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11.
采用金属有机物气相外延法在蓝宝石衬底上生长了以GaN为缓冲层的GaN薄膜.研究了不同三甲基镓流量下所生长缓冲层对GaN外延层质量的影响.对样品采用X线双晶衍射法测试其结晶质量,光致发光法测试其光学特性.实验结果显示高三甲基镓流量下生长的缓冲层可以提高GaN外延层的质量.对缓冲层进行的原子力显微镜测试分析表明不同三甲基镓流量会显著地影响缓冲层的生长模式.根据试验结果构造了一个GaN缓冲层的生长模型.
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12.
用低压金属有机气相外延方法设备在蓝宝石衬底两个相反取向的C面上同时生长六方相氮化镓薄膜,对此进行了扫描电子显微镜、透射电子显微镜的分析和研究.发现当衬底表面是向籽晶面时,生长的六方相氮化镓薄膜为(0001)取向,而当衬底表面是背籽晶面时,生长的氮化镓薄膜则为(0001)取向.
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