螺二芴基可溶性共聚物的合成及发光性能

以9,9'-螺二芴和不同链长的二烷氧基苯为单体, 以FeCl3为催化剂, 采用化学氧化法合成了一系列聚合物发光材料. 溶解度测试表明, 共聚物在二氯甲烷、四氢呋喃(THF)、氯仿等极性溶剂中具有良好的溶解性. 利用核磁共振氢谱(1H NMR)、傅里叶变换红外(FT-IR)光谱、紫外-可见(UV-Vis)光谱和荧光(PL)光谱研究了共聚物的化学结构和发光性能, 结果表明共聚物在二甲基亚砜(DMSO)中均发射蓝色荧光, 最大吸收和荧光发射峰分别为356和413 nm. 以硫酸奎宁溶液作为参比, 测得共聚物的荧光量子效率为0.69至0.77. 通过循环伏安法(CV)测得所合成的三种共聚物的最高占有分子轨道(HOMO)能级均位于-5.85至-5.69 eV之间.     

液相沉淀法制备稀土-锆固溶体及其性能研究

采用液相沉淀法制备了Ce0.6Zr0.3La0.05Y0.05O2固溶体。通过BET,XRD,SEM,程序升温还原和氧脉冲吸附等方法对合成产品性能进行了表征。研究了前驱体的形态、高温水热处理、表面处理以及后期固溶体的还原处理对固溶体性能的影响。其中前驱体的高温水热处理和固溶体的还原处理对固溶体的催化性能有很大的影响。200℃水热处理制得的固溶体经1000℃老化4 h后,比表面积为25.3 m2.g-1,孔容为0.21 cm3.g-1,经800℃还原处理3 h后储氧量为478.3μmol.g-1,显示了较高的比表面积和储氧能力的高温稳定性。     

CO和H在Pt/WC(0001)表面的吸附

采用密度泛函理论(DFT)和周期平板模型,研究两种WC(0001)表面的几何结构和表面能,并对Pt原子单层(PtML)在两种WC(0001)表面的高对称性吸附位上的吸附能和分离功进行计算.结果发现,终止于W原子的WC(0001)为最稳定的WC(0001)表面,Pt原子单层以hcp位的方式吸附于W终止的WC(0001)表面是PtML/WC(0001)体系最稳定的几何构型.在此基础上研究了CO分子和H原子分别在PtML/WC(0001)表面和具有相似表面结构的Pt(111)表面的吸附行为.在0.25 ML(monolayer)低覆盖度下,与在Pt(111)表面相比,在PtML/WC(0001)表面上的Pt—C间距明显拉长和CO分子吸附能减少,说明PtML/WC(0001)表面抗CO中毒能力比Pt(111)表面高;态密度分析进一步解释了CO分子与不同表面Pt原子的成键机理.在同一覆盖度下,H原子在PtML/WC(0001)表面的最大吸附能等于甚至略高于在Pt(111)表面的,表明Pt/WC对氢气氧化反应具有良好的催化活性,是一种很有前途的质子交换膜燃料电池(PEMFC)阳极催化剂.     

同位镀铋膜电极测定爆米花中的痕量铅

采用同位镀铋膜法修饰铂电极,用差分脉冲溶出伏安法对爆米花中痕置铅进行了测定,并优化了实验条件.在优化的实验条件下,分别对2.0×10<'8>-6.0×10<'-7>mol/L和6.0×10<'-7>-1.0×10<'-4>mol/L的pb<'2+>进行了测定,Pb<'2+>溶出峰电流与Pb<'2+>浓度呈良好的线性关系...     

白光LED用蓝绿色荧光粉Sr1-xBax Al2O4:Eu2+的发光性质

采用高温固相法在还原气氛中合成Sr1-xBaxAl2 O4:Eu2+荧光材料.XRD显示,当钡掺杂量x＜0.4时,对应样品主要为单斜SrAl2 O4晶体结构;当x≥0.4时,对应样品主要为简单六方BaAl2 O4晶体结构.在360nn激发下,样品的发射光谱随x的增加由单一的绿光发射(λmax=516nm)逐渐转变为蓝绿...     

采用高分辨电镜分析Cu掺杂聚-4-甲基-1-戊烯泡沫材料采用高分辨电镜分析Cu掺杂聚-4-甲基-1-戊烯泡沫材料

利用物理掺杂的方法,制备了铜掺杂聚-4-甲基-1-戊烯(PMP)低密度泡沫材料,采用高分辨扫描电子显微镜和透射电子显微镜,分析了泡沫材料的微观结构、成分及微区成分分布。结果表明:与PMP泡沫相比,铜掺杂PMP泡沫的孔洞直径和网络骨架尺寸变大;铜颗粒镶嵌在PMP泡沫的有机骨架上且有团聚现象;泡沫材料中除碳、铜外,还残留有杂质元素氧;铜颗粒被PMP泡沫包裹,与碳网络骨架之间接触紧密。     

Growth of gem-grade nitrogen-doped diamond crystals heavily doped with the addition of Ba（N3）2

Additive Ba(N 3) 2 as a source of nitrogen is heavily doped into the graphite-Fe-based alloy system to grow nitrogendoped diamond crystals under a relatively high pressure (about 6.0 GPa) by employing the temperature gradient method.Gem-grade diamond crystal with a size of around 5 mm and a nitrogen concentration of about 1173 ppm is successfully synthesised for the first time under high pressure and high temperature in a China-type cubic anvil highpressure apparatus.The growth habit of diamond crystal under the environment with high degree of nitrogen doping is investigated.It is found that the morphologies of heavily nitrogen-doped diamond crystals are all of octahedral shape dominated by {111} facets.The effects of temperature and duration on nitrogen concentration and form are explored by infrared absorption spectra.The results indicate that nitrogen impurity is present in diamond predominantly in the dispersed form accompanied by aggregated form,and the aggregated nitrogen concentration in diamond increases with temperature and duration.In addition,it is indicated that nitrogen donors are more easily incorporated into growing crystals at higher temperature.Strains in nitrogen-doped diamond crystal are characterized by micro-Raman spectroscopy.Measurement results demonstrate that the undoped diamond crystals exhibit the compressive stress,whereas diamond crystals heavily doped with the addition of Ba(N 3) 2 display the tensile stress.     

应变Si/(001)Si1-xGex电子迁移率

依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si_1-xGe_x的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ₂能谷;低掺杂时,锗组分为0.4的应变Si电子迁移率与体硅相比增加约64%;对于张应变Si NMOS器件,从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道.选择相应的参数,该方 关键词： 电子谷间占有率 散射模型 锗组分 电子迁移率     

单轴〈111〉应力硅价带结构计算

基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构, 并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较. 给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况. 计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致. 拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考. 关键词： 单轴应力硅 k·p法')" href="#">k·p法 价带结构     

反应显微成像谱仪动量及能量分辨因素分析

在对反应显微成像谱仪的工作原理作简要介绍的基础上,全面分析了各种可能影响动量分辨的因素,并结合反应显微成像谱仪的技术参数分别对反冲离子动量分辨以及电子动量与能量分辨进行了详细计算和讨论,确定了反应显微成像谱仪的动量及能量分辨,并为进一步提高分辨提供了重要依据. 关键词： 动量分辨 能量分辨 反应显微成像谱仪 动量成像原理