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41.
采用Potts模型Monte Carlo方法研究了晶粒棱长、尺寸与拓扑学特征之间的统计关系.结果表明,晶粒棱长与晶粒面数之间呈线性统计关系,并且平均N面体晶粒模型和Poisson-Voronoi组织均支持该结论.不同时刻的晶粒长大仿真数据表明,在准稳态晶粒长大阶段晶粒棱长的分布具有自相似性.个体晶粒的平均棱长随晶粒面数(或晶粒尺寸)的增加而逐渐增大,这说明一些理论模型中采用的“不同面数的晶粒平均棱长均相等”的假设具有局限性.仿真数据和纯铁实验数据均表明,晶粒尺寸与晶粒面数之间的统计关系表现为一条单调递增的凸曲线.
关键词:
晶粒棱长
晶粒尺寸
拓扑学
Monte Carlo仿真 相似文献
42.
截卵形弹头对混凝土靶侵彻性能的试验研究 总被引:6,自引:0,他引:6
介绍了截卵形弹头钻地弹对混凝土靶的侵彻试验研究结果。根据缩比钻地弹侵彻过程的高速录像和试验结果对弹丸运动状态进行了分析,得出了截卵形弹头钻地弹侵彻混凝土靶的速度变化曲线和阻力变化曲线;利用缩比理论,给出了标准钻地弹对混凝土靶侵彻性能的计算方法和分析结果。 相似文献
43.
应用不对称一维光子晶体结构制备窄光谱LED 总被引:6,自引:0,他引:6
对周期性的GaAlAs/AlAs模块堆积组成的有缺陷的一维光子晶体的光波传输模式进行了理论与实验研究。由于堆积结构的周期性受到破坏,导致了光子晶体中模密度发生变化,光波的传播也发生了变化。对模密度和光的传播模式分别用流行的光子能态理论和光学传输矩阵进行了计算和模拟。计算发现采用不对称结构的一维光子晶体结构在实际应用中有更大的灵活性。用金属有机物化学汽相沉积方法实现一维光子晶体,并用于裁剪普通的发光二极管电致发光谱,在20mA的激发电流下,半峰全宽为2.8mm,单色性优 于共振腔发光二极管。在较大的激发电流下,带边发射的增强现象也被观测到。 相似文献
44.
La3Ga5SiO14电光调Q的Nd:LiYF激光器研究 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了以Nd:LiYF(Nd:LYF)为增益介质、用硅酸镓镧(La3Ga5SiO14,LGS)晶体进行电光调Q的非稳腔调Q激光器的脉冲特性。Nd:LiYF的两端按σ偏振1、053μm光的布儒斯特角切割,不需另加起偏镜.实现了单一偏振光振荡。LGS晶体电光Q开关插入损耗小(2%),抗光伤阈值高(950MW/cm^2),与DKDP相比,具有不潮解等优点。当抽运能量为120J、重复率3Hz时,单脉冲输出能量为275mJ,脉冲宽度为8ns.动静比为76%.输出能量不稳定度小于3%,偏振度大于99%,光束发散角为0.7mrad。文中还对本激光器偏振特性、非稳腔设计、LiYF导热性能和热透镜效应补偿进行了分析.对LGS电光调Q开关工作性能、工作方式以及存在的问题也进行了分析。 相似文献
45.
针对斜拉索的基频检测系统进行了研究,提出基于ARM+DSP的拉索振动信号分析检测技术.首先分析了前端振动信号的采集方法和信号处理技术,然后在ARM+DSP平台中进行基频分析算法的实现与优化,最终选取SEED-DEC138工业参考设计平台,并利用双核芯片进行关键模态分析算法的移植优化以及预处理算法的开发,实现了一种新的斜拉索振动信号处理系统.试验结果表明:新系统既能保证较高的检测精度,同时也能保证很好的实时性. 相似文献
46.
大长径比点火管高密实火药床点传火过程两相流的数值模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
设计了某中心点火管,完成了该点火管的点传火实验,针对该点火管长径比大、装填密度高的特点,建立了点火管内气固两相流动和燃烧过程的一维两相流模型,并进行了数值模拟。计算结果与实验结果良好符合,说明计算模型能够准确描述点火管内的实际物理化学过程,计算程序参数取值合理,该计算程序可为此类点火管各种结构尺寸及装填条件下的点传火性能分析及优化计算提供充分的理论依据和方法。并且,根据计算结果初步分析了该结构及装填条件下点火管的点传火性能,为下阶段工程优化设计提供参考 相似文献
47.
采用经典硼氢化反应, 通过硼烷二级硫醚(BH3·SMe2)与二甲基二乙烯基硅烷(DVS)反应, 合成了聚硼碳硅烷(PBCS)陶瓷先驱体, PBCS在氮气中经高温裂解得到了高硼含量的SiC陶瓷.利用红外光谱、核磁共振波谱和热重分析对聚合物的结构和性能进行了表征; 利用元素分析、X射线衍射和扫描电子显微镜对聚合物的裂解产物进行了分析.结果表明, 聚合物的结构中含有B—C, Si—C和C—H键, 在1000℃氮气气氛中, 其陶瓷产率在50%以上.陶瓷产物在1100℃以无定形态存在, 硼含量高达6.46%, 在1300℃时出现明显结晶, 形成B2O3, C和β-SiC三相组成的多元复相陶瓷, 在1500℃以下陶瓷产物表面光滑, 结构致密. 相似文献
48.
49.
Improved thermoelectric performance in p-type Bi_(0.48)Sb_(1.52)Te_3 bulk material by adding MnSb_2Se_4
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Bismuth telluride(Bi_2Te_3) based alloys, such as p-type Bi_(0.5)Sb_(1.5)Te_3, have been leading candidates for near room temperature thermoelectric applications. In this study, Bi_(0.48)Sb_(1.52)Te_3 bulk materials with MnSb_2Se_4 were prepared using high-energy ball milling and spark plasma sintering(SPS) process. The addition of MnSb_2Se_4 to Bi_(0.48)Sb_(1.52)Te_3 increased the hole concentration while slightly decreasing the Seebeck coefficient, thus optimising the electrical transport properties of the bulk material. In addition, the second phases of MnSb_2Se_4 and Bi_(0.48)Sb_(1.52)Te_3 were observed in the Bi_(0.48)Sb_(1.52)Te_3 matrix. The nanoparticles in the semi-coherent second phase of MnSb_2Se_4 behaved as scattering centres for phonons,yielding a reduction in the lattice thermal conductivity. Substantial enhancement of the figure of merit, ZT, has been achieved for Bi_(0.48)Sb_(1.52)Te_3 by adding an Mn_(0.8)Cu_(0.2)Sb_2Se_4(2mol%) sample, for a wide range of temperatures, with a peak value of 1.43 at 375 K, corresponding to ~40% improvement over its Bi_(0.48)Sb_(1.52)Te_3 counterpart. Such enhancement of the thermoelectric(TE) performance of p-type Bi_2Te_3 based materials is believed to be advantageous for practical applications. 相似文献
50.