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本文通过恒定应力加速实验对GaN微波单片集成电路中SiN介质MIM电容的可靠性进行了评估, 研究了高场下MIM电容的两种失效模式、临界介质击穿电荷密度以及平均失效前时间. 通过不同温度下介质电容的导电特性求解了介质内的缺陷能级.重点分析了SiN介质MIM电容的退化机理, 研究认为高应力下介质内产生新的施主型缺陷,并占据主导地位,其缺陷能级逐渐向深能级转移; 缺陷的持续增加加剧了介质内载流子的散射,导致应力后期泄漏电流降低. SiN介质MIM电容退化机理的研究为加固介质电容提供了依据. 相似文献