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锗(Ge)中高激活浓度、低扩散深度的n型掺杂是实现高性能Ge n-MOSFET的重要前提条件.本文采用低温预退火与脉冲激光退火相结合的两步退火法,结合磷离子注入,制备Al/n~+Ge的欧姆接触以及Ge n~+/p结二极管.通过电流-电压特性测试来研究Al/n~+Ge的欧姆接触以及Ge n~+/p结二极管的性能,测试结果表明:低温预退火可初步修复注入损伤,并降低激光退火时杂质的扩散深度;结合离子注入工艺和两步退火工艺,Al/n~+Ge欧姆接触的比接触电阻率降至2.61×10~(-6)Ω·cm~2,Ge n~+/p结二极管在±1V的整流比提高到8.35×10~6,欧姆接触及二极管性能均得到了显著提升. 相似文献
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<正>《义务教育数学课程标准(2022年版)》(下称“课标”)提出数学核心素养的具体表现:会用数学的眼光观察现实世界、会用数学的思维思考现实世界、会用数学的语言表达现实世界[1].如何在数学课堂教学中进一步落实核心素养成为当下教育教学研究的重点.在素养为导向的课堂教学过程中,我们的目标不是使学生习得知识技能,而是以知识技能为载体,在基础知识基本技能的获得过程中,提升学生的数学素养,这个过程是一个“生长”的过程.这里的生长,包括教学内容的生长、数学活动的生长、育人价值的生长,只有教学内容、数学活动、育人价值同步和谐生长,才能促进核心素养的提升.本文结合“线段、射线、直线”的教学过程,来说明如何通过三维生长,让学生在交流中觉知、在交锋中表达、在交融中升华,提升学生的数学核心素养. 相似文献
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GDC(He SiH4)是为HL-1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子-分子反应和在壁面上的He^ 诱导脱H2过程,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅(α-Si:H)薄膜。氢化硅具有良好的H(D)捕获、H2(D2)释放,能显著地降低再循环系数,有效地控制杂质水平,大大拓宽了HL-1M装置的运行范围,为HL-1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。 相似文献
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Stimulated Raman scattering (SRS) of picosecond pulses is investigated in a new crystal SrWO4. The second harmonic generation of a mode-locked Nd:YAG laser system is used as the pump source. In an external singlepass configuration, the SRS thresholds for the first to the fourth Stokes lines are measured. For the first Stokes line, the steady-state gain coefficient of the SrWO4 crystal is calculated to be 15.96cm//GW. In our experiment, as many as five Stokes lines (559.23 nm, 589.61 nm, 623.49 nm, 661.50 nm, 704.44 nm) and three anti-Stokes lines (506.97nm, 484.34 nm, 463.65nm) are observed, and the total conversion efficiency is as high as 62%. 相似文献
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结合全超导托卡马克中性束注入系统(EAST NBI)的工作原理,采用水冷热测靶形式的离子吞食器回收和测量未被中性化粒子。根据EAST NBI系统对离子吞食器物理特性、空间限制、测量需求及冷却性能等方面的要求,对靶板材料选择、结构设计及布置等进行了分析,给出了离子吞食器具体设计方案。该方案单侧吸收靶板呈V形结构,单个靶板冷却方式采用内置并联冷却水管结构。根据该方案加工获得了EAST NBI系统离子吞食器装置。仿真和实验校验结果验证了本装置可以满足NBI系统4 MW高功率、10 s长脉冲的运行要求。 相似文献