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41.
空芯反谐振光纤由于其优异的光学特性,如低非线性、超低群速度色散、低温度敏感性和高损伤阈值等,使其在大功率激光传输、量子通信、传感、航空航天等多个领域有着潜在的应用,成为未来最具发展潜力的特种光纤.由于空芯反谐振光纤能够将99.9%以上光场限制在光纤的空芯区域中,这也使其成为光纤滤波器、模式转换等领域的重要光子器件.本文针对980 nm单模激光器的迫切需求,研制了一种应用于980 nm多模激光转980 nm单模激光的空芯反谐振光纤,并对其应用进行了实验验证. 相似文献
42.
本文运用方差分析、 x2检验、主成分分析、判别分析,对企业新产品开发成败问题进行了描述性实证研究,揭示了新产品成败的关联因素。研究结果说明,成功地开发新产品,就在于通过合理的开发步骤,开发出质量好创新大的新产品,适时投放到容量大需求强的市场。 相似文献
43.
Electroluminescence from the InGaN/GaN Superlattices Interlayer of Yellow LEDs with Large V-Pits Grown on Si(111)
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A blue emission originated from In GaN/GaN superlattice(SL) interlayer is observed in the yellow LEDs with V-pits embedded in the quantum wells(QWs), revealing that sufficient holes have penetrated through the QWs into SLs far away from the p-type layer. In the V-pits embedded LEDs, hole transport has two paths: via the flat c-plane region or via the sidewalls of V-pits. It is proved that the holes in SLs are injected from the sidewalls of V-pits, and the transportation process is significantly affected by working temperature, current density, and the size of V-pits. Four motion possibilities are discussed when the holes flow via the sidewalls. All these may contribute to a better understanding of hole transport and device design. 相似文献
44.
[问题背景]每年数学高考试题都会出现一些"创新题",这些题目,从形式上跳出已学知识的旧框架,在试卷中临时定义新背景、新知识,对于这类问题,大多考生有雾里看花的感觉,往往在考试中感到很大的阻力. 相似文献
45.
上个世纪80年代中后期,在广西龙胜各族自治县里,有两个年青姑娘先后走进了小学教师的行列,一个是侗族姑娘蒙仙花,另一个是瑶族姑娘潘春艳。 相似文献
46.
47.
根据定理1, 2和3,求任何一个方程ax-by =n, ax by±az ±bw±1=0或ax ±by±az ±bw=0 (x,y,z,w∈0)的解都是很简单的,此处a,b是适合2a, b50的互素的两个整数,n是适合1n80000的整数. 相似文献
48.
根据定理 1,2和 3;求任何一个方程 a~x-b~y=n,a~xb~y±a~z±b~w±1=0 或a~x±b~y±a~z±b~w=0(x,y,z,w∈≥0)的解都是很简单的,此处a,b是适合 2 ≤5 a,b≤50的互素的两个整数,n是适合1≤n≤80000的整数. 相似文献
49.
Effect of AlGaN interlayer on luminous efficiency and reliability of GaN-based green LEDs on silicon substrate
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The effect of AlGaN interlayer in quantum barrier on the electroluminescence characteristics of GaN-based green light emitting diodes(LEDs)grown on silicon substrate was investigated.The results show that AlGaN interlayer is beneficial to improve the luminous efficiency of LED devices and restrain the phase separation of In GaN.The former is ascribed to the inserted AlGaN layers can play a key role in determining the carrier distribution and screening dislocations in the active region,and the latter is attributed to the increased compressive stress in the quantum well.However,when the electrical stress aging tests were performed at a current density of 100 A/cm^2,LED devices with AlGaN interlayers are more likely to induce the generation/proliferation of defects in the active region under the effect of electrical stress,resulting in the reduced light output power at low current density. 相似文献
50.