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Doping in the Mixed Layer to Achieve High Brightness and Efficiency Organic Light Emitting Devices 总被引:1,自引:0,他引:1
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Doping in the mixed layer was introduced to fabricate high brightness and high efficiency organic light emitting devices.In these devices,a copper phthalocyanine(CuPc) film acts as the buffer layer,a naphthylphenybiphenyl amine (NPB) film as the hole transport layer and a tris(8-hydroxyquinolinolate) aluminium (Alq3) film as the electron transport layer.The luminescent layer consists of the mixture of NPB,Alq3( to be called the mixed layer),and an emitting dopant 5,6,11,12-petraphenylnaphthacene (rubrene),where the concentration of NPB declined and the concentration of Alq3 was increased gradually in the deposition process.Adopting this doping mixed layer,the device exhibits the maximum emission of 49300cd/m^2 at 35V and the maximum efficiency of 7.96cd/A at 10.5V,which have been improved by two times in comparison with conventional doped devices.We attribute this improvement to the effective confinement of carriers in the mixed layer,which leads to the increase of the recombination efficiency of carriers. 相似文献
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有机-无机复合质子交换膜的制备与界面特性 总被引:3,自引:0,他引:3
有机-无机复合质子交换膜的开发是燃料电池用质子交换膜的一个重要研究方向,本文综述了有机-无机复合质子交换膜的制备方法,分析了两相之间的界面特性,并对这种复合膜的研究前景进行了展望. 相似文献
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一种白光有机电致发光器件的制备 总被引:11,自引:4,他引:7
通过对器件结构的优化设计,提高了白光电致发光器件中蓝光成分的发光效率,从而得到了一种较为理想的有机白光电致发光器件。驱动电压为5V时,电流密度J=0.5mA/cm^2,器件的效率达到最大,流明效率为1.92 lm/W,此时器件的发光亮度接近20cd/m^2。色坐标为(x=O.317,y=0.328)。非常接近白光等能点.是色度很好的白光。并且在很大范围内,色度随器件的驱动电压或电流变化不大,当驱动电压变化至15V时。f=232mA/cm^2,色坐标变化至(x=0.338,y=O.353)。在电压为22V时,器件的亮度达到最大,为17 000cd/m^2。此外器件结构相对简单。器件制备的可重复性得到很大程度的改善。 相似文献
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具有手性碳原子的化合物的R/S构型,是通过三度空间的表示方法即透视法来表示的。这种式子直观,容易确定基团的排列和走向,但写起来却较麻烦,对于结构比较复杂的分子,不但书写起来困难;而且在没有模型时难以确定构型,所以一般多采用比较简便的投影式。投影式是用平面式来代表三度空间结构的。方法是划一个十字来代表手性碳原子,两 相似文献
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图象间的逻辑关系可以提供二图象间很多有用的信息.用光学方法进行逻辑运算又具有平行处理的特性,所以图象的光逻辑运算日益成为光信息处理的重要课题. 一、原 理 两个二元图象(灰度等级只有两个,不是黑就是白,通常以0和1表示)的组合可有四种情况,而每种情况有0,1 两种可能,因此共有24=16种可能的逻辑关系(见表1).这些逻辑关系可归纳成“与”(AND),“或”(OR),“非”(NOT),“等价”(EQU),“蕴合”(IMP),“异或”(XOR)六种逻辑关系.正如一般逻辑教科书中指出的“与”,“或”,“非”为基本的逻辑关系,其它三种逻辑关系可由“与”,“或… 相似文献
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GaAs/GaAlAs多量子阱反射型光调制器及自电光效应器件 总被引:1,自引:0,他引:1
采用分子束外延技术生长含有大周期数的GaAs/GaAlAs多量子阶(MQW)及分布布喇格反射器(DBR)的PIN结构器件。研究了量子限制斯塔克效应(QCSE),分布布喇格反射及非对称腔模(ASFP)效应对光的反射调制作用及这三种效应的兼容性对光调制及逻辑器件的重要影响。给出我们研制的反射型光调制器及自电光效应器件的实验结果。对于常通型及常闭型调制器,其两态衬比度可达10dB.所研制的SEED器件,其导通光能耗低于10fJ/(μm)2,实现其光学双稳态及R-S光触发器工作。 相似文献
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