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51.
在四氯酸锌离子诱导下,五元瓜环能与钕离子构筑形成二维配合超分子自组装。在HCl介质中,Zn2+容易形成四氯酸锌离子,在其诱导作用下,钕离子和五元瓜环端口羰基氧直接配位形成二维超分子自组装体。结果表明锌离子作为一种结构导向剂在形成瓜环基超分子自组装体中起到重要作用。  相似文献   
52.
文章分析了超声脐动脉收缩期末最大血流速度(S)/舒张期末最大血流速度(D)值联合胎心率监测对新生儿窒息的临床诊断价值.选取发生新生儿窒息的98例产妇作为窒息组,新生儿正常的98例产妇作为未窒息组,比较两组胎心率监测情况和脐动脉血流动力学指标阻力指数(RI)、搏动指数(PI)、S/D值.分析胎心率监测和S/D值与阿氏评分...  相似文献   
53.
在活性炭上负载银离子,制备具有抗菌性能的吸附材料载银活性炭.首先,优选了分散剂的种类为聚乙烯吡咯烷酮(PVP),得出PVP:银离子最佳质量比为1:1;其次,探讨了在不同碳化温度下改性活性炭载银量,未经碳化处理时载银量为17.09%,碳化温度为500℃时,载银量为18.24%;碳化温度800℃时,载银量增加到18.61%...  相似文献   
54.
[Co(2,3-tir)(amp)Cl]ZnCl4体系中三个几何经式异构体的 识别   总被引:2,自引:0,他引:2  
祝黔江  陶朱  徐元植 《化学学报》2001,59(7):1106-1111
对[Co(2,3-tir)(amp)Cl]ZnCl42,3-tri=N-(2-aminoethyl)-1,3-propanediamine;amp=2-(aminomethyl)pyridine)体系进行了合成,分离出四个配合物。用单晶X射线衍射分析了两个结构,用二维核磁共振DQCOSY和NOESY技术联合解板了另一结构。结构解析显示它们为该体系的四个几何经式异构体(meridianisomers)。两个晶体结构都属中心对称的空间群,表明它们都是外消旋的对映体。  相似文献   
55.
合成了[Co(bamp(cemp)(cmen)Cl]^2 (bamp=2,6-二甲胺基吡啶;cmen=1,2-二胺基丙烷)体系的两个经式异构体,利用一维及二维核磁振(2DNMR)技术,结合三元胺中吡啶环的磁屏蔽效应,对两个异构体在溶注保的结构进行了解析,对应于Dowex50Wx2柱色层分离的第一色带的阳离子为m2(cmen的2位受基与C1处于邻位)。第二色带的阳离子为m1.由第一色带配合物制备的单晶晶体结构解析也表明其为m2[ZnCl4].用量子化不从头计算方法,在赝热基组RHF/LANL2DZ的水平上研究了该本系两上经式几何异构体的稳定性,结果表明后者较前者稳定,但差别不大,在与合成条件下异构体平衡分布一致,由计算得到的几何优化键参数与晶体结构分析结果能较好的吻合。  相似文献   
56.
将五甲基茂基三苄氧基钛 (Cp Ti(OBz) 3) 改性甲基铝氧烷 (mMAO)催化体系以顺序加料溶液法合成的乙烯与苯乙烯嵌段共聚反应产物进行沸丁酮、沸四氢呋喃 (THF)和沸氯仿等溶剂连续抽提分离 ,发现嵌段共聚物主要存在于THF和CHCl3的可溶级分中 ,嵌段共聚物的总含量占共聚产物的 2 2 8wt%~ 38 2wt% ,对THF和CHCl3可溶级分分别用 1 3C NMR、WAXD、DSC和GPC等手段进行表征 .1 3C NMR谱显示出含有支化聚乙烯链段和间规聚苯乙烯链段的嵌段共聚物特殊结构 ,WAXD谱表明嵌段共聚物因两链段的相互缠结使各自结晶度显著较低 ,由于嵌段共聚物苯乙烯链段较长、乙烯链段较短 ,DSC图谱只显示苯乙烯链段的结晶熔融峰 ,GPC曲线表明 ,单茂钛催化体系催化乙烯 苯乙烯嵌段共聚合的单一活性中心特征 .由此对Cp Ti(OBz) 3 mMAO催化体系的苯乙烯 乙烯嵌段共聚合机理进行初探  相似文献   
57.
为20MeV LIA建造的2MeV注入器的束流技术指标经过一年多实验调试已达到能量2MeV、束流3kA、亮度大于或等于10^8A/(m.rad)^2。建立了二维数字模型,对注入器的电子发射和束流传输过程进行了模拟,用模拟结果指导实验调试,并同实验结果进行对照,重点分析了有箔情况下自有的聚焦作用。  相似文献   
58.
用单晶X-射线衍射分析方法解析了[Co(2,3-tri)(ibn)Cl]2+(2,3-tri=N-(2-氨基乙基)-1,3-丙二胺,ibn=1,2-二氨基-2-甲基丙烷)体系中一经式异构体(m2-[Co(2,3-tri)(ibn)Cl][ZnCl4])。该晶体属单斜晶系,空间群P21/c,a=11.317(3)?,b=14.931(4)?,c=11.646(3)?,β=1  相似文献   
59.
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陈伟伟  马晓华  侯斌  祝杰杰  张进成  郝跃 《中国物理 B》2013,22(10):107303-107303
Step-stress experiments are performed in this paper to investigate the degradation mechanism of an AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT).It is found that the stress current shows a recoverable decrease during each voltage step and there is a critical voltage beyond which the stress current starts to increase sharply in our experiments.We postulate that defects may be randomly induced within the AlGaN barrier by the high electric field during each voltage step.But once the critical voltage is reached,the trap concentration will increase sharply due to the inverse piezoelectric effect.A leakage path may be introduced by excessive defect,and this may result in the permanent degradation of the AlGaN/GaN HEMT.  相似文献   
60.
利用分子动力学模拟研究了完美单晶铁以及含不同尺寸孔洞的单晶铁相变过程,分析了孔洞尺寸对相变过程的影响。模拟结果表明:孔洞的存在降低了相变的阈值应力,加速了相变区域成核速率和相变传播速率;随着孔洞直径的增大,相变的阈值应力逐渐降低;孔洞也改变了相变的初始成核区域,使相变区域呈现出一个蝴蝶状的形貌;孔洞反射的稀疏波对相变成核区域的影响随孔洞体积增大而增大,导致孔洞周围出现大量的无序结构原子;孔洞体积对相变的影响也体现在了粒子速度空间分布上,压缩过程中孔洞周围出现的大量“热点”导致了更低的粒子速度空间分布。  相似文献   
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