统计学在理化检验中的应用：第三讲 平均值,中位值及其不确定度

当对一个量进行测量时,得到一组实验结果,为了表述的方便,将这组结果按由小到大的顺序重新排列,表示成如下形式x_1,x_2,…,x_n(其中:x_1≤x_2≤…≤x_n)以下列出测定某样品中铜含量结果[w(Cu)%]     

正丁醇在N,N-二甲基甲酰胺+水溶液中的体积性质

测定了２９８。１５Ｋ时正丁醇＋Ｎ，Ｎ－二甲诺甲酰胺（ＤＭＦ）＋水三元系的密度求出正丁醇在ＤＭＦ＋水混合溶剂中的表观摩尔体积。观察２到：⑴Φ＾０．Ｅ～ｆｍ与ＶＤＭＦ＾Ｅ～ｆｍ之间存在相似变化关系，其中Φ２＾０．Ｅ为正丁醇的过量无限稀释表观摩尔体积，ＶＥＭＦ＾Ｅ为ＤＭＦ＋水二元系中ＤＭＦ的过量偏摩尔体积，ｆｍ为混合溶剂中ＤＭＦ的摩尔分数。⑵Ｂ１～ｆｍ与０６２１２＾０．Ｅ～ｆｍ之间存的反向变化关系。Ｂ１     

广义活度与广义活度系数：兼论aa^h=as1^h1as2^h2基本假设

本文提出了广义活度与广义活度系数概念，建立了它们与电解质活系数之间的关系及有关表达式，并据此对ａｓ＾ｋ＝ａｓ１＾ｈ１ａｓ２＾ｋ２基本假设作了理论解释。这对溶剂化作用的研究及有关的理论处理具有重要意义。     

钌、铑金属配合物在DNA中介的电子传递与错配碱基识别中的应用

化学家设计合成了一系列能通过插入方式与DNA结合的金属配合物,应用于研究有关以DNA为中介的电子传递,发现碱基对不仅是电子传递的媒介,而且自身能作为电子受体,形成长程氧化损坏.本文总结了近年来该领域的研究进展,同时也介绍了金属配合物对错配碱基识别的研究成果.     

结构参数对高温超导绕组线圈磁化损耗影响分析

为了研究高温超导电力设备的绕组密度对其磁化损耗的影响,优化绕组线圈结构,减小交流损耗。利用有限元仿真软件,建立了多匝双根单饼线圈绕组的二维轴对称模型。在外加交变磁场条件下,分别改变超导绕组线圈匝数、匝间间距,分析磁化损耗的变化规律。结果表明,线圈间存在屏蔽作用,在一定范围内,超导线圈匝数越多,磁化损耗越小,匝间间距与超导线圈的磁化损耗正相关。     

北海市场地地震工程地质环境特征和地震设防区划

本文以地处南流江冲积成因为主的古滨海平原的地貌、松散沉积物及其工程地质特性、场地土、场地类别、场地周期等环境特点为基础, 对北海市进行了地震设防区划。将北海市划分为残丘区、台地区和阶地海滩区三个地质地貌单元和相应的三个地震设防分区, 每个地震设防区给出相应的地震影响系数。文中还对场地地震地质灾害进行了评估和预测。     

Cd(Ⅱ)/Zn(Ⅱ)与三(2-巯吡啶基)甲烷配合物的合成、表征及配合物中C-S键的断裂机理

以三(2-巯吡啶基)甲烷(L)为配体合成了2个Cd(Ⅱ)和Zn(Ⅱ)的配合物:Cd(L)₄(NO₃)₂和Zn(L)₄(ClO₄)₂,发现在配合物中配体的C-S键发生了断裂,通过紫外、质谱手段研究并预测了其反应机理。单晶X-射线衍射的结果显示,配合物1和2中金属原子均处于扭曲的四面体配位环境中,分子间π-π堆积作用将配合物1的分子结构延伸为二维网状结构。     

CRITICAL EXTINCTION EXPONENTS FOR POLYTROPIC FILTRATION EQUATIONS WITH NONLOCAL SOURCE AND ABSORPTION

In this article,by applying the super-solution and sub-solution methods,instead of energy estimate methods,the authors investigate the critical extinction exponents for a polytropic filtration equation with a nonlocal source and an absorption term,and give a classification of the exponents and coefficients for the solutions to vanish in finite time or not,which improve one of our results(Applicable Analysis,92(2013),636-650) and the results of Zheng et al(Math.Meth.Appl.Sci.,36(2013),730-743).     

Fe304@C/Pt复合纳米粒子的原位合成及其催化性质的研究

采用水热方法分别合成了Fe304磁性内核以及Fe3O4@C粒子.并原位合成了Fe3O4@C/Pt复合纳米结构,采用SEM,TEM红外光谱,Raman光谱等手段进行了相关表征.研究了纯Pt纳米粒子以及Fe3O4@C/Pt复合纳米结构催化硼氢化钠(NaBH4)还原对硝基苯酚(4-NP)的反应活性,并利用外加磁场富集的方式对...     

低温InGaAs/InAlAs多量子阱的分子束外延生长与表征

采用气源分子束外延(GSMBE)生长了低温InGaAs材料,研究了生长温度及As压对InGaAs材料性质的影响,得到优化的生长条件为：生长温度为300 ℃、As压为77.3 kPa。通过Be掺杂,并采用In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As多量子阱结构,将材料的方块电阻提高到1.632106 /Sq,载流子数密度降低至1.0581014 cm-3。X射线衍射结果表明：InGaAs多量子阱材料具有较高的晶体质量。这种Be掺杂InGaAs多量子阱材料缺陷密度大且电阻率高,是制作太赫兹光电导天线较理想的基质材料。收稿日期:; 修订日期: