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71.
72.
焊接电弧三维电子密度的测量对于焊接质量控制具有重要意义,通过光谱仪采集电弧弦方向特征谱线轮廓,利用多项式拟合对径向采集数据进行降噪及平滑处理,通过Abel逆变换法重新构建径向光谱发射系数谱线轮廓,采用傅里叶变换从重建光谱轮廓中分离出Lorentz线形,获得Stark展宽,最终计算了TIG焊电弧等离子体电子密度的三维空间分布。 相似文献
73.
在二维视觉测量过程中,测量平面与标定平面的重合度是影响测量精度的重要因素。现有的二维视觉测量方法将平面标定过程及测量过程分步进行,测量平面与标定平面存在离面位移,通常需要精密的约束装置对标定靶标及待测物进行校准操作。为简化二维视觉测量过程并抑制离面位移,提出一种即时平面标定的二维视觉测量方法,通过在待测物上直接投射标定的激光点阵,建立待测平面与成像平面的映射关系,再根据该映射关系对待测物表面的特征点进行测量计算。该方法仅需对系统参数进行一次标定,与无离面误差校正的传统二维视觉测量方法相比,提高了测量精度,简化了测量过程。 相似文献
74.
为满足FP系列流速仪的计量检定需求,提出了一种小型便携式流速仪检定系统的设计方案。根据匀速运动时间等约束条件确定了环形水槽的几何参数。采用FPGA和上位机作为数据处理和控制核心,实现了对伺服电机转速的精确控制。设计了光电编码器和无线摄像机与上位机之间的通信方式,实现了检定装置标准流速值和被检仪器示值的数据读取。对测试数据的处理方法和测控软件的结构框架进行了分析。同时,对实验装置的测量误差进行了分析。结果表明,标准流速值的扩展不确定度为1.28×10-3m/s,检定装置符合量值传递要求,可作为FP系列流速仪计量检定的标准装置。 相似文献
75.
以三元硅酸盐熔体团簇结构模型为基础,选取了Na2O-Al2O3-SiO2体系不同成分的团簇结构,采用半经验量子化学方法MNDO/d分别计算该三元体系熔体中不同结构的团簇基元在1473、1873、2000 K温度下的熵、焓、热容和自由能等热力学数据,计算得出不同团簇结构基元的混合自由能,并根据统计热力学波尔兹曼分布定律,推导计算得出Na2O-Al2O3-SiO2三元体系各成分下的混合摩尔自由能。三元硅酸盐熔体的热力学性质与该熔体的微观结构密切相关。 相似文献
76.
在飞行器地面试验中,新型ICP脉动压力传感器常用来测量飞行器与发射筒之间的关键位置表面由于空气脉动产生的脉动压力参数;ICP脉动压力传感器工作时需要恒流源供电,同时其输出信号不能满足大多数模数转换芯片对于输入电压的要求,针对以上问题,提出了一种基于新型ICP脉动压力传感器的信号调理电路,并详细介绍了电源电路、脉动压力信号调理电路等模块的设计原理和方法;测试结果表明该设计能够满足新型ICP脉动压力传感器3.4 mA恒流源供电需求,并且能准确地将其输出电压信号调理为0.366~2.13 V,符合AD7667转换范围要求,同时能有效地滤除信号中混入的9.6 kHz以上的高频噪声以及椭圆型高阶低通滤波器自身引入的开关噪声;该信号调理电路可靠性高,已经成功应用于飞行器地面发射试验中。 相似文献
77.
78.
采用波长为532nm的脉冲激光从31.5m的距离辐照可见光面阵电荷耦合器件(CCD),实验观察到了规律性圆环条纹的产生。通过增大激光束的入射角度、调节衰减倍率、重复频率和作用距离,研究了这些规律性圆环条纹的产生条件和机理。结果发现:保持激光器与CCD的作用距离31.5m不变,在激光束的入射角小于或者稍稍大于光学系统半视场角6.8°的情况下,只要光学系统入瞳处的功率密度达到10-3 W/cm2量级,就可以观察到规律性的圆环条纹。通过对探测器表面能量分布进行数学仿真,证实规律性的圆环条纹是由于光学系统入瞳的衍射效应而产生的。 相似文献
80.
Fabrication and investigation of ferroelectric memristors with various synaptic plasticities 下载免费PDF全文
In the post-Moore era, neuromorphic computing has been mainly focused on breaking the von Neumann bottlenecks. Memristors have been proposed as a key part of neuromorphic computing architectures, and can be used to emulate the synaptic plasticities of the human brain. Ferroelectric memristors represent a breakthrough for memristive devices on account of their reliable nonvolatile storage, low write/read latency and tunable conductive states. However, among the reported ferroelectric memristors, the mechanisms of resistive switching are still under debate. In addition, there needs to be more research on emulation of the brain synapses using ferroelectric memristors. Herein, Cu/PbZr0.52Ti0.48O3 (PZT)/Pt ferroelectric memristors have been fabricated. The devices are able to realize the transformation from threshold switching behavior to resistive switching behavior. The synaptic plasticities, including excitatory post-synaptic current, paired-pulse facilitation, paired-pulse depression and spike time-dependent plasticity, have been mimicked by the PZT devices. Furthermore, the mechanisms of PZT devices have been investigated by first-principles calculations based on the interface barrier and conductive filament models. This work may contribute to the application of ferroelectric memristors in neuromorphic computing systems. 相似文献