基于耦合介质纳米线的深亚波长局域波导

提出了一种基于耦合介质纳米线的深亚波长局域波导,通过两根紧邻的高折射率介质纳米线的耦合,该波导可以将光场有效束缚在纳米线之间的低折射率纳米缝隙中. 计算模拟的结果表明,该波导的有效模场面积达到Λ²₀/200,比单根纳米线波导小一个数量级,这种深亚波长的模场束缚能力可以与表面等离激元混合波导相比拟. 计算模拟的结果还表明,纳米线可能带有的低折射率氧化膜、低折射率衬底的存在、以及纳米线间尺寸存在的一定差异对于该波导结构的实际应用都不会产生很大 关键词： 介质波导 亚波长局域 表面等离激元波导 纳米线     

基于FFCNN的二维恒星光谱分类

天体光谱处理中的一项基本任务是对大量的恒星光谱进行自动分类。到目前为止,恒星光谱的分类工作多是基于一维光谱数据。该研究打破传统的天体光谱数据处理流程,提出了基于二维恒星光谱分类的方法。在LAMOST(the large sky area multi-object fiber spectroscopic telescope)的数据处理流程中,所有的一维光谱都是由二维光谱抽谱、合并得来。二维光谱是由光谱仪产生的图像,包括蓝端图像和红端图像。基于LAMOST二维光谱数据,提出了特征融合卷积神经网络（FFCNN）分类模型,用于二维恒星光谱的分类。该模型是一个有监督的算法,通过两个CNN模型分别提取蓝端图像和红端图像的特征,然后将二者进行融合得到新的特征,再利用CNN对新特征进行分类。所使用的数据全部来源于LAMOST,我们在LMOST DR7中随机选择了一批源,然后获得了它们的二维光谱。一共有14 840根F,G和K型恒星的二维光谱用于FFCNN模型的训练,其中包括7 420根蓝端光谱和7 420根红端光谱。由于三类恒星光谱的数量并不均衡,在训练的过程中分别为每类恒星光谱设置了不同权重,防止模型出现分类失衡现象。同时,为了加快模型收敛,对二维光谱数据采用Z-score归一化处理。此外,为了充分利用所有样本,提高模型的可靠度,采用五折交叉验证的方法验证模型。3 710根二维光谱用作测试集,使用准确率、精确率、召回率和F1-score来对FFCNN模型的性能进行评价。实验结果显示,F,G和K型恒星的精确率分别达到87.6%,79.2%和88.5%,而且它们超过了一维光谱分类的结果。实验结果证明基于FFCNN的二维恒星光谱分类是一种有效的方法,它也为恒星光谱的处理提供了新的思路和方法。     

1-芳基亚甲基-2-(6-(3,5-二甲基-1H-吡唑-1-基)-1,2,4,5-四嗪-3-基)肼的合成及抗菌活性

以水合肼和硝酸胍为原料,经过环合、氧化和肼化,得到3-(3,5-二甲基-1H-吡唑-1-基)-6-肼基-1,2,4,5-四嗪(4),以此为原料和不同芳香醛发生腙化反应,得到系列1-芳基亚甲基-2-(6-(3,5-二甲基-1H-吡唑-1-基)-1,2,4,5-四嗪-3-基)肼(5),产物经元素分析、1H NMR、IR和MS表征。所合成的系列化合物抗菌活性测试表明,它们对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌、枯草杆菌等3种细菌表现出一定程度的抑制活性。     

New insight into the parasitic bipolar amplification effect in single event transient production

In this paper,a new method is proposed to study the mechanism of charge collection in single event transient (SET) production in 90 nm bulk complementary metal oxide semiconductor (CMOS) technology.We find that different from the case in the pMOSFET,the parasitic bipolar amplification effect (bipolar effect) in the balanced inverter does not exist in the nMOSFET after the ion striking.The influence of the substrate process on the bipolar effect is also studied in the pMOSFET.We find that the bipolar effect can be effectively mitigated by a buried deep P+-well layer and can be removed by a buried SO 2 layer.     

带有n+深阱的三阱CMOS工艺中寄生NPN双极效应及其对电荷共享的影响

基于三维TCAD器件模拟, 研究了带有 n⁺深阱的90 nm三阱CMOS器件在重离子辐照下产生的电荷共享效应. 研究结果表明在重离子辐照时, n⁺深阱会导致寄生的NPN双极型晶体管触发, 显著增强NMOS间的电荷共享, 其放大因子达到双阱工艺中寄生PNP晶体管放大因子的2---4倍. 进而分别研究了n阱接触和p 阱接触对寄生NPN双极放大的影响, 结果表明增大p阱接触的面积和减小 n 阱接触的距离将抑制NPN晶体管的放大作用, 而增大n 阱接触的面积将增强NPN的放大作用.     

基于资源争夺特征的蜜罐检测方法

针对现有蜜罐检测技术的特定性太强,通用性不足的缺点,通过研究分析不同蜜罐的工作原理,设计了一种基于资源争夺特征的蜜罐检测方法.它能够利用蜜罐之间普遍存在的资源争夺共性特征检测出各种不同的蜜罐系统,具有较好的通用性和准确性.通过设计并实施相应的实验方案,验证了这种方法的有效性.     

一种面向蜜场环境的蜜罐负载均衡算法

蜜罐服务的负载均衡是保障蜜场系统稳定运行的关键技术之一.蜜场环境下网络流量具有突发性强、流量大等特点,现有负载均衡算法往往需要动态且频繁地查询采集服务器的负载信息,会增加大量额外的开销.本文提出了一种面向蜜场环境的负载均衡算法(a load balanc algorithm towards the Honey farm environment,LBHF),该算法通过设计预警收敛流量分配策略、主动抢占式反馈策略以及基于排队模型的等待队列动态调整策略,有效地实现了蜜场环境下的负载均衡.实验结果显示,与Pick-KX算法相比LBHF具有良好的性能表现.     

用于SiC晶体生长的高纯原料的合成及性能研究

SiC原料的纯度、粒径和晶型直接影响生长单晶的结晶质量和电学性质,尤其是高纯半绝缘本征SiC晶体的制备需要使用高纯SiC原料.本文采用超高温真空烧结炉,选择Si粉和C粉作为反应物,通过XRD、SEM、激光粒度测试仪和GDMS等测试手段研究了合成温度、压强、时间及原料配比等工艺条件对SiC颗粒成核、生长、晶型、粒径及堆积密度等综合性能的影响.结果表明,自合成的SiC原料一致性好、颗粒度均匀、纯度达到或超过5N.最后,使用自合成原料进行晶体生长,进一步证实其完全满足高质量半绝缘SiC晶体的制备.     

含随机参数的多体系统动力学分析

基于Lagrange方程建立了含随机参数的多体系统的动力学 模型,利用广义坐标分离法将随机微分代数方程转化为随机纯微分方程,利用Newmark法进行数值解算. 应用随机因子法求解系 统随机响应的数字特征,获得统计意义下的解. 以旋转杆滑块系统为例,考虑系统中载荷、物理和几何参数的随机性,通过与Monte Carlo法结果的对比验证了文中方法的正确性和有效性. 计算结果表明,部分随机参数的分散性对多体系统动力响应的影响不可忽略,利用随机参数的动力学模型将能客观地反映出系统的动力学行为.     

Temperature dependence of the P-hit single event transient pulse width in a three-transistor inverter chain

A comparison of the temperature dependence of the P-hit single event transient (SET) in a two-transistor (2T) inverter with that in a three-transistor (3T) inverter is carried out based on a three-dimensional numerical simulation. Due to the significantly distinct mechanisms of the single event change collection in the 2T and the 3T inverters, the temperature plays different roles in the SET production and propagation. The SET pulse will be significantly broadened in the 2T inverter chain while will be compressed in the 3T inverter chain as temperature increases. The investigation provides a new insight into the SET mitigation under the extreme environment, where both the high temperature and the single event effects should be considered. The 3T inverter layout structure (or similar layout structures) will be a better solution for spaceborne integrated circuit design for extreme environments.