关于Eu2+的f—f跃迁

文章综述了Eu2+在某些基质化合物中的f-f跃迁.在考察文献数据基础上,总结出Eu2+在氟化物(或氧化物)中产生f-f跃迁的某些规律性,并根据电负性、配位数及离子半径等提出一种判断Eu2+产生尖峰结构光谱的经验方法.在缺少结晶学数据情况下,该方法有可能用来预测Eu2+产生线状峰的新基质化合物.镧系离子的电子结构早已为人们所熟知.三价铕离子(Eu3+),有六个自旋平行的4f电子[1、2、3].根据洪德规则,Eu3+很容易变成Eu2+,4f壳层呈现半充满状态(4f7),获得与Gd3+具有相同的电子构型,从而趋于稳定.     

离子注入法在表面化学研究中应用的新进展

一、引言离子注入法(Ion Implantation)是半导体材料掺杂工艺中常用的一种手段,特别是制作大规模集成电路,这是一种必不可少的方法。然而,近年来,这一方法已逐渐从半导体工艺中延伸并转移到了其他学科领域。尤其在固态化     

稀土功能材料

稀土元素,属于周期表ⅢA族,其中第六周期的La→Lu又称作镧系元素,由于性质上的相似性,这十五个元素单独排成一个系列置     

托卡马克等离子体的热平衡特性与脱栏现象

本文利用欧姆加热条件下简化的能量平衡方程研究了热传导与杂质辐射的综合效应。首先指出边缘辐射带的建立与随半径增大而增大的K=nx模型紧密相关(x为电子热传导系数,n为等离子体密度),然后利用删削层中能量平衡关系确定边界温度,自洽地求解了能量平衡方程,得出的脱栏等离子体形成条件能较好地解释有关实验观察到的多种现象。     

MMgF_4：Eu（M＝Ca，Sr，Ba）体系中铕离子的发光中心及价态

合成了铕离子激活的ＭＭｇＦ４．磷光体，研究了Ｅｕ３＋离子的光谱特征与基质化合物的关系，存在三类发光中心，讨论了基质组成对铕离子价态的影响。     

非么正SUK(2) Wess-Zumino-Witten模型的关联函数与交叉矩阵

本文利用Feigin-Fuch方法研究非么正SU_K(2) WZW模型的关联函数,明显地给出结构常数与交叉矩阵,进而得出modular矩阵,同时讨论与么正理论的联系.     

非晶态Fe-P合金结构的计算机模拟(Ⅰ)——Fe75P25结构中的短程序

本文用计算机制作的模拟Fe₇₅P₂₅非晶态合金的结构模型为初始位形,应用准动态平衡边界条件、截尾Morse势对体系进行了松弛(能量极小化)计算。得到了松弛前后模型的能量、简约径向分布函数、配位数、角分布及均匀性,讨论了Fe₇₅P₂₅非晶态合金的短程序。 关键词：     

叶片弦向开缝抑制分离的数值分析

本文对弦向开缝的某大转角压气机叶栅的气动性能进行了数值分析.结果表明,合理的弦向开缝能够有效抽吸吸力面附近的低能流体、改善型面的压力分布,从而控制吸力面附近的边界层发展并减弱低能流体的阻塞和尾迹宽度,降低流道中的分离损失,总压损失最大降幅可达15.8%.另外,文中重点计算并分析了吸气点E和回气点F位置、开缝的展向位置等不同参数对流动结构、气动性能的影响,这能为开缝式叶片设计和实验研究提供参考.     

Micro thermal shear stress sensor based on vacuum anodic bonding and bulk-micromachining

This paper describes a micro thermal shear stress sensor with a cavity underneath, based on vacuum anodic bonding and bulk micromachined technology. A Ti/Pt alloy strip, 2μm×100μm, is deposited on the top of a thin silicon nitride diaphragm and functioned as the thermal sensor element. By using vacuum anodic bonding and bulk-si anisotropic wet etching process instead of the sacrificial-layer technique, a cavity, functioned as the adiabatic vacuum chamber, 200μm×200μm×400μm, is placed between the silicon nitride diaphragm and glass （Corning 7740）. This method totally avoid adhesion problem which is a major issue of the sacrificial-layer technique.