聚丙烯微孔膜表面的等离子体接枝

通过氢气氛等离子体处理，在聚丙烯微孔膜表面接枝了聚丙烯酸，改善了膜表面的亲水性。接枝率与等离子体放电功率、放电时间和溶液浓度有关，微孔膜内外表面及不同位置接枝效率有差别。接枝后微也膜的表面孔径减少了。     

基于物元分析与熵值法的创新团队成员胜任特征评价

创新团队胜任特征是一个具有多层级指标的概念,目前关于胜任特征的评价都只关注综合得分,忽略了胜任特征的多层次性,不能对每个维度层级上被评价人员的胜任特征进行判断,因此无法对团队成员进行优化配置,制约了人力资源管理部门对其成员进行有效选拔、培训和考核.并且,在评价指标权重的确定上容易受到主观性的影响.将物元分析与熵值法结合对创新团队成员的胜任特征进行评价,不仅能从整体对团队成员的胜任特征做出评价,还能对同一等级不同维度的胜任特征进行比较.首先,构建创新团队成员五个胜任特征维度,建立评价成员胜任特征的物元模型;其次,采用熵值法确定了胜任特征维度的权重;最后,通过对装备制造行业某公司7名创新团队成员进行实例分析,验证了评价模型具有较好的实用性.     

線代数学的基本概念

对於所謂“初等”数学来說,还保存着来自希腊科学的,一方面是代数方法而另一方面又是直观的几何概念的这种彼此分裂的特征。誠然,在解几何問題时常常要用到某些代数方法,但是在初等数学中,沒有把几何問題归結为代数問題的一般方法,同样也沒有对代数公式和代数关系式作几何解釋的一般方法。这样的一般方法中最簡單的是在空間中引入坐标系。这就使我們有可能在空間中的每一个点与三个实数x,y,z的数組之間建立起对应,与量x,y,z有关的每一个方程可以解釋为空間中的某一个面等等。这样一来,坐标法首先使我們能按照完全确定的法則,系統地利用代数以解决几何問題,分类和討論各种不同的几何形象(曲線,曲面等),其次使我們有可能按照非常一般的法則,对各种不同的代数关系式作几何解釋,例如,任何一个線性方程     

氧化去污法在纸质档案修复中的应用实验教学设计

为加深学生对氧化去污法在纸质档案修复中应用的基础理论的理解，调动学生学习档案保护实验的积极性和主动性，提高学生的动手能力和实验创新能力。基于传统纸质文物去污技术设计了实验，探索了氧化去污法对纸质档案影响的实验教学效果。该教学设计不同于现有参考教材中氧化去污法的实验教学设计，而是采用去污与脱酸加固相结合，在达到纸质档案去污的同时，兼能实现脱酸与加固；去污效果的评价关注去污法对档案纸张和字迹的综合影响，是研究性教学在档案保护技术实验课程中的体现。结果显示，学生普遍反映在强化相关基本理论知识的同时，也初步掌握了实验操作技术和数据分析方法。     

油酰吗啉溶剂体系中银铟硒纳米颗粒的形貌可控合成

以绿色环保的油酰吗啉作为硒粉的溶剂,油胺作为表面包覆剂,通过简单的液相法制备了银铟硒纳米颗粒。X射线衍射和透射电子显微镜分析测试显示AgInSe2纳米颗粒属于四方黄铜矿相结构,粒径约为16 nm的六角盘状纳米晶。紫外可见光谱分析表明所制备的AgInSe2纳米颗粒禁带宽度约为1.22 eV。考察了反应时间对AgInSe2纳米颗粒尺寸的影响,发现颗粒的尺寸随着反应时间的延长而逐渐变大。对AgInSe2纳米颗粒的生长机制进行了初步探讨,油胺的选择性吸附及材料的晶体结构被认为是决定纳米颗粒形貌的主要因素。     

薄透镜焦距测量方法的研究

传统的焦距测量方法由于人眼分辨率的局限性,光屏在一段区间内移动时,物像都很清晰,难以准确判物距,测量精度不高.对传统的测量方法进行改进,采用测微目镜做像屏,1/10mm分划板作为物体,利用消视差技术判断最佳成像的位置,提高了测量精度.     

利用锁定放大器测量低电阻和高电阻

利用锁定放大器能够测量湮没在噪声中的信号的特点,采用低频交流伏安法,在0.5Vrms和0.5mArms条件下,实现了对几十mΩ级低电阻和数百MΩ级高电阻的测量,测量误差在1%左右。     

The determination of the x value in doped Hg1-xCdxTe by transmission spectra

Variable-temperature transmission/absorption spectra are measured on As-doped Hg_1-xCd_xTe grown by molecular beam epitaxy. The nonlinear temperature-dependent shift of the absorption edge is also observed, which is similar to our previous report on V_textrmHg (unintentionally)-doped HgCdTe. By referring to the empirical formulas of E_g(x, T), the x value of the epilayer is calculated and its inconsistency between the extreme temperatures (e.g. 10 and 300 K) is discussed. The results confirm the assumption of the effect of shallow levels on the shift of the absorption edge, and suggest that the x value (or E_g) in intrinsic/extrinsic-doped HgCdTe should be determined by referring to as low a temperature as possible (e.g. 10 K), and not the commonly used temperatures of 77 or 300 K, when the transmission spectrum should be employed. This can give brief guidelines for fabricating HgCdTe-related devices.     

The determination of the x value in doped Hg1-xCdxTe by transmission spectra

Variable-temperature transmission/absorption spectra are measured on As-doped Hg 1 x Cd x Te grown by molecular beam epitaxy.The nonlinear temperature-dependent shift of the absorption edge is also observed,which is similar to our previous report on V Hg (unintentionally)-doped HgCdTe.By referring to the empirical formulas of E g (x,T),the x value of the epilayer is calculated and its inconsistency between the extreme temperatures (e.g.10 and 300 K) is discussed.The results confirm the assumption of the effect of shallow levels on the shift of the absorption edge,and suggest that the x value (or E g) in intrinsic/extrinsic-doped HgCdTe should be determined by referring to as low a temperature as possible (e.g.10 K),and not the commonly used temperatures of 77 or 300 K,when the transmission spectrum should be employed.This can give brief guidelines for fabricating HgCdTe-related devices.