ａｇ带材的临界电流特性和没背场下的交流损耗，临界电流是用ＳＱＵＩＤ磁化法和标准四引法测量；交流损耗理在样品通以正弦电流情况下采用电测法进行测量，结果发现交流损耗随背场的增加而增大，同时与频率的关系是非线性的，并且偏离基于Ｂｅａｎ模型所预言的结果；表明３０Ｋ温区多芯带材Ａｇ基中的涡流损耗的芯间的耦合损耗不可忽略。     

WZNW模型的共形约化,扩展的手征代数及相应的Toda类可积模型(Ⅰ)一般构架

利用李代数■的整数阶化,我们研究了一大批共形约化WZNW模型的方案Cons[■(H,d)]。在正规约束的条件下,构造了W代数W[■(H,d)]的基——约束Kac-Moody流的O'Raifeartaigh规范,并导出了相应于每个W代数的广义Toda类可积模型的运动方程。     

托卡马克实验与工程——HL-2A装置上芯部弹丸加料中的电子热输运研究

从80年代中期开始，在许多聚变装置上观察到了用弹丸注入改善的等离子体能量约束。在JET和一些大型托卡马克上实现了弹丸增强约束模（PEP）。PEP模的机制也已在理论上做了分析。分析表明，有多种机制在减小反常输运中起作用，而这些机制的作用依赖于实验的条件。本文将报道在HL-2A装置上无辅助加热条件下的弹丸加料实验结果。该工作的着重点是研究在中心加料欧姆放电中的电子热输运。     

用三源热共蒸法制备的二十厘米长涂层导体及其显微结构

用真空三源热共蒸发法制备了二十厘米长的涂层导体,其宽度为1厘米, 超导层宽度为0.9 厘米,厚度为600纳米.使用直流四引线法测试,导体在77K时的临界电流大于120安培,相应的临界电流密度大于每平方厘米220万安培.表征电流-电压曲线超导转变陡峭度的n值为35.显微结构观察表明其膜层显微形貌与单晶衬底上的薄膜极其相似.X射线衍射研究表明超导薄膜的相成分纯,面内FWHM为Δφ=6.23°,面外FWHM为Δω=3.84°,表明涂层的优良织构.在此文章将详细报告导体的制备和显微结构及物理测试结果.