三维网状配位聚合物｛[Cd2（phen）2（H2O）2（C6H5NO2）2]·（ClO4）｝n的水热合成、晶体结构及荧光性质

以异烟酸和邻菲咯啉（phen）为原料,采用水热合成方法,合成了一个新的配位聚合物{[Cd2（phen）2（H2O）2（C6H5NO2）2]·（ClO4）}n,测定了其晶体结构。结果表明：该配合物晶体属单斜晶系,空间群P2√n。与中心镉（Ⅱ）离子配位的3个氧原子分别来自2个异烟酸根和1个水分子,3个氮原子分别来自1个异烟酸根和1个邻菲咯啉,形成六配位变形八面体结构。由于异烟酸的桥联作用及氢键作用,配合物堆积成三维网状结构;同时配合物通过异烟酸的羧基双齿桥联配位以及邻菲咯啉和水分子作为端基配位,形成了双核笼状结构,其Cd（Ⅱ）…Cd（Ⅱ）距离为0.8798 nm。此外,还研究了该聚合物的荧光性质。     

一维链状锰配位聚合物[Mn（C10H9O3）2（4，4＇-bipy）（H2O）2】n的合成、晶体结构及荧光性质分析

锰元素不仅在生物化学的酶催化过程中扮演重要的角色．而且在合成分子磁体、开展多核间磁交换作用的研究方面也受到人们的关注．锰配合物的的研究已引起人们的极大兴趣。近年来．我们合成了一些锰配合物．并对其性能进行了初步测定和分析。我们合成的锰配合物．主要集中在芳香羧酸配体体系：为了较系统地研究这类配合物的功能和配体结构的关系．     

直接Z型Zn2SnO4-xNx/ZnO1-yNy异质结光催化剂的制备及机理

采用微波溶剂热法成功制备直接Z型Zn_2SnO_(4-x)N_x/ZnO_(1-y)N_y核壳结构异质结光催化剂。2种物质不同的功函数改变了其表面电荷密度,并在界面处形成内建电场,导致其从传统的Ⅰ型镶嵌异质结转变为Ⅱ型异质结,再转变为Z型异质结构。N杂质原子替代O原子进入Zn_2SnO_4和ZnO的晶格,在两者的价带(VB)顶部形成双杂质能级。核壳结构的Z型异质结光催化剂对罗丹明B的降解速率为纯相Zn_2SnO_(4-x)N_x的1.40～1.43倍,同时具有良好的循环稳定性,且可以降解亚甲基蓝、甲基橙、水杨酸等污染物。Z型异质结的形成使其光生电子-空穴对具有较强的氧化还原能力,而双杂质能级的存在可以拓宽其光响应范围并提高载流子的分离效率。因此,Zn_2SnO_(4-x)N_x/ZnO_(1-y)N_y异质结光催化剂高的光催化活性归因于Z型异质结和双杂质能级的协同作用。     

吡唑-吡啶铕配合物的合成、结构及荧光效应

以硝酸铕为金属源,2,6-二-[3-(5-苯基-1-氢-吡唑基)]吡啶(L)为配体,在水热反应条件下合成了一种新型配合物Eu(L)(MeOH)(NO₃)₃。 通过元素分析、红外光谱、热重分析、X射线粉末衍射以及X射线单晶衍射方法对该配合物进行了表征。 结构分析表明,配合物的中心金属为九配位,每个中心金属铕原子与L配体中的3个N原子和硝酸根离子和配位甲醇分子上的6个氧原子配位,形成轻微扭曲的三帽三角棱柱体的空间构型。 荧光性能研究发现,该配合物对金属离子铜和镍有较强的荧光猝灭效应。即使在其它竞争金属离子的存在下,配合物仍然可以选择性地检测Cu²⁺,但对选择性的检测Ni²⁺有一定影响。     

站“高”再看高考题

针对2006年四川省一道有关不等式证明的高考题,利用导数研究函数单调性和凸凹性的方法,结合使用微分中值定理,给出证明,并对两个不等式成立的取值范围进行了推广     

一类Boussinesq方程解的爆破和不稳定性

研究了一类非线性Boussinesq方程解的爆破和基态解的不稳定性,还得到了问题带在不同域中的初值的整体有界解.     

计算机辅助化工原理课程设计教学

作为化工专业的基础课,《化工原理》课程的教学中包含着一个重要的组成部分———课程设计。作为实践教学环节,课程设计的目的是让学生在教学过程中,对所学过的课堂知识有一个感性认识。如完成精馏塔的设计,就会使学生在设计过程中直观地了解工艺条件的选择和控制对塔...     

掺杂物对MgB2超导电性能影响的研究进展

总结了不同掺杂物对MgB2超导电性能影响的研究现状,具体介绍了不同粒度、不同类型的掺杂物对MgB2超导电性的影响。目前的研究结果表明:所有掺杂都降低了MgB2的临界转变温度,而除Cu外的大部分掺杂物都可改善MgB2的不可逆磁场Hirr,提高其临界电流密度Jc;在所有掺杂物中,纳米级S iC掺杂对MgB2的超导电性能改进最大。基于目前的研究现状和结果,最后文中对MgB2超导材料的应用前景进行了展望。     

阶化 Cartan 型李超代数的结合型

本文确定了具有非退化结合型的Ｃａｒｔａｎ型李超代数。     

引入Si掺杂层调控InGaAs/GaAs表面量子点的光学特性

在InGaAs/GaAs表面量子点(SQDs)的GaAs势垒层中引入Si掺杂层,以研究Si掺杂对InGaAs/GaAs SQDs光学特性的影响。荧光发光谱(PL)测量结果显示,InGaAs/GaAs SQDs的发光强烈依赖于Si掺杂浓度。随着掺杂浓度的增加, SQDs的PL峰值位置先红移后蓝移; PL峰值能量与激光激发强度的立方根依赖关系由线性向非线性转变;通过组态交互作用方法发现SQDs的PL峰位蓝移减弱;时间分辨荧光光谱显示了从非线性衰减到线性衰减的转变。以上结果说明Si掺杂能够填充InGaAs SQDs的表面态,并且改变表面费米能级钉扎效应和SQDs的荧光辐射特性。本研究为深入理解与InGaAs SQDs的表面敏感特性关联的物理机制和载流子动力学过程,以及扩大InGaAs/GaAs SQDs传感器的应用提供了实验依据。