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水冷陶瓷包层是中国聚变工程实验堆(CFETR)的三种候选包层概念之一。基于CFETR水冷陶瓷包层的一维中子学模型,通过蒙特卡罗输运模拟程序MCNP和活化计算程序FISPACT的耦合计算,经三维转换系数修正,分析了CFETR水冷陶瓷包层时间相关产氚特性。结果表明,当CFETR运行因子为0.5,聚变功率为200MW时,水冷陶瓷包层在运行5年、10年、20年后,氚增殖率(TBR)的降低都不显著,但是年产氚剩余量的降低很明显。此外,产氚包层内初始时刻TBR对产氚特性的影响也很大。 相似文献
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在信息安全中,用户被视为信息安全的"薄弱环节"。攻击者在用户端系统不断升级软件、安全加固的情况下,仍能充分利用用户的脆弱性,使用户在攻击策略的误导下泄露密码,打开恶意邮件附件或是访问恶意网站,即使是最健壮的系统安全防护机制对此也束手无策。为深入研究这种攻击,本文提出"信息欺骗攻击"的概念,即攻击者操纵用户与桌面及移动端的交互接口,欺骗用户以建立虚假信任,误导用户操作以绕过防御技术,最终危害个人和组织的安全。从信息欺骗攻击的基本模型出发,介绍了社交网络欺骗、网站欺骗、应用欺骗、邮件欺骗4类攻击场景的攻击特征,并揭示了特定场景的攻击与用户交互模式的密切关系;分析了面向不同欺骗场景的威胁抑制机制,总结了其针对不同攻击特征的防御作用。现有威胁抑制方法无法突破用户感知的信息局部性、不对称性以及场景的封闭性。为此,希望从攻击案例数据出发,评估用户交互操作的风险,构建面向特定场景的信息欺骗威胁抑制机制,抑制攻击。 相似文献
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采用多物理场计算程序COMSOL Multiphysics,构建了一维氚输运有限单元模型,并与文献中氢同位素在钨中的滞留实验数据进行模拟验证。基于经过校验的一维模型,并考虑Soret效应,对中国聚变工程实验堆(CFETR)水冷包层第一壁进行了二维氚分析计算。模拟结果表明,氚在单个典型包层第一壁中的总滞留量为0.12mg,进入冷却剂中的总渗透量为0.12mg•yr-1。若不考虑Soret效应,氚在RAFM钢中的滞留量将增加8.80%,渗透到冷却剂的量增加65.97%。由此可见,Soret效应对于氚的渗透和滞留具有显著的意义。 相似文献
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在使用基于高频开关变换充电技术的充电机对脉冲电源充电时,由于充电回路中分布电感的存在,在高频电流充电过程中,会在充电机T型保护回路两端产生高于充电电压的过电压,存在损坏T型保护回路半导体功率器件的风险;为解决此问题建立充电机及脉冲电源回路仿真模型,通过仿真分析得到充电回路分布感变化对T型保护回路影响的初步规律,然后通过实验进一步验证该规律。为了减少充电回路分布电感对T型保护回路影响,针对性地提出了减少充电回路的分布电感解决方案,主要方法是改变输出线缆类型、长度等措施,并通过仿真与实验来验证该方案的有效性,为脉冲电源工程化应用提供可靠的参考依据。 相似文献
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本文采用分子束外延技术在具有6°斜切角的c面蓝宝石衬底上外延β-Ga2O3薄膜,系统研究了生长气压对薄膜特性的影响。X射线衍射谱和表面形貌分析表明,不同生长气压下所外延的薄膜表面平整,均具有(201)择优取向。并且,其结晶质量和生长速率均随生长气压增大而逐渐提高。通过X射线光电子能谱分析发现,生长气压增大使得氧空位的浓度大幅下降,高价态Ga比例增大,最终使得O/Ga原子数之比接近理想Ga2O3材料的化学计量比值。利用Tauc公式和乌尔巴赫带尾模型进行计算,结果表明随着生长气压的增大,样品的光学带隙由4.94 eV增加到5.00 eV,乌尔巴赫能量由0.47 eV下降到0.32 eV,证明了生长气压的增大有利于降低薄膜中的缺陷密度,提高薄膜晶体质量。 相似文献
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金属材料的断裂测试实验是全面了解材料力学性能的重要一环,目前实验教学中广泛采用的方法是通过测定断裂后试样断口的特征裂纹长度来获得断裂韧度,但缺乏对裂纹演化全过程的直接观测,限制了学生对断裂指标判据、破坏形式和断裂机理的深入理解。为了使学生更加直观、全面地掌握断裂力学实验、理解断裂力学行为,本文提出一种多场耦合同步测试材料断裂行为的教学模式:通过高频高精度红外与高速显微数字图像相关技术,对裂尖温度场与应变场进行实时检测,从而实现对裂纹长度的同步测定、裂尖塑性区的可视化表征以及断裂特征的捕捉和分析;结合经典断裂力学理论,对不同条件的断裂韧度教学实验进行了探索和改进。初步教学实践表明,该课程丰富的实验内容和新颖的观测现象可以加深学生对断裂力学理论的理解,从而拓展学生解决实际科学问题的思路。 相似文献
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在高精度视向速度测量系统中,圆形光纤逐渐被多边形光纤替代,结合多边形光纤、透镜和圆形光纤的扰模方案也被陆续提出。通过光线追迹的方法,对圆形、八边形截面的两种光纤以及基于这两种光纤的双光纤扰模器的扰模性能进行了模拟分析。模拟结果表明:虽然圆形光纤有较好的远、近场角向扰模,但是径向扰模效果不佳;八边形光纤的近场径向和角向扰模性能均较优,但远场扰模与圆形光纤没有明显差异;双光纤扰模器能有效提高光纤扰模性能,而使用了八边形光纤的双光纤扰模器的远、近场扰模性能均较优。 相似文献