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71.
以蒸馏水中的糖原悬浮液为参照物,测定了胭脂红酸的荧光发射寿命,τ=0.093±0.010ns.研究了OH-和I-对胭脂红酸荧光的猝灭,后者遵守Stern-Volmer方程,其猝灭常数KQ=1.27±0.09L·mol ̄(-1),前者则不是遵守此方程的简单荧光猝灭,这可能是由于胭脂红酸中酚基的存在降低了最低激发态能量的原因。 相似文献
72.
结合火箭模型和雪耙模型,建立了完整自洽的丝阵Z箍缩消融-内爆模型,分析了消融等离子体对丝阵Z箍缩内爆动力学的影响,得到了比零维薄壳模型合理的内爆轨迹。在考虑消融等离子体向轴运动的情况下,计算了丝阵Z箍缩的内爆时间、内爆速度和动能,并且与零维薄壳模型进行了对比。结果表明,考虑消融等离子体运动得到的内爆动能低于零维薄壳模型计算结果,其内爆动能最大值所对应的负载线质量也低于薄壳模型。 相似文献
73.
74.
研究了掺杂CdS纳米粒子的有机聚合物体系的光折变效应,体系中以CdS纳米粒子为光敏剂,聚乙烯咔唑(PVK)为载流子输运剂,4-(4-硝基苯偶氮)苯胺染料(DO3)为非线性生色团,9-乙基咔唑(ECZ)为增塑剂。反胶束法合成的CdS胶束颗粒采用紫外可见吸收光谱和透射电子显微镜(TEM)表征,结果表明,具有纳米尺寸和量子限制效应。研究了PVK-CdS薄膜的光电导特性,实验结果表明,CdS纳米粒子与PVK之间的电荷转移可以有效的提高PVK的光电导率。双光束耦合实验证明了该体系的光折变特性,在无外加电场下,获得二波耦合增益系数78.4 cm-1,分析表明聚合物薄膜具有强的光致取向增强效应;样品在两相干光束作用下,可建立折射率光栅,其衍射效率达到4.4%。 相似文献
75.
电解液添加剂能有效缓解锌金属阳极的不可控枝晶生长和固有副反应,大幅提升锌金属阳极的循环稳定性和可逆性,对水系锌离子电池的发展和商业化应用具有重要意义。本文通过对近期水系锌离子电池电解液添加剂的研究进展进行了系统总结和分析,简要介绍了锌金属阳极目前面临的主要挑战及其相关机理,重点阐述了电解液添加剂对锌金属阳极界面的作用机制,包括改变溶剂化结构、调节沉积方式、构筑界面保护层。此外,还对不同类型电解液添加剂进行了分类讨论,包括离子添加剂、无机添加剂和有机添加剂。最后,我们进一步对电解液添加剂策略在提升水系锌离子电池电化学性能中存在的科学问题和未来的研究方向进行了总结与展望。 相似文献
76.
本文章综述了电催化领域电化学阻抗谱(EIS)的相关研究. 首先概述了从二十世纪初到现在这一专业领域的发展历史. 然后介绍了电催化阻抗理论的几个里程碑. 其中,着重介绍了目前分析电催化EIS数据的主流模型——Dolin-Ershler模型. 之后,具体讨论了铂金单晶的双电层电容,特别是围绕这一基础课题的实验和理论上的挑战. 我们质疑采用Dolin-Ershler模型获取稀溶液中双电层电容的合理性. 因为在稀溶液中,双电层效应使得双电层电容具有频散特性,因而双电层电容的低频部分在分析过程中可能被遗失了. 未来,我们期待看到新的实验去证明或反驳一个最近的理论预测,即铂电极在氧化物生成电位区域中具有非单调表面电荷关系和负双电层电容. 相似文献
77.
78.
AlN films grown on sputter-deposited and annealed AlN buffer layer by high temperature hydride vapor phase epitaxy(HVPE)have been fabricated and structurally characterized.The crystalline quality and surface morphology of as-grown AlN films with various V/III ratios were studied and compared.The XRD results showed that the crystalline quality of the AlN film could be optimized when the growth V/III ratio was 150.At the same time,the full width at half-maximum(FWHM)values of(0002)-and(10ˉ12)-plane were 64 arcsec and 648 arcsec,respectively.As revealed by AFM,the AlN films grown with higher V/III ratios of 150 and 300 exhibited apparent hillock-like surface structure due to the low density of screw threading dislocation(TD).The defects microstructure and strain field around the HVPE-AlN/sputtered-AlN/sapphire interfaces have been investigated by transmission electron microscopy(TEM)technique combined with geometric phase analysis(GPA).It was found that the screw TDs within AlN films intend to turn into loops or half-loops after originating from the AlN/sapphire interface,while the edge ones would bend first and then reacted with others within a region of 400 nm above the interface.Consequently,part of the edge TDs propagated to the surface vertically.The GPA analysis indicated that the voids extending from sapphire to HVPE-AlN layer were beneficial to relax the interfacial strain of the best quality AlN film grown with a V/III ratio of 150. 相似文献
79.
短碳纤维局部增强混凝土疲劳性能实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对局部增强短碳纤维混凝土进行三点弯曲疲劳试验,发现相同试件在不同应力水平下的疲劳寿命符合两参数威布尔分布,并由此建立考虑失效概率和高低应力比的局部增强短碳纤维混凝土双对数疲劳方程.在工程应用中可以根据实际情况确定失效概率,运用线性插值得到相应回归系数,求得双对数疲劳方程.通过比较相同应力水平下短碳纤维局部增强试件和素混凝土试件的试验结果,发现仅对混凝土进行低掺量的局部增强就可以成倍地提高混凝土的疲劳寿命.上述结果对混凝土路面工程或一些有特殊要求工程的设计有参考意义. 相似文献
80.