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基于3维TCAD器件模拟,研究了90 nm CMOS双阱工艺下p+深阱掺杂对电荷共享的影响. 研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p+深阱的掺杂浓度可以有效抑制PMOS管之间的电荷共享. 这一结论可用于指导电荷共享的加固.
关键词:
电荷共享
单粒子效应
+深阱掺杂')" href="#">p+深阱掺杂
双极晶体管效应 相似文献
194.
基于二维材料的纳机电谐振器具有体积小、频率高、品质因数高等优势,在传感领域具有很大的应用潜力。其中,黑磷由于其波纹状的平面结构和各向异性的机械特性,为平面内矢量传感提供了可能。利用黑磷设计了一种光学激发光学读出的新型纳光机电磁矢量传感器。利用有限元分析法,探究了黑磷层数和长宽比对矢量性的影响,确定了黑磷谐振器的尺寸为0.6μm×0.134μm×0.5 nm;分别探索了高杨氏模量和低杨氏模量方向对磁场响应的各向异性。通过谐振模式的空间分布,解释了角度和长宽比对器件灵敏度和矢量性的影响机理。结果表明,将磁场旋转90°,灵敏度可从-4.048 MHz/mT变化为5.796 MHz/mT。与精度相近的洛伦兹力的微机电磁传感器相比,所设计传感器的频率可提高6个数量级,尺寸可缩小6个数量级。该设计为新型纳光机电矢量传感器的制备提供了一种方法。 相似文献
195.
自旋反转模型是目前用于分析垂直腔面发射激光器(VCSELs)非线性动力学特性最常用的理论模型,因此该模型中相关参量的取值至关重要.本文基于对自由运行和平行光注入时1550 nm垂直腔面发射激光器(1550 nm-VCSELs)输出特性的实验测量结果,对描述1550 nm-VCSELs特性的SFM中光场衰减速率k、总载流子衰减速率γN、线宽增强因子α,有源介质双折射速率γp、自旋反转速率γs、有源介质线性色散速率γa等关键参量进行了估值.在此基础上,利用所测得的这些关键参量的数值,仿真了1550 nm-VCSELs的相关输出特性,所得结果与实验结果符合. 相似文献
196.
实验研究了由分布反馈激光器区(DFB区)、相位控制区(P区)以及放大反馈区(A区)所构成的三段式单片集成放大反馈激光器(AFL)所产生的脉冲包络(PPs)的动力学特征,并分析了P区电流I_P和A区电流I_A对PPs的重复频率νPP以及包络规则性的影响.研究结果表明:DFB区电流IDFB相对较大时,AFL存在两个模式,此时通过选取合适的I_P和I_A可使AFL工作在PPs动力学状态;对于一给定的I_P,I_A在两个分离区域内可使AFL呈现PPs状态.随着I_A的增加,在I_A相对较小的区域,AFL输出PPs的重复频率νPP以及表征PPs规则性的时间序列自相关函数的次最大值σ均呈现单调下降趋势.而在I_A相对较大的区域,νPP呈现出先减小然后小幅波动的变化趋势,而σ则总体呈现先增加后减小的趋势;对于一给定的I_A,I_P的变化也会对AFL输出PPs的特性产生显著影响,在AFL呈现PPs状态所要求的I_P的变化范围内,随着I_P的增加,νPP呈现出先减小后增大而σ则呈现先增加后减小的变化趋势.通过观测I_A,I_P连续变化时AFL的动力学特性,确定了AFL呈现PPs在I_A和I_P构成的参量空间的分布图谱. 相似文献
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198.