基于线阵InGaAs光电二极管阵列的光纤光栅传感解调

采用线阵InGaAs光电二极管阵列和体相位光栅并结合空分复用和波分复用技术,对光纤光栅传感进行解调.设计了基于线阵InGaAs光电二极管阵列和体相位光栅的光纤光栅传感解调系统,通过系统测试和性能分析,该解调系统解调带宽42 nm,信噪比30 dB,波长偏移测量精确度±15 pm,功率测量精确度为±0.3 dB.基于线阵InGaAs光电二极管阵列和体相位光栅的光纤光栅解调系统不但尺寸小,功耗低,而且具有较高的解调速度.     

自由面对潜艇尾流场流动特性影响研究

潜艇周围绕流场流动特性会影响潜艇的机动性能,特别是近水面航行时,自由面的存在会增大潜艇尾流场的复杂程度.为探究潜艇在近水面航行时自由液面对潜艇尾流场流动特性的影响机理,借助大型水下三维粒子图像测速技术开展潜艇尾流场流动特性研究.首先通过美国泰勒水池标准模型实验结果对试验方法准确性进行验证;随后,用验证后的模型试验方法对...     

1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑酮与甲基膦酸二(1-甲基庚基)酯对Pb(Ⅱ)、Cd(Ⅱ)和Cu(Ⅱ)的萃取机理研究

本文用两相滴定法研究了1-苯基-3-甲基-4-苯甲酰基-5-吡唑酮(PMBP,简写为HA)与甲基膦酸二(1-甲基庚基)脂(P_(350),简写为B)对Pb~(2+)、Cd_(2+)和Cu~(2+)离子在不同的有机溶剂中的萃取机理.(?)定了萃合物的组成分别为:MA_2(M=Pb~(2+)、Ca~(2+)、Cu~(2+));MA_2·HA(M=Cd~(2+));MA_2·B(M=Pb~(2+)、Cd~(2+))和MA_2·2B(M=Cd~(2+)),同时求得了相应的萃合常数β值.     

微波辐射条件下季戊四醇双缩醛和双缩酮化合物的合成

微波辐射硫酸锆-硅胶催化季戊四醇与醛、酮缩合反应,高收率制得了双缩醛和双缩酮化合物.该方法操作简便,收率高,催化剂可重复使用,是一种环境友好型催化反应.     

河海大学工程力学系、工程力学研究所介绍

河海大学(原华东水利学院)工程力学系建于1960年,根据水电建设和经济发展的需要,60年代设立应用力学专业,70年代设立水工建筑力学专业,1977年设立了工程力学专业,根据系所结合体制的需要,于1982年建立工程力学研究所.工程力学系与工程力学研究所.下设理论力学、材料力学、结构力学、弹塑性力学、计算力学、实验     

贸易开放、人力资本结构高级化与科技创新能力——基于省级面板数据的实证分析

科技创新是提高社会生产力和综合国力的战略支撑,人力资源是第一资源。采用固定效应模型,实证检验了贸易开放和人力资本结构高级化对科技创新的影响,研究发现,贸易开放和人力资本结构高级化是促进科技创新能力的显著因素,其中人力资本结构高级化对科技创新能力的影响更大。异质性分析的结果表明,贸易开放和人力资本结构高级化对科技创新的影响会因地理区域位置的不同而有所差异。因此,我国应该采用更加积极主动的贸易开放政策和人才培养战略,营造良好的科技创新氛围,以提升整体科技创新能力水平,进一步增强综合国力,提升国际地位。     

基于剪切效应纤维梁单元的结构非线性有限元数值模拟

基于Euler-Bernoulli梁理论的经典纤维模型忽略了剪切变形给截面带来的影响,为了得到更加精确的梁单元模型,该文基于考虑剪切效应的纤维梁单元,根据Timoshenko梁理论,推导了该纤维梁单元的刚度矩阵,并结合弹塑性增量理论,同时考虑了几何非线性和材料非线性的双重影响,建立了压弯剪复杂应力状态下结构非线性有限元...     

Interface states in Al_2O_3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor structure by frequency dependent conductance technique

Frequency dependent conductance measurements are implemented to investigate the interface states in Al2O3/AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor(MOS) structures. Two types of device structures, namely, the recessed gate structure(RGS) and the normal gate structure(NGS), are studied in the experiment. Interface trap parameters including trap density Dit, trap time constant τit, and trap state energy ETin both devices have been determined. Furthermore,the obtained results demonstrate that the gate recess process can induce extra traps with shallower energy levels at the Al2O3/AlGaN interface due to the damage on the surface of the AlGaN barrier layer resulting from reactive ion etching(RIE).