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在最弱受约束电子势模型理论中,电子被分成最弱受约束电子和非最弱受约束电子,而假定最弱受约束电子在核和非最弱受约束电子形成的势场中运动,这样许多多电子体系的问题可以简化成最弱受约束电子的单电子问题来解决.最弱受约束电子势模型理论已经被成功地应用于跃迁几率,振子强度和原子能级的计算.应用一组方程计算了Si III的离子自旋允许跃迁的跃迁几率,计算结果与标准值比较是相当令人满意的,误差均在15%以下.而且表明最弱受约束电子势模型理论可以非常简便并准确地应用于计算高激发态间的跃迁几率. 相似文献
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Laser induced damage threshold (LIDT) of multi-layer dielectric used in pulse compressor gratings (PCG) was investigated. The sample was prepared by e-beam evaporation (EBE). LIDT was detected following ISO standard 11254-1.2. It was found that LIDTs of normal and 51.2°incidence (transverse electric (TE) mode) were 14.14 and 9.31 J/cm2, respectively. A Nomarski microscope was employed to map the damage morphology, and it was found that the damage behavior was pit-concave-plat structure for normal incidence, while it was pit structure for 51.2°incidence with TE mode. The electric field distribution was calculated to illuminate the difference of LIDT between the two incident cases. 相似文献
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The single- and multi-shot damage behaviors of HfO2/SiO2 high-reflecting (HR) coatings under Nd:YAG laser exposure were investigated. Fundamental aspects of multi-shot laser damage, such as the instability due to pulse-to-pulse accumulation of absorption defect and structural defect effect, and the mechanism of laser induced defect generation, are considered. It was found in multi-shot damage, the main factors influencing laser-induced damage threshold (LIDT) are accumulation of irreversible changes of structural defects and thermal stress that induced by thermal density fluctuations. 相似文献
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在教学过程中 ,按照学生的知识和能力结构 ,结合高等数学的教学内容及特点 ,本文针对如何运用推理手段培养学生的逆向思维能力、设置相关问题培养学生创造思维能力、编制解题方法流程图培养学生发散型思维能力以及如何引入教学案例 ,解决思维障碍问题进行了研究和探索 相似文献
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