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针对倾斜板熔体处理晶粒细化与半固态成形原理,研究了倾斜板熔体处理过程边界层分布,建立了熔体传热和冷却速率的计算模型.计算结果表明,随着斜板倾角和熔体初始流动速度的增大,熔体在倾斜板上从层流向紊流的转变时间减少;温度边界层厚度随着熔体初始流动速度的增加而减小,斜板倾角对温度边界层厚度的影响较小;温度边界层厚度和速度边界层厚度都随熔体流动距离的增加而增大,在层流区,温度边界层厚度远大于速度边界层厚度,而在紊流区,温度边界层厚度与速度边界层厚度重合;倾斜板上熔体冷却速率与熔体厚度成反比,初始流速小于1m/s时,熔体的冷却速率沿着倾斜板长度方向逐渐增大,初始流速为1m/s时,熔体的冷却速率沿倾斜板长度方向基本不变,当初始流速大于1m/s时,熔体冷却速率沿倾斜板长度方向逐渐减小;倾斜板上熔体冷却速率在100—1000 K/s之间,属于亚快速凝固范畴. 相似文献
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要设(Mn,go)(n奇数)是紧Riemannian流形,λ(go)〉0,这里λ(go)是算子-4△go+R(go)的第一特征值,R(go)是(Mn,go)的数量曲率.设以(Mn,go)为初值的规范化的Ricci流的极大解g(t)满足|R(g(t))|≤C和λ(对某个常数C一致成立).我们证明这个解有子列收敛于一个Ricci收缩孤立子.进一步,当n=3时,条件fM |Rm(g(t))+n/2dμt ≤ C可去. 相似文献
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水溶性银纳米颗粒的制备及抗菌性能 总被引:4,自引:0,他引:4
采用液相还原法, 以单宁酸为还原剂, 聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为修饰剂制备出了水溶性的表面修饰Ag纳米颗粒. 通过X 射线粉末衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、紫外-可见吸收分光光度计(UV-Vis)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪等对所得样品的形貌和结构进行了表征. 采用肉汤稀释法测试了样品的抗菌性能, 考察了样品在水相中的分散稳定性, 提出了PVP修饰Ag纳米颗粒的形成机理. 结果表明所制备的样品具有Ag的面心立方晶体结构, 平均粒径为15-17 nm. 样品在水相中能长时间稳定分散; 对埃希氏大肠杆菌(E. coli)、金黄色葡萄球菌(S. aureus)具有明显的抗菌作用. 操作简便、条件温和的制备方法易于在工业规模上放大; 试剂无毒, 使得所制备的PVP修饰Ag纳米颗粒作为抗菌剂具有良好的应用前景. 相似文献
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N,N′-(4,4′-二苯甲烷)-二偏苯三甲酰亚胺酰氯(DIDC-M)分别与4,4′-二(2,6-二甲基-苯氧基)二苯酮(o-Me2-DPOBP)和4,4′-二(2,6-二甲基-苯氧基)三苯二酮(o-Me2-DPOTPDK)进行低温溶液共缩聚,合成了两种含双邻位甲基侧基和主链含亚胺结构的聚醚酮醚酮酰亚胺(o-Me2-PEKEKI-Pa)及聚醚酮酮醚酮酰亚胺(o-Me2-PEKKEKI-Pb)共聚物.用FT-IR,1H-NMR,DSC,TGA和WAXD对共聚物的结构和性能进行了表征.研究表明Pa和Pb均为非晶态结构;具有较高的玻璃化转变温度(Pa为240℃,Pb为237℃);能溶解于DMF、DMAc、NMP、二氯甲烷、氯仿等普通有机溶剂中,溶剂挥发后成膜性良好,可制成透明薄膜.共聚物Pa,Pb的拉伸强度分别为80.0MPa,51.8MPa,断裂伸长率6.9%,4.6%,杨氏模量2.0GPa,1.8GPa. 相似文献
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以1,4-二(4-苯氧基苯甲酰基)苯(p-EKKE)、1,3-二(4-苯氧基苯甲酰基)苯(m-EKKE)、二苯醚(DPE)分别与对苯二甲酰氯(TPC)、间苯二甲酰氯(IPC)亲电共缩聚,合成全对位、全间位、对间位取代及交替聚芳醚酮酮(p-PEKK、i-PEKK、p/i-PEKK、a-PEKK),用FT-IR、DSC、WAXD、TG、SEM等技术对p-EKKE和m-EKKE以及PEKKs的结构与性能进行了分析表征.结果表明,随着1,3-苯基含量的增加,共聚物的熔融温度(Tm)和玻璃化转变温度逐渐降低,而热分解温度变化不大;p/i-PEKK交替共聚物较之于无规共聚物,有较好的链规整性和较高的结晶度;WAXD分析表明,共聚物p-PEKK的结晶衍射峰和小分子模型化合物p-EKKE基本相同,同属正交晶系,全间位取代的i-PEKK在熔融冷却过程中很难再次结晶,转变为非晶聚集态,其2θ角和m-EKKE针状结晶基本相同,属三斜晶系. 相似文献
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利用原子层沉积技术制备了具有圆形透明电 极的Ni/Au/Al2O3/n-GaN金属-氧化物-半导体结构, 研究了紫外光照对样品电容特性及深能级界面态的影响, 分析了非理想样品积累区电容随偏压增加而下降的物理起源. 在无光照情形下, 由于极长的电子发射时间与极慢的少数载流子热产生速率, 样品的室温电容-电压扫描曲线表现出典型的深耗尽行为, 且准费米能级之上占据深能级界面态的电子状态保持不变. 当器件受紫外光照射时, 半导体耗尽层内的光生空穴将复合准费米能级之上的深能级界面态电子, 同时还将与氧化层内部的深能级施主态反应. 非理想样品积累区电容的下降可归因于绝缘层漏电导的急剧增大, 其诱发机理可能是与氧化层内的缺陷态及界面质量有关的“charge-to-breakdown”过程.
关键词:
原子层沉积
2O3/n-GaN')" href="#">Al2O3/n-GaN
金属-氧化物-半导体结构
电容特性 相似文献
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实验采用某铜冶炼生产企业的铜阳极泥样品,对其中的金含量进行测试。用王水溶解样品,在3%王水酸度下,定容至100mL容量瓶,用电感耦合等离子体发射光谱法测定。经试验研究,选择242.795nm为分析谱线,方法检出限为(n=11)0.09μg/mL,测定下限为0.27μg/mL,加标回收率在97%-107%之间,线性相关系数为:0.999928,分析结果满足要求。 相似文献
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IgG是人血清中主要抗感染的抗体, 约占成人血清免疫球蛋白总量的75%, 被视为判断健康或疾病的一个指标. 本文通过对IgG的检测, 探讨了纳米探针免疫凝聚压电传感方法的可行性. 相似文献