Spin Interference in Rectangle Loop Based on Rashba and Dresselhaus Spin-Orbit Interactions

We demonstrate the amplitude and spin polarization of AAS oscillation changing with Rashba spin-orbit interaction （SOI） and Dresselhaus SOI. The amplitude and spin polarization of AB oscillation changing with Rashba SOI and Dresselhaus SOI are demonstrated as well. The ideal quasi-one-dimensional square loop does not exist in reality, therefore to match the experiment better we should consider the shape of the rectangle loop in theory.     

形状记忆合金单晶细观本构关系的一种相变动力学模型及算法

形状记忆合金是由马氏体相和奥氏体相组成的非均质材料,热力载荷及相变不可避免地在材料中引起残余微应力场,它与外界驱动力的叠加可能导致低应力水平下发生马氏体相变或逆相变.论文假设马氏体相变及逆相变的驱动力是马氏体体积分数的连续函数,发展了形状记忆合金伪弹性的本构描述及相应的数值分析方法.分析表明,所发展的方法与理想相变模型间的误差远小于已有工作中引入的容许误差.对形状记忆合金单晶伪弹性响应的计算结果与试验结果或已有模型计算结果的比较表明所发展的方法具有较高的精度.此外,所发展的方法具有明晰的物理背景,且无需对每个变体的相变发生与否及其方向进行判断,简化了计算过程,提高了计算效率和收敛性.     

高精度直流传感器DCCT标准测试系统

在北京正负电子对撞机二期改造工程(BEPCⅡ), 磁铁电源系统大量使用了电流型直流传感器(DCCT)作为电源的反馈和回采器件. 为了能够对DCCT的性能进行检测和校准, 设计研制了高精度直流传感器DCCT标准测试系统. 该测试系统主要由PC工控机、7.5数字万用表、超高精度直流传感器和高精度直流稳流电源构建而成. 论文中主要介绍了测试系统的功能和系统软、硬件结构, 并给出了测试系统在实际DCCT检测中的测量数据.     

分子动力学模拟金属玻璃板拉伸时剪切带的形成和演化过程

金属玻璃在低温高应力条件下容易生成剪切带而导致结构的破坏,大大限制了它的推广应用。本文采用分子动力学模拟研究了三种Cu64Zr36（不带缺口、一侧带缺口、两侧带缺口）金属玻璃板试样在拉伸过程中剪切带的形成和演化过程及其力学性能。结果表明：不带缺口金属玻璃板试样在低温高应力的拉伸过程中会自发出现局部剪切转变区,发生剪切局部化,继续拉伸会在与加载轴大约成45°方向上形成剪切带。剪切带的形成与剪切转变区的分布和局部化有关,带缺口比不带缺口的试样会更早出现应变局部化,即在较低的拉伸应变下便形成剪切带,其拉伸强度也相应较低。相同条件下,一侧带缺口与两侧带缺口的试样在拉伸强度上几乎相同,但两侧带缺口试样的应变局部化程度稍低,主要是两侧缺口处均出现了剪切转变区,导致其分布和局部化不够集中,这也是形成主剪切带和次剪切带的主要原因。以上结果为进一步从原子尺度理解金属玻璃剪切带的形成和演化特征提供了重要的信息。     

稀土催化降冰片烯与甲基丙烯酸特丁酯共聚研究

研究了Nd（naph）3-Al（i-Bu）3（naph=环烷酸）催化降冰片烯（NB）与甲基丙烯酸特丁酯（TBMA）共聚反应条件、催化剂用量及钕铝比影响.并用核磁共振、红外光谱法研究了共聚物的组成.结果表明：稀土催化剂在温和的反应条件下有较好的催化性能.     

Effects of microwave pulse-width damage on a bipolar transistor

This paper presents a theoretical study of the pulse-width effects on the damage process of a typical bipolar transistor caused by high power microwaves (HPMs) through the injection approach. The dependences of the microwave damage power, P, and the absorbed energy, E, required to cause the device failure on the pulse width τ are obtained in the nanosecond region by utilizing the curve fitting method. A comparison of the microwave pulse damage data and the existing dc pulse damage data for the same transistor is carried out. By means of a two-dimensional simulator, ISE-TCAD, the internal damage processes of the device caused by microwave voltage signals and dc pulse voltage signals are analyzed comparatively. The simulation results suggest that the temperature-rising positions of the device induced by the microwaves in the negative and positive half periods are different, while only one hot spot exists under the injection of dc pulses. The results demonstrate that the microwave damage power threshold and the absorbed energy must exceed the dc pulse power threshold and the absorbed energy, respectively. The dc pulse damage data may be useful as a lower bound for microwave pulse damage data.     

参数集值强向量均衡问题解的稳定性

首先在Hausdorff拓扑向量空间中给出集值强向量均衡问题解的存在性定理,接着举例说明了集值强向量均衡问题解的存在性。而后在Hausdorff拓扑向量空间中给出了参数集值强向量均衡问题解映射的上半连续性的充分条件,最后,在赋范线性空间中给出了参数集值强向量均衡问题解映射的下     

基于Seneff听觉谱特征的汉语连续语音声韵母边界检测

提出了一种基于声韵母能量分布和共振峰结构特性的汉语连续语音声韵母边界检测方法。该方法首先将语音经过Seneff听觉感知模型得到听觉谱,然后基于听觉谱,选取全频带能量、低频带能量、谱重心、高低频能量比、中高频能量等特征参数对各声韵母类别能量分布和共振峰结构特性进行描述,最后根据特征参数变化剧烈的点确定出声韵母边界,并采用包络的一阶差分和基于样点的Kullback-Leibler距离对得到的边界进行修正。实验结果表明,对8 kHz采样的语音边界检测准确率可达到93.7%;信噪比10dB的语音边界检测准确率可达到85.3%以上;经过参数编码后语音边界检测准确率可达86 7%以上。      

Wiener过程增量的几个结果

许多作者讨论了Wiener过程的增量问题,Hanson和Russo在他们的文章中提出一类新的Wiener过程增量,新得结果几乎均局限于上极限,本文的研究得到了下极限的一些结果。在此基础上,还讨论了中的另一类结论,得到了一些较理想的结果。