全文获取类型
收费全文 | 181篇 |
免费 | 78篇 |
国内免费 | 67篇 |
专业分类
化学 | 118篇 |
晶体学 | 2篇 |
力学 | 11篇 |
数学 | 35篇 |
物理学 | 160篇 |
出版年
2024年 | 1篇 |
2023年 | 6篇 |
2022年 | 12篇 |
2021年 | 10篇 |
2020年 | 7篇 |
2019年 | 8篇 |
2018年 | 8篇 |
2017年 | 13篇 |
2016年 | 12篇 |
2015年 | 17篇 |
2014年 | 22篇 |
2013年 | 24篇 |
2012年 | 15篇 |
2011年 | 22篇 |
2010年 | 16篇 |
2009年 | 5篇 |
2008年 | 13篇 |
2007年 | 12篇 |
2006年 | 6篇 |
2005年 | 13篇 |
2004年 | 3篇 |
2003年 | 5篇 |
2002年 | 9篇 |
2001年 | 6篇 |
2000年 | 6篇 |
1999年 | 8篇 |
1998年 | 4篇 |
1997年 | 11篇 |
1996年 | 11篇 |
1995年 | 5篇 |
1994年 | 4篇 |
1992年 | 4篇 |
1991年 | 4篇 |
1988年 | 1篇 |
1985年 | 1篇 |
1984年 | 2篇 |
排序方式: 共有326条查询结果,搜索用时 343 毫秒
41.
SURFACE PHASE DECOMPOSITION IN Bi2Sr2CaCu2O7-y SINGLE CRYSTALS UNDER NITROGEN IONS IRRADIATION
下载免费PDF全文
![点击此处可从《物理学报(海外版)》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
The influence of irradiation by 30 keV nitrogen ions with a fluence 1×1018N+·cm-2 on the crystal structure of single crystal Bi2Sr2CaCu2O7-y was investigated by means of X-ray photoelectron spectroscopy and X-ray diffraction. The irradiation caused a transformation from Bi2Sr2CaCu2O7-y (2212 phase) to Bi2Sr2CuO5-x (2201 phase). It was observed that. a small amount of metallic bismuth with an average thickness of about 6.3nm appeared after the irradiation. The possible reaction mechanism under nitrogen-ion irradiation was discussed. 相似文献
42.
43.
利用试验及数值模拟技术研究了ITER 极向场磁体支撑U 型韧性夹的焊接变形规律,模拟和实际测量的比较验证了模拟的准确性,从而得到了U 型夹焊缝变形的基本规律,并改进现有夹具类型。基于验证好的热力边界条件以及优化的夹具,对三种焊接方案的U 型韧性夹的焊接变形进行了计算,从而提出了极向场磁体支撑制造的优化方案。优化后的焊接方案将焊接变形控制在0.6mm 以内。 相似文献
44.
Degradation and recovery properties of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors under direct current reverse step voltage stress
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
Direct current (DC) reverse step voltage stress is applied on the gate of AlGaN/GaN high-electron mobility transistor (HEMT). Experiments show that parameters degenerate under stress. Large-signal parasitic source/drain resistance (RS/RD) and gate-source forward I-V characteristics are recoverable after breakdown of the device under test (DUT). Electrons trapped by both the AlGaN barrier trap and the surface state under stress lead to this phenomenon, and surface state recovery is the major reason for the recovery of device parameters. 相似文献
45.
Efficient three-step entanglement concentration for an arbitrary four-photon cluster state
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
We propose an entanglement concentration protocol to concentrate an arbitrary partially-entangled four-photon cluster state.As a pioneering three-step entanglement concentration scheme,our protocol only needs a single-photon resource to assist the concentration in each step,which makes this protocol more economical.With the help of the linear optical elements and weak cross-Kerr nonlinearity,one can obtain a maximally-entangled cluster state via local operations and classical communication.Moreover,the protocol can be iterated to obtain a higher success probability and is feasible under current experimental conditions. 相似文献
46.
为适应工程小型化平台需要,研制了一种半导体泵浦全固态激光测距仪。采取半导体泵浦方式,激光谐振腔设计为平平腔,采用金属热沉冷却与半导体制冷相结合,研制出的激光测距仪工作频率可达20Hz,测程大于20km,测距精度可达±1.5m。经过试验验证,性能稳定,指标可靠。 相似文献
47.
综述了电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)及其联用分析技术的进展,论述了其在相关核工业及环境领域中分析痕量或超痕量的放射性同位素、长寿命核素、元素形态等的应用。讨论了电感耦合等离子体质谱及联用技术的发展趋势,并对目前存在的主要问题及可能的解决方案进行了讨论。 相似文献
48.
49.
50.