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通过采用Cl2流量250mmol/s列管射流式氧发生器的COIL出光实验,得到了激光输出功率随碘副气流相对于氧主气流混合穿透深度的变化规律。实验结果表明,穿透深度对激光功率影响较大,存在最佳穿透深度,约为3.16mm,计算的最佳穿透深度与实验得到的最佳穿透深度基本一致。通过逐步改变供碘系统的碘气流流量,测量激光的输出功率,在实验上证实并找到了COIL的最佳碘流量值,约为4.5mmol/s,这一结果比以往文献所登载的最佳碘流量值要确切。 相似文献
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目的探讨肿瘤干细胞标志CD166在原发结肠癌组织中的表达及其临床生物学意义。方法收集57例患者的原位结肠癌组织,应用免疫组织化学检测其CD166表达。应用流式细胞分选(FACS)技术,以CD166/CD133标志分选结肠癌细胞株SW620,通过NOD/SCID小鼠脾脏移植,观察肝转移情况。结果 CD166可表达于结肠癌细胞的细胞质和细胞膜,其中细胞质阳性率98.2%(56/57),细胞膜阳性率42.1%(24/57)。膜CD166阳性表达与局部浸润(P=0.010)、pTNM分期(P=0.035)、远处转移(P=0.013)、年龄(P=0.026)相关;而与性别(P=0.426)、淋巴结转移(P=0.104)、肿瘤分化(P=0.171)无相关性。Log-rank生存分析显示:结肠癌细胞膜CD166阳性表达与患者生存期(P=0.014)呈负相关。动物实验的初步结果显示:脾包膜接种CD166阳性的SW620细胞可形成肝转移灶。结论 CD166阳性表达与肿瘤局部进展和远处转移有关,是判断预后不良的标志,CD166阳性的肿瘤细胞可能具有肝转移潜能。 相似文献
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提出了一种基于射频直线加速器的多脉冲X光照相系统,有望用于材料动态性能诊断等流体物理动力学研究。基于射频加速器的特点,该套照相系统能够产生时间跨度10 s以上、数个脉冲间隔可调、脉宽为几十至一百ns的脉冲电子束,产生电子束束斑半高宽尺寸小于1 mm。通过蒙特卡罗模拟程序Geant4,分析计算了特定的几何布局以及不同厚度及电子束束斑条件下,电子束打靶后在靶中的能量沉积,靶中的电子束散射对X光焦斑的影响,以及1 m处的照射量,探讨了这套X光照相系统的应用可行性。结果表明,在30 MeV,400 nC电子束轰击厚度为1 mm的靶条件下,1 m处照射量约为9.1 R,靶厚在1~2 mm范围内并未引起X光焦斑的明显增大。较小横向尺寸的电子束会引起靶体局部升温严重,将会制约脉冲数量;采用旋转靶能够提升脉冲数量,通过分析二维旋转靶的应力,分析了靶材升温以及钽/钽合金屈服强度对脉冲间隔的限制作用。 相似文献
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局部屈曲FRP增强薄壁钢管混凝土抗震性能 总被引:1,自引:0,他引:1
为了研究FRP(Fiber Reinforced Polymer)增强薄壁钢管混凝土的抗震机理,提出FRP约束钢管局部屈曲应力-应变关系并建立FRP约束钢管恢复力模型,在此基础上建立FRP增强薄壁钢管混凝土柱滞回模型,开展FRP增强薄壁钢管混凝土柱拟静力试验以验证滞回模型的合理性,同时考查FRP布置方式对柱体抗震性能的影响,利用滞回模型对FRP增强薄壁钢管混凝土的耗能机理进行分析。研究表明,薄壁钢管局部屈曲所导致的强度退化是柱体抗震性能劣化的主要原因,基于纤维力学特性合理设计FRP的增强方式可有效提升柱体的抗震性能。CFRP宜采用环向约束方式抑制薄壁钢管的局部屈曲;GFRP宜采用纵向抗弯方式提高柱体大变形下的承载能力。FRP增强薄壁钢管混凝土的耗能主要由钢管承担,在本文研究参数范围内,薄壁钢管耗能占比超过80%,混凝土耗能介于10%~20%,纵向FRP耗能小于8%,对薄壁钢管实施有效约束后,其耗能可提高40%以上。 相似文献
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中缅油气管道是第一条长距离跨山区输油管道,途经我国地形地貌复杂、地质灾害频发的西南山区。严峻的自然地理环境使得原油管道的运行风险极大。输油管道破裂后,泄漏的油品将导致土壤变质和大面积水体污染等环境污染问题,快速预测原油的泄漏影响范围对于泄漏抢险工作具有重要意义。本文基于数字高程模型构建真实山体地形,通过流体质点追踪法描绘泄漏路径与扩散范围,提出了一种快速泄漏预测方法。使用该方法对山地管道泄漏的各种工况进行计算,研究了各种地形下泄漏路径、范围的不同特征,得到了各种影响因素对泄漏的作用。可为山地区域输油管道泄漏的抢险工作提供有效的参考。 相似文献
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Plasma assisted molecular beam epitaxial growth of GaN with low growth rates and their properties
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A systematic investigation on PA-MBE grown GaN with low growth rates(less than 0.2μm/h)has been conducted in a wide growth temperature range,in order to guide future growth of sophisticated fine structures for quantum device applications.Similar to usual growths with higher growth rates,three growth regions have been revealed,namely,Ga droplets,slightly Ga-rich and N-rich 3D growth regions.The slightly Ga-rich region is preferred,in which GaN epilayers demonstrate optimal crystalline quality,which has been demonstrated by streaky RHEED patterns,atomic smooth surface morphology,and very low defect related yellow and blue luminescence bands.The growth temperature is a critical parameter to obtain high quality materials and the optimal growth temperature window(~700-760℃)has been identified.The growth rate shows a strong dependence on growth temperatures in the optimal temperature window,and attention must be paid when growing fine structures at a low growth rate.Mg and Si doped GaN were also studied,and both p-and n-type materials were obtained. 相似文献