AlH3的制备及放氢特性

以LiAlH₄, LiBH₄和AlCl₃为原料, 采用有机合成法制备了单一相的α-AlH₃和γ-AlH₃, 并对其放氢性能进行了研究.结果表明, 两种晶型AlH₃的放氢量均可达8.3%~8.5%(质量分数), 放氢温度范围在120~160℃之间, 且γ-AlH₃的放氢峰值温度比α-AlH₃低8.2℃; α-AlH₃和γ-AlH₃的放氢反应表观活化能分别为94.6和86.3 kJ/mol; 加热过程中α-AlH₃直接发生放氢反应, γ-AlH₃在放氢前先发生向α-AlH₃的相变, 这一相变过程使得AlH₃的晶格得到活化, 从而促进放氢反应的进行.     

石河子市碘缺乏病防治阶段目标评估

对新疆石河子市碘缺乏病防治效果进行了阶段性目标评估,结果为：组织领导、碘盐管理、健康教育得分与碘盐合格率、尿碘中位数,甲状腺肿大率均达到阶段消除标准。     

LiAlH4与LiNH2的相互作用机理及储氢特性

将LiAlH4和LiNH2按摩尔比1：2进行球磨复合,随后将复合物进行加热放氢特性研究,然后对其完全放氢后的产物进行再吸氢特性研究。通过X射线衍射分析(XRD)、热分析(DSC)和红外 (FTIR)分析等测试手段对其反应过程进行了系统分析研究。研究结果表明,LiAlH4/2LiNH2加热放氢分为3个反应阶段,放氢后生成Li3AlN2,总放氢量达到8.65wt%。放氢生成的Li3AlN2在10MPaH2压力和400℃条件下,可以可逆吸氢5.0wt%,吸氢后的产物为 LiNH2 、AlN和LiH,而不能再生成LiAlH4。本文对LiAlH4/2LiNH2复合物放氢/再氢化过程机理进行了分析。     

Multi-window invisible cloaks

This paper reports that a general method of designing invisible cloaks is using variant constitutive material parameters to realize the space transformation. A hollow region can be hidden after this transformation. It was recently shown (Ma H, Qu S B, Xu Z and Wang J F 2009 \wx{Appl. Phys. Lett.}{94} 103501) that when the original point moves to the boundary of a cloak, the cloak can be designed to be open. Based on this theory, we propose multi-window invisible cloaks which can conceal a group of objects. Full wave simulations for invisible cloaks with regular and irregular shapes verified this method.     

二阶奇异微分方程边值问题的正解

利用上下解方法研究二阶奇异微分方程u″+f(t,u)=0在边界条件αu(0)-βu′(0)=0,γu(1)+δu′(1)=0下正解的存在性.允许f(t,u)在t=0,1处奇异.     

铅离子对碳纳米颗粒荧光发射规律的影响

以热解石墨为原料,利用电化学方法,制备了荧光碳纳米颗粒。系统地研究了在不同浓度、时间、pH值、温度等条件下,Pb2+离子对碳纳米颗粒荧光发射规律的影响。实验结果表明:Pb2+离子不改变光谱形状,但可以降低荧光峰值强度;Pb2+离子作用荧光碳纳米颗粒的时间越长,猝灭效率越低;pH值不同,猝灭效率不同;随着温度的升高,Pb2+离子对碳纳米颗粒荧光的猝灭效率逐步提高。其猝灭机理可能为电荷转移猝灭和动态猝灭。     

伴随粒子法γ能谱本底测量技术

为了解决伴随粒子法瞬发能谱实验中随机本底的影响,通过实验研究了标记中子和非标记中子与物质作用产生的瞬发信号和随机本底信号。对不同情况随机本底谱测量进行了分析,提出了小尺度样品和大尺度样品本底测量方式。研究表明:对小尺度样品,可以通过去掉样品,选择与有样品测量的谱相同的时间窗进行本底测量;对于大尺度样品,可以通过在随机本底范围选取时间窗进行本底测量。     

Growth and Annealing Study of Mg-Doped AlGaN and GaN/AlGaN Superlattices

Mg-doped AlGaN and GaN/AlGaN superlattices are grown by metalorganic chemical vapour deposition （MOCVD） Rapid thermal annealing （RTA） treatments are carried out on the samples. Hall and high resolution x-ray diffraction measurements are used to characterize the electrical and structural prosperities of the as-grown and annealed samples, respectively. The results of hall measurements show that after annealing, the Mg-doped AIGaN sample can not obtain the distinct hole concentration and can acquire a resistivity of 1.4 ×10^3 Ωcm. However, with the same annealing treatment, the GaN/AlGaN superlattice sample has a hole concentration of 1.7 × 10^17 cm-3 and a resistivity of 5.6Ωcm. The piezoelectric field in the GaN/AlGaN superlattices improves the activation efficiency of Mg acceptors, which leads to higher hole concentration and lower p-type resistivity.     

"物理"应是高职高专院校不可或缺的基础课

近年来，高职高专院校存在着“砍杀”基础课程的偏向，不是砍门数就是减课时，就连“物理”这门各专业都需要的基础课也大都被“请”出了专业教学计划．试想没有了基础课或基础不稳，造成的后果是什么．