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11.
A three-step synthesis of fluorine-containing cytokinin(N~6-pentafluorobenzyladeno-sine)from perfluorobenzene and adenosine has been reported for the first time.The newcytokinin shows two thirds of the biological activity of zeatin in the concentration range of10~(-5)to 10~(-7)mol/L. 相似文献
12.
13.
14.
白灵菇多糖的提取及含量的测定 总被引:4,自引:0,他引:4
苯酚-硫酸分光光度法测定白灵菇中多糖含量。测定波长485nm,多糖换算因子f=1.59,在5.00—70.00μg/mL范围内吸光度与被测物含量呈良好的线性关系,相关系数r=0.9998,方法的回收率在96.66%—102.33%%之间,相对标准偏差RSD在2.01%—3.10%之间。测定结果表明,白灵菇中含有丰富的多糖。本法简便、准确、重现性好,可作为白灵菇多糖含量的测定方法。 相似文献
15.
采用提拉法生长了双掺Yb3+和Er3+离子浓度分别为18.63%和0.87%(原子分数)的Sr3Y2(BO3)4晶体.利用测量的偏振吸收谱结合Judd-Ofeh理论,拟合得到了该晶体中Er3+离子的偏振和有效J-O参数.测量了Er3+离子4I13/2能级和Yb3+离子2F5/2能级的荧光衰减曲线,并计算了4I13/2能级的荧光量子效率和Yb3+到Er3+的能量传递效率.利用Fuchtbauer-Ladenberg公式计算了Er3+离子4I13/2→4I15/2跃迁的偏振受激发射截面.在平-凹谐振腔中,利用97nm波长光纤耦合准连续半导体激光端面泵浦1.12mm厚的该晶体,当输出镜透过率为1.5%时,获得了最大输出功率为1.3 w和斜率效率为20%的1560 nm附近的激光输出.结果表明,Er3+/Yb3+:Sr3+Y2+(BO3)4晶体是一种优良的1.5~1.6 μm波段激光的增益介质. 相似文献
16.
17.
婴幼儿谷类辅助食品是婴幼儿营养的重要能量来源,其主要原料为大米,而水稻极易从其生长的土壤和水中吸收重金属Cd积累到谷粒中,导致大米中Cd的残留浓度相对较高,从而对婴幼儿谷类辅助食品构成潜在威胁。提出了电感耦合等离子体串联质谱(ICP-MS/MS)测定婴幼儿谷类辅助食品中重金属Cd的新策略。样品经微波消解处理后,采用ICP-MS/MS进行测定。婴幼儿谷类辅助食品中Cd的测定所面临的质谱干扰主要来源于高浓度Mo所形成的Mo基多原子干扰离子(MoO+,MoN+,MoC+)以及Sn所形成的同量异位素(112Sn+,114Sn+,116Sn+)。针对这些干扰,在MS/MS模式下,分别采用H2,NH3/He和O2为反应气,考察不同Cd同位素的质谱干扰消除效果和分析灵敏度。结果表明,在H2和NH3/He反应模式下,H2和NH3均能与Mo基干扰离子发生质量转移反应,而不与Sn+反应,可选择110Cd+,111Cd+和113Cd+进行测定,但H2与Mo基干扰离子反应速度较慢,难以彻底消除高浓度Mo基质中对Cd的质谱干扰;在O2反应模式下,所有干扰离子均能与O2发生质量转移反应,虽然获得的分析灵敏度略低于NH3/He反应模式,但背景等效浓度(BEC)明显比NH3/He反应模式低。确定了以O2为反应气消除干扰测定Cd的最优分析方案。利用标准参考物质评价了方法的准确性,采用国标法(GB5009.268—2016)进行对比分析验证了方法的可靠性。结果表明,Cd的LOD为2.03~13.4 ng·L-1,标准参考物质的测定值与认定值基本一致,在95%的置信水平,对比分析结果之间无显著性差异。方法的灵敏度高,结果准确可靠,适用于大批量婴幼儿谷类辅助食品中重金属Cd的高通量测定。 相似文献
18.
单晶硅表面微结构对晶体硅光电转换性能有非常重要的影响, 晶体硅表面微结构的调节技术一直是半导体、 太阳能电池领域研究的热点之一.利用碱液与单晶硅异向腐蚀特性的刻蚀技术, 在单晶硅表面可以获得布满金字塔的绒面, 但普通碱液刻蚀的绒面, 其金字塔大小、 形貌和分布随机性大, 不利于提高硅太阳电池的转换效率.在普通的碱腐蚀液中加入不同量的特种添加剂, 然后在相同的温度、 时间下刻蚀单晶硅表面, 通过观察样品表面SEM图, 发现在普通碱液中加入适量添加剂后刻蚀的单晶硅表面能形成均匀密集分布金字塔, 金字塔大小在2 相似文献
19.
多晶硅不同晶面陷阱坑形貌与陷光效应的关系 总被引:1,自引:0,他引:1
提出了多晶硅表面陷阱坑内表面高次绒面的陷光模型。利用测不准原理,分析了光子散射方向与绒面上凸点大小的关系,利用光学傅里叶变换推导了光子逃逸陷阱坑概率与绒面陷阱坑形貌的关系。理论分析结果表明内表面布满凹凸点的U字形陷阱坑反射率比V字形的低;而内表面光滑的U字形陷阱坑的反射率比V字形的高。利用扫描电子显微镜拍摄了碱液刻蚀的多晶硅样品表面图像,分析了碱液刻蚀的不同晶面陷阱坑的形貌。[100]晶面呈峡谷状的陷阱坑,[111]晶面呈扭曲的U字形凹坑,[110]晶面则显示混合结构。实验测量了样品不同晶面的反射率曲线,证实了U字形陷阱坑的绒面具有相对低的反射率,与理论分析结果基本吻合。 相似文献
20.
该文对FitzHugh Nagumo方程初边值问题用有限差分格式离散空间变量,证明了离散模型整体吸引子的存在性,并给出了与犿无关的Hausdorff维数和Fractal维数上界估计。 相似文献