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聚合物在高压下的结构、形态和性能(上) 总被引:2,自引:0,他引:2
运用高压极限手段研究聚合物的结构、形态和性能是60年代以来兴起的一项聚合物前沿课题。本文对结晶性聚合物高压结晶的结构和形态、高压结晶动力学、高压结晶热力学以及高压退火等方面问题进行了详尽而系统的介绍,反映了该领域的研究概况和最新进展。 相似文献
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静高压下聚酰胺的结晶行为 总被引:2,自引:1,他引:1
为获得聚酰胺(PA)在静高压下结晶试样的结构、形态和性能方面的信息,国外学者对PA在常压至1.0GPa压力范围内的结晶行为进行了一系列研究工作。本文介绍了这一领域的研究概况和最新进展。 相似文献
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Growth characteristics of amorphous-layer-free nanocrystalline silicon films fabricated by very high frequency PECVD at 250 ℃
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Amorphous-layer-free nanocrystalline silicon films were prepared by a very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) technique using hydrogen-diluted SiH4 at 250 C.The dependence of the crystallinity of the film on the hydrogen dilution ratio and the film thickness was investigated.Raman spectra show that the thickness of the initial amorphous incubation layer on silicon oxide gradually decreases with increasing hydrogen dilution ratio.High-resolution transmission electron microscopy reveals that the initial amorphous incubation layer can be completely eliminated at a hydrogen dilution ratio of 98%,which is lower than that needed for the growth of amorphous-layer-free nanocrystalline silicon using an excitation frequency of 13.56 MHz.More studies on the microstructure evolution of the initial amorphous incubation layer with hydrogen dilution ratios were performed using Fourier-transform infrared spectroscopy.It is suggested that the high hydrogen dilution,as well as the higher plasma excitation frequency,plays an important role in the formation of amorphous-layer-free nanocrystalline silicon films. 相似文献
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基于遗传算法设计了斜边三角形光纤光栅(EFBG)的折射率调制函数;提出了光纤外径沿轴向变化、在拉应力下可获得可调谐的斜边三角形光纤光栅;计算分析了该器件多个物理参量对反射光谱的影响。在实验中,采用紫外激光扫描辐照方法,制备了短波边斜边带宽为0.7nm、反射率为96%的斜边三角形光纤光栅;采用程序控制氢氟酸腐蚀方法获得外径从原始62.5μm减小到45μm、在85mm长度内按设计要求变化的光纤光栅。对该光纤光栅施加从。到1.715N变化的拉力时,其反射光谱短波边的斜边带宽从0.7nm增加到2.3nm,实现了一种带宽大范围可调的斜边光纤光栅。 相似文献
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利用扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)等表征手段,研究了聚对苯二甲酸乙二醇酯-双酚A型聚碳酸酯(PET-PC)共混物的高压结晶样品。研究发现共混体系中存在具备不同形态特征的伸直链晶体,其中包括楔形晶体、弯曲晶体以及楔形弯曲晶体。通过对这些晶体的形态观察,揭示出体系中大尺寸聚酯伸直链单晶体的增厚生长首先要经历形成折叠链晶核的成核阶段,然后才是在酯交换反应和链滑移扩散两种机制共同作用下的等温增厚的链伸展过程。有助于深入理解PET-PC共混物中伸直链单晶体生长过程的本质因素,以便在类似聚合物体系中合成大尺寸的同类晶体。 相似文献
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利用磁控溅射技术在低温250℃下制备Eu掺杂SiC_xO_y薄膜,研究薄膜的Eu~(3+) 发光激发机制。实验结果表明,薄膜的发光谱由来自基体材料的蓝光和来自Eu~(3+) 的红光组成;随着薄膜中Eu含量由0.19%增加到2.27%,其红光强度增加3倍左右,而蓝光逐渐减弱。Raman光谱及荧光瞬态谱分析表明,其蓝光由中立氧空位缺陷发光中心引起。结合薄膜的Eu~(3+) 激发光谱分析,SiC_xO_y∶Eu薄膜的红光增强源于薄膜中Eu~(3+) 离子浓度的增加和/或基体材料的中立氧空位缺陷发光中心与Eu~(3+) 离子的能量转移。 相似文献