靶向MPO的磁性纳米粒子的制备与表征

将表面含有大量氨基的树枝状分子聚酰胺-胺与油溶性的氧化铁纳米粒子(IONPs)进行配体交换,制备了水溶性氧化铁纳米粒子,将动脉粥样硬化斑块中髓过氧化物酶(MPO)的靶向分子5-羟色胺(5-HT)接枝到以树枝状分子为载体的体系上,最后得到树枝状分子包覆IONPs纳米粒子-g-PEG-g-5-羟色胺(5-HTPEG-G3.0@IONPs),可以作为一种靶向动脉粥样硬化斑块的核磁造影成像剂.通过测试产物的红外光谱(FTIR),证明合成了5-HT-PEG-G3.0@IONPs纳米粒子.TEM测试结果表明该纳米粒子的的粒径约为10 nm左右,DLS测试结果显示的粒径约为31.0 nm.利用5-HT具有紫外特征吸收峰(276 nm),确定了终产物中5-HT的接枝量为6.19μg/mg.TGA结果表明5-HT-PEG-G3.0@IONPs的氧化铁含量为2 wt%.VSM测试结果表明该产物具有超顺磁性,且饱和磁化强度为1.47 A·m2/kg.     

单光子电离质谱用于二噁英前生体检测

垃圾焚烧处理是二噁英的主要产生源之一,在二噁英的形成阶段会先形成氯苯、氯酚、多环芳烃等二噁英类前生体。这些前生体浓度较高,并且与二噁英类毒性当量存在密切关联。对前生体的在线检测研究已成为主要研究方向之一。本研究利用自制的纳秒真空紫外电离-飞行时间质谱仪,发展了一种快速测量气相条件下氯苯、多氯酚、萘等方法,并通过标准样测试对该方法进行了实验评估。对于氯苯标准样,在5~100μg/L范围内,用本方法获得的母体离子信号强度与浓度呈现良好的线性关系。     

季戊四醇双缩脂肪族醛(酮)螺环化合物的合成

以脂肪族醛(酮)为原料,对甲苯磺酸为催化剂,在环己烷中回流分水反应合成了一系列季戊四醇双缩脂肪族醛(酮)螺环化合物(3a~3l),其中3,9-二甲基-3,9-二丁基-2,4,8,10-四氧杂螺[5.5]十一烷(3i)和3,7,11,15,18,21-六氧杂三螺[5.2.2.512.29.26]二十一烷(3k)为新化合物,其结构经1H NMR,13C NMR和ESI-MS表征。     

关于学校篮球场表面覆盖材料的研究

研究目的 :由于我校篮球场准备进行改造 ,考虑到篮球是学生较为喜欢的日常体育活动 ,篮球场表面覆盖对学生的运动质量、运动安全等有较大关系 ,同时也考虑到覆盖颜色与学校整体特色相融合和价格问题 ,特在以上几方面进行分析研究 ,并提出相应结论 ,供学校领导决策参考 .本研究结果也适用于我校对室外排球、网球等场地的改造 .方案设计 :利用CBR探头和TI计算器 ,研究篮球在各种覆盖材料上的反弹衰减情况以及运动鞋在各种覆盖材料上的摩擦情况 ,并给出相应结论 .常见的室外篮球场表面覆盖材料有塑胶地坪、沥青 (混合石子 )表面、橡胶、磨石…     

酶联免疫吸附法测定血浆中芍药苷浓度

建立了间接竞争酶联免疫吸附法测定血浆中芍药苷浓度.在10～200 μg/L浓度范围内,线性关系良好,线性回归方程为y=-0.1721 logC 1.9645,相关系数0.9927;回收率为89%～102%.运用本方法测定了大鼠一次灌胃后血浆中的芍药苷浓度.比较了分别给药芍药苷单体及中药复方四逆散提取物后,血浆中的芍药苷浓度.研究结果表明:四逆散配伍组方后,芍药苷的生物利用度较低.     

能带工程对射频功率SiGe异质结双极晶体管热性能的改善

众所周知,基区"能带工程"可以改善Si_1-xGe _{x 基区异质结双极晶体管(HBT)的直流、频率和噪声等特性,但"能带工程"对HBT热学特性的影响的研究还很少。本文基于三维热电反馈模型,分析了"能带工程"对射频功率SiGe HBT热性能的影响。考虑到电流增益随温度的变化以及发射结电压负温度系数,给出了器件热稳定所需最小镇流电阻(REmin)的表达式,在此基础上给出了非均匀镇流电阻的设计,进一步提高了SiGe HBT的热稳定性 关键词： SiGe HBT Ge组分 热电反馈 镇流电阻}     

废旧锂电池中镍钴锰的回收及正极材料LiCo1/3Ni1/3Mn1/3O2的制备

本文以废旧锂电池为原料,经过解体分选、硫酸浸出、除杂净化等一系列工序,回收得到含镍钴锰的混合溶液,采用氢氧化物共沉淀法制备LiCo1/3Ni1/3Mn1/3O2正极材料。分别采用XRD,TG/DSC,SEM对其进行表征,并通过恒电流充放电测试和循环性能测试对材料的电化学性能进行分析。结果表明,合成得到的LiCo1/3Ni1/3Mn1/3O2正极材料具有典型的层状结构,并呈现球形或类球形的形貌。在0.1C,电压范围为2.75～4.3 V的条件下,经恒流充放电测试,它的首次放电容量为136.5 mAh.g-1,经过30个循环后,放电容量为124.9 mAh.g-1,容量保持率高达91.5%,表现出较优异的电化学性能。     

低环境温度空气源冷水机组评价系统的研究

针对常规空气源冷水机组评价系统无法进行低环境温度空气源冷水机组的低环境温度制冷工况测试而设计了低环境温度空气源冷水机组评价系统,详细论述了该评价系统的测试原理、调节设备等关键性问题。在对低环境温度制冷工况测试数据进行分析后可知：低环境温度空气源冷水机组评价系统不仅使常规空气源冷水机组评价系统实现了低环境温度空气源冷水机组的低环境温度制冷工况测试,同时采用冷凝热回收技术有效地降低了评价系统的运行费用和能源消耗,而且整个评价系统工况控制稳定、设备运行可靠。较高的调节精度,有效地保证测试时数据的稳定和准确,完全可以为低环境温度空气源冷水机组的研发提供依据。     

Comparative research on the transmission-mode GaAs photocathodes of exponential-doping structures

Early research has shown that the varied doping structures of the active layer of GaAs photocathodes have been proven to have a higher quantum efficiency than uniform doping structures. On the basis of our early research on the surface photovoltage of GaAs photocathodes, and comparative research before and after activation of reflection-mode GaAs photocathodes, we further the comparative research on transmission-mode GaAs photocathodes. An exponential doping structure is the typical varied doping structure that can form a uniform electric field in the active layer. By solving the one-dimensional diffusion equation for no equilibrium minority carriers of transmission-mode GaAs photocathodes of the exponential doping structure, we can obtain the equations for the surface photovoltage (SPV) curve before activation and the spectral response curve (SRC) after activation. Through experiments and fitting calculations for the designed material, the body-material parameters can be well fitted by the SPV before activation, and proven by the fitting calculation for SRC after activation. Through the comparative research before and after activation, the average surface escape probability (SEP) can also be well fitted. This comparative research method can measure the body parameters and the value of SEP for the transmission-mode GaAs photocathode more exactly than the early method, which only measures the body parameters by SRC after activation. It can also help us to deeply study and exactly measure the parameters of the varied doping structures for transmission-mode GaAs photocathodes, and optimize the Cs-O activation technique in the future.     

自由载流子吸收损耗控制研究

利用数值方法研究了SOI脊形光波导损耗问题,重点讨论了PIN结构对自由载流子损耗控制的影响情况。研究表明SOI脊形波导在引入PIN结构后,偏置电压、入射光强和本征区宽度是影响自由载流子吸收损耗的主要因素,通过调整PIN结所加偏置电压、入射光强和本征区宽度,可以实现对脊形波导自由载流子吸收损耗的控制。计算结果可为硅基光调制器和拉曼激光器的设计制备提供一定的参考依据。