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火焰原子吸收光谱法间接测定碘:NCP—Cu(Ⅱ)—I^—反应体系 总被引:6,自引:0,他引:6
应用NCP-Cu(Ⅱ)-I~-反应体系,采用火焰原子吸收测定与碘定量反应的铜,从而间接测定碘。对反应体系的显色剂和还原剂用量、pH、稳定时间做了选择试验。方法相对标准偏差<3%,回收率93%~110%。线性范围0~5.0μg·ml~(-1),用于生物试样(海带、紫菜)和药品(西地碘片)中碘的测定,结果满意。 相似文献
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求二面角大小一直是高考的一个热点,其中“无棱”二面角问题,可以利用面积射影法或空间向量法求解,也可作平面角直接求解.对“无棱”二面角,由于没有给出公共棱,欲作平面角,其关键是先得作公共棱,这历来是同学们解题的难点.本文就二面角的棱的确定问题作些探讨.1找公共点定位特别地,当题目中已经给出二个半平面有一个公共点时,可再另找一个公共点,二点相 相似文献
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237.
Spin Interference in Rectangle Loop Based on Rashba and Dresselhaus Spin-Orbit Interactions
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We demonstrate the amplitude and spin polarization of AAS oscillation changing with Rashba spin-orbit interaction (SOI) and Dresselhaus SOI. The amplitude and spin polarization of AB oscillation changing with Rashba SOI and Dresselhaus SOI are demonstrated as well. The ideal quasi-one-dimensional square loop does not exist in reality, therefore to match the experiment better we should consider the shape of the rectangle loop in theory. 相似文献
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铸造镁合金不可避免地包含许多微孔洞,这些微孔洞在材料的后续加工及服役过程中将发生演化,并对材料的力学行为产生重要影响.基于球形孔洞体胞模型,提出微孔洞长大及形核方程,它们构成微孔洞的演化方程.根据孔洞演化将造成材料性质弱化的物理机制,将微孔洞演化以弱化函数的形式引入到非经典弹塑性本构方程,得到考虑孔洞演化的铸造镁合金弹塑性本构方程.发展与本构方程相应的有限元数值分析程序,用其模拟了铸造镁合金ML308的微孔洞演化及力学行为,计算结果与实验结果符合较好.
关键词:
铸造镁合金
孔洞体胞模型
孔洞演化方程
本构方程 相似文献
239.
反复呼吸道感染与微量元素的相关性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
为探讨反复呼吸道感染与微量元素锌、铜、铁、钙的关系,剪取枕后下头发0.5-1g,采用电感耦合高频等离子体发射光谱法检测了头发微量元素。结果表明:(1)反复呼吸道感染患儿发锌、铜、铁、钙含量明显低于正常健康儿童,差异有极显著性(P均<0.01)。(2)反复呼吸道感染患儿经过补充微量元素后,发锌、铜、锌、钙含量明显高于补充微量元素前,有显著性(P<0.01或<0.05)。(3)56例反复呼吸道感染患儿经过补充微量元素后,随访其后1年内呼吸道感染次数的变化,明显减少者占80.4%;基本没变者占19.6%。可见,微量元素缺乏是引起反复呼吸道感染的重要原因之一。补充微量元素可减少呼吸道感染的次数。 相似文献
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This paper presents a theoretical study of the pulse-width effects on the damage process of a typical bipolar transistor caused by high power microwaves (HPMs) through the injection approach. The dependences of the microwave damage power, P, and the absorbed energy, E, required to cause the device failure on the pulse width τ are obtained in the nanosecond region by utilizing the curve fitting method. A comparison of the microwave pulse damage data and the existing dc pulse damage data for the same transistor is carried out. By means of a two-dimensional simulator, ISE-TCAD, the internal damage processes of the device caused by microwave voltage signals and dc pulse voltage signals are analyzed comparatively. The simulation results suggest that the temperature-rising positions of the device induced by the microwaves in the negative and positive half periods are different, while only one hot spot exists under the injection of dc pulses. The results demonstrate that the microwave damage power threshold and the absorbed energy must exceed the dc pulse power threshold and the absorbed energy, respectively. The dc pulse damage data may be useful as a lower bound for microwave pulse damage data. 相似文献