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161.
162.
采用高压高功率的甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术高速(沉积速率约为1.2 nm/s)沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,并通过Raman谱和XRD谱的测试,研究了高速沉积时本征微晶硅薄膜的微结构演变特性及其对电池性能的影响.针对其微结构特性及高速沉积本身存在的离子轰击作用强的特点,提出了在沉积微晶硅薄膜过程中采用功率梯度的方法,达到有效地控制薄膜微结构变化的目的,并在一定功率梯度范围内降低了电子温度,提高了薄膜质量,从而使电池效率明显提高.最后在沉积速率为1.2 nm/s时,制备
关键词:
高速沉积
微晶硅薄膜
微结构演变
功率梯度 相似文献
163.
Effect of substrate temperature on the growth and properties of boron-doped microcrystalline silicon films 下载免费PDF全文
Highly conductive boron-doped hydrogenated microcrystalline silicon (\mu
c-Si:H) films are prepared by very high frequency plasma enhanced chemical
vapour deposition (VHF PECVD) at the substrate temperatures $T_{\rm S})$
ranging
from 90$^\circ$C to 270$^\circ$C. The effects of $T_{\rm S}$ on the growth and
properties of the films are investigated. Results indicate that the growth
rate, the electrical (dark conductivity, carrier concentration and Hall
mobility) and structural (crystallinity and grain size) properties are all
strongly dependent on $T_{\rm S}$. As $T_{\rm S}$ increases, it is
observed that 1)
the growth rate initially increases and then arrives at a maximum value of
13.3 nm/min at $T_{\rm S}$=210$^\circ$C, 2) the crystalline volume fraction
($X_{\rm c})$ and the grain size increase initially, then reach their maximum
values at $T_{\rm S}$=140$^\circ$C, and finally decrease, 3) the dark
conductivity ($\sigma _{\rm d})$, carrier concentration and Hall mobility have
a similar dependence on $T_{\rm S}$ and arrive at their maximum values at
$T_{\rm S}$=190$^\circ$C. In addition, it is also observed that at a lower
substrate temperature $T_{\rm S}$, a higher dopant concentration is required in
order to obtain a maximum $\sigma _{\rm d}$. 相似文献
164.
采用脉冲直流磁控溅射技术与基于密度泛函理论的平面波赝势方法对B掺杂ZnO (BZO)薄膜进行了研究. 以B2O3:ZnO陶瓷靶为溅射靶材,制备了低电阻率、可见和近红外光区高透过率的BZO薄膜. 系统地研究了衬底温度对BZO薄膜的结构、光电特性的影响. 结果表明:适当的增加衬底温度可以促进BZO薄膜结晶质量改善,晶粒尺寸增加,迁移率增大,电阻率降低. 在200 ℃时制备了电阻率为7.03×10-4 Ω·cm,400–1100 nm平均透过率为89%的BZO薄膜. 理论模拟结果表明:在BZO薄膜中,以替位方式掺入的B (BZn)的形成能最低,B主要以替位形式掺入ZnO,其次分别为八面体间隙(BIO)和四面体间隙(BIT)的掺杂方式. B 掺入后,费米能级穿过导带,材料表现出n型半导体特性,光学带隙展宽,导电电子主要来源于B 2p,O 2p及Zn 4s电子轨道.
关键词:
BZO薄膜
第一性原理计算
磁控溅射
太阳电池 相似文献
165.
采用拉曼散射光谱和PR650光谱光度计对VHF-PECVD制备的微晶硅薄膜进行了结构表征和在线监测研究.结果表明:功率对材料的晶化率(χc)有一定的调节作用,硅烷浓度大,微调作用更明显;SiH*的强度只能在一定的范围内表征材料的沉积速率,功率大相应的速率反而下降;I[Hα*]/I[SiH*]强度比值反映了材料晶化程度,此结果和拉曼散射光谱测试结果显示出一致性;I[Hβ*]/I[Hα*]的强度比表明氢等离子体中的电子温度随功率的增大而逐渐降低.
关键词:
甚高频等离子体增强化学气相沉积
微晶硅
拉曼散射谱
光发射谱 相似文献
166.
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术制备了不同腔室环境下的微晶硅薄膜.对单室沉积掺杂层p材料后遗留在腔室中的硼对本征微晶i材料电学特性和结构特性的影响进行了详细研究.测试结果表明:单室沉积p层后的硼降低了微晶i层材料的暗电导,增加了材料的光敏性;由于硼对i层污染程度的不同,使得材料的激活能发生了变化;腔室中残余的硼也导致微晶硅薄膜的结晶状况恶化,同时弱化了材料的(220)择优取向.而在较高功率和较强氢稀释下制备的晶化率较高,(220)晶向明显择优的材料受硼污染影响相对减小.
关键词:
单室
甚高频等离子体增强化学气相沉积
微晶硅
硼 相似文献
167.
采用共沉淀法制备,分别在空气与混合了纳米碳粉的Al2 O3粉末(高温渗碳处理)中进行高温烧结后得到多晶钙钛矿型Ca1-xLaxMnO3(x=0,0.02,0.04,0.10)热电陶瓷,并对陶瓷样品的微观结构、热电性能进行了表征与评价.结论如下:T>700 K时,进行过高温渗碳处理的La2/C(x=0.02)系列,具有体系最大Seebeck系数绝对值240~250μV/K,功率因子PF在2.2~2.4 W·m-1·K-2,即电性能最优.所有掺杂样品较本征半导体热导率κ均有所降低.在920 K时,La2/C系列具有体系最大的热电优值ZTmax=0.067,约为同温度下未掺杂CaMnO3陶瓷ZT值的2倍. 相似文献
168.
169.
170.
作为一种新型能源技术,燃料电池具有能源转化效率高、燃料可再生、运行安全清洁等优点,因而在应对全球持续增长的能源、环境问题方面受到广泛的研究.但是,燃料电池的阴极氧还原反应(ORR)存在动力学缓慢的固有特性,其反应过电位高,需要在催化剂的辅助下才能顺利发生反应并提供足够的电极电势.目前ORR催化性能最优的是铂基催化剂,但其存在着资源稀缺、价格昂贵、循环寿命差等缺陷,这也是制约燃料电池商业化应用的主要因素.因而要想实现燃料电池的大规模应用,寻找新的可替代铂基催化剂、且储量丰富、价格低廉的优秀ORR催化剂成为了研究的热点.近几年来,杂原子掺杂的碳材料以其价格低、催化性能卓越、优异的稳定性和抗甲醇性能等优点,逐渐发展成为最有前景的ORR催化剂.本文以FeCl_3为模板和铁源,质子盐对苯二胺(PPS)为碳、氮、硫源,采用简单的一步中和法制备氮、硫、铁三掺杂的二维介孔碳纳米片催化剂(NSFC).TEM和BET结果显示,Fe Cl3不仅起到了二维模板的作用,同时在热处理过程中与无定形碳发生作用形成了丰富的介孔,大大提高了材料的比表面积和结构开放性,为ORR反应提供了反应场所.XPS结果显示,质子盐中和合成法不仅有效地简化了NSFC的合成步骤,而且能够灵活地控制材料的元素组成,实现了氮和硫的原位掺杂,有效构筑了杂原子掺杂活性位;同时FeCl_3也为催化剂材料引入了Fe元素,进而形成催化活性更加优异的Fe-Nx活性位.电化学测试结果表明,通过调整FeC l3和PPS的比例,NSFC-3催化剂材料在结构形貌和表面功能达到了同时最优化,获得了与商业30 wt%Pt/C可比的催化性能,其起始电位和极限电流密度分别达到了–0.03 V和5.05 mA/cm2,同时NSFC-3具有优于商业30wt%Pt/C的催化选择性、稳定性和抗甲醇性能.这源于稳定的二维纳米片层结构、丰富的表面介孔结构、大的比表面积和活性位点暴露率以及多种催化活性位点的协同催化效应. 相似文献