锡粉促进下3-芳基-3-羟基-2-氧化吲哚的烯丙基化反应研究（英文）

探索了锡粉促进下3-羟基-2-氧化吲哚与烯丙基溴的偶联反应,实现了锡粉促进下的亲核取代反应,拓展了锡粉促进下反应类型,并为合成具有潜在生物活性的3,3-二取代-2-氧吲哚提供了简便的方法.该方法具有操作简单、成本低廉等优点.     

非线性需求下两类价格歧视交互效应的动态博弈分析

在一类非线性需求函数的条件下,基于完全信息动态博弈模型,对两寡头厂商在竞争状态下同时实施二度与三度价格歧视的定价方法进行了研究,讨论了两厂商在面对两个子市场情形下,分别对各子市场的需求区间进行两段分段时的利润最大化问题,得出了在二三度价格歧视下两厂商的均衡产量与分段点,为寡头厂商的生产决策提供了理论依据.     

基于分数薛定谔方程对高斯光束的操控

基于具有谐振势阱的分数薛定谔方程,数值研究了Lévy指数、啁啾参量和势阱深度对啁啾高斯光传输动力学的影响.研究发现,在啁啾参量与势阱深度一定的情况下,随着Lévy指数增大,光束演化周期会减小,偏移中心轴的距离则变大;在Lévy指数与势阱深度一定的情况下,光束演化周期和偏移距离随着啁啾参量增大而增大;无论Lévy指数值与啁啾参量是多少,周期与偏移中心轴的最大距离都和势阱深度成反比.研究结果表明,通过调节Lévy指数、啁啾参量与势阱深度可以有效地控制光传输,为光开关提供了新的设计思路.     

EGCG在Tween80胶束体系中的性质(英文)

通过离子萃取技术,从黄山绿茶中提取高纯度儿茶素没食子酸酯(EGCG).在Tween 80/EGCG/H2O体系中,随着EGCG浓度增加,Tween 80临界胶束浓度和胶束动力学半径增大;随着Tween 80浓度增加,EGCG和Tween 80扩散系数减小,而EGCG的紫外-可见吸收光强度和荧光强度增加.对EGCG在Tween 80胶束中的定位也进行了讨论.     

《高分子物理》教学中WLF方程的系数求解与分析

Williams-Landel-Ferry方程(简称WLF方程)是高分子物理中一个非常重要的经验公式。其中,C1、C2作为两个经验参数,取决于参考温度Tr的取值,且其乘积为定值(C1.C2≈900),与自由体积热膨胀系数αf有关。本文分析讨论了C1、C2参数的物理意义及C1、C2参数的两种不同求解方法,发现与由-1/logαT对1/(T-Tr)作图的方法I相比较,由-(T-Tr)/logαT对(T-Tr)作图的方法II的灵敏度更高,平均相对残差更小;正是由于对(T-Tr)变化的更高的敏感响应,导致方法II作图的线性相关性(相关系数)较低。综合C1、C2解析值的合理性和作图求解的平均相对残差,推荐采用方法II。     

室温下三光气作环合剂合成5-取代-1,3,4-噁二唑-2-酮类化合物

1,3,4-噁二唑具有抗菌,抗肿瘤,抗惊厥等生物活性~([1-6]),在药物化学方面具有重要的理论意义和实际应用价值.1,3,4-噁二唑类材料具有优良的荧光性和闪烁性和优异的电子传输性能,以及特殊的稳定性和良好的耐热性,被认为是下一代显示器件中载流子输送的首选材料~([7-8]).     

十二烷基硫醇催化合成2-芳基苯并呋喃

以邻羟基二芳基乙烯为底物,十二烷基硫醇为催化剂,在氧气氛围、无溶剂条件下构建了一种合成2-芳基苯并呋喃类化合物的新方法,产率28%~91%,其结构经¹ H NMR, ¹³ C NMR, HR-MS（ESI）和LR-MS（APCI）确证。      

Characteristics in AlN/AlGaN/GaN Multilayer-Structured High-Electron-Mobility Transistors

A new multilayer-structured AlN/AlCaN/CaN heterostructure high-electron-mobility transistor （HEMT） is demonstrated. The AIN/AlCaN/CaN HEMT exhibits the maximum drain current density of 800mA/mm and the maximum extrinsic transconductance of 170 mS/mm. Due to the increase of the distance between the gate and the two-dimensional electron-gas channel, the threshold voltage shifts slightly to the negative. The reduced drain current collapse and higher breakdown voltage are observed on this AIN/AlGaN/CaN HEMT. The current gain cut-off frequency and the maximum frequency of oscillation are 18.5 CHz and 29.0 GHz, respectively.     

朗道及其对物理学的贡献

综述朗道的一生及其较为重要的贡献之一——朗道二级相变理论,着重论述了朗道相变理论表述形式的一种修正以及朗道对物理学的贡献．