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101.
水—正己烷—甲醇体系的液液平衡研究   总被引:3,自引:0,他引:3  
随着国民经济的发展 ,汽油、柴油等发动机燃料的供求关系会日趋紧张 ,寻求代用燃料是今后燃料工业发展的必然趋势 ,而以甲醇、乙醇等作为部分代用燃料成分是今后的一个重要方向[1] 。由于传统的甲醇合成工艺受到传热、传质和化学平衡的限制 ,原料及能源的利用率有待于进一步提高。钟炳等人根据超临界相反应特点 ,向体系中加入适宜溶剂如正己烷 ,在超临界条件下合成甲醇 ,同时克服了现有过程存在的热力学限制和传热限制 ,并将CO单程转化率提高到 90 %以上[2 ] 。但是 ,正己烷的加入给合成甲醇过程带来了产物分离和溶剂回收问题。反应器流出…  相似文献   
102.
纳米微粒生长过程的分子动力学研究   总被引:9,自引:0,他引:9  
利用分子动力学方法研究了无定形氮化硅的微观结构,并在此基础上利用相同的势能模型模拟了纳米氮化硅微粒在无定形硅表面的生长过程,研究了微粒生长的动力学特征.  相似文献   
103.
疲劳裂纹扩展柔度法测量系统研究   总被引:8,自引:0,他引:8  
为了寻求高温高压环境介质下的疲劳裂纹扩展的测量方法,本文研制了基于柔度法的疲劳裂纹扩展系统。根据显微镜的标定结果,验证该计算机自动测量系统给出了可信的测量结果。其中,位移由涡流位移传感器测得,载荷由试验机自带的标准传感器测得。计算机实时采集并处理测试信号,给出裂纹扩展速率。文中介绍了该系统的功能及应用前景。作为应用实例,给出了42CrV和IR3Mo等钢种的疲劳裂纹扩展速度及门槛值。  相似文献   
104.
在柱坐标下,通过引入状态变量,建立了横观各向同性压电介质空间非轴对称问题的状态变量方程.利用Fourier级数和Hankel变换,将文中提出的状态变量方程转换为一阶常微分方程组.采用求解常微分方程组的矩阵方法,得到以状态变量和传递矩阵的乘积的形式表示的单层压电介质的解析解.给出了状态变量解的应用,即利用状态变量解求解半无限压电体在坐标原点作用着垂直集中力Pz,x方向的水平集中力Px和集中点电荷的解.由层间完全接触的条件,给出了N层压电体非轴对称问题的一般解析表达式.  相似文献   
105.
2(1H)-喹啉-2,4-二酮类化合物抗小麦锈病的3D-QSAR研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
用比较分子力场分析(CoMFA)方法和比较分子相似性指数分析(CoMSIA)方法研究了21个2(1H)-喹啉-2,4-二酮类化合物抗小麦锈病的三维定量构效关系(3D-QSAR),发现用CoMFA方法可以找到最佳的3D-QSAR模型,并通过量子化学从头计算的方法研究了不同活性化合物的前线轨道及静电势分布图的差异.所得构效关系模型为发现更高活性的化合物提供理论指导.  相似文献   
106.
超宽带TEM天线的数值模拟   总被引:13,自引:9,他引:4  
 用数值方法研究了超宽带电磁脉冲源经同轴型传输线输出到TEM天线上的发射问题。TEM喇叭天线的前端是平行板传输线。用时域有限差分方法模拟了超宽带电磁脉冲在平行板传输线和TEM波喇叭中的传输,给出了天线的输入阻抗和电压驻波比随频率的变化关系、天线的辐射场分布以及天线辐射的能量方向图等。  相似文献   
107.
王森  李志凯  秦张峰  董梅  李俊汾  樊卫斌  王建国 《催化学报》2021,42(7):1126-1136,中插21-中插24
甲醇制烯烃(MTO)作为一条由煤、天然气和生物质等含碳资源制备重要有机化学品的非石油路线,近年来备受关注.作为MTO催化剂,分子筛的骨架拓扑结构和酸性质对于其催化活性、反应路径和产物分布等具有重要的影响.H-ZSM-5分子筛是一种典型的MTO反应催化剂,酸位可以分布在MFI拓扑结构的直孔道、正弦孔道和交叉位点处.虽然目...  相似文献   
108.
 在时域有限差分算法中,完全匹配层是一种高效的吸收边界条件。通过在标准完全匹配层(PML)方程中添加具有物理意义的电导率和导磁率附加项,提出了修正完全匹配层(MPML)方法,给出了圆柱坐标下3维MPML方程,并应用于2.5维圆波导开放边界的截断计算。计算结果表明,在不同频率和模式的激励下,加入平滑电导率和导磁率附加项后,与标准PML方法相比,MPML方法的相对误差降低8~10 dB。  相似文献   
109.
运用密度泛函理论系统地研究了已知的磷化镍晶体如Ni3P、 Ni12P5、 Ni2P、 Ni5P4、 NiP、 NiP2 和 NiP3等的结构、成键以及相关的热力学稳定性,对于结构简易化合物(Ni2P和NiP3)的弹性行为进行了预测。这些数据有助于更好的理解磷化镍的催化活性。  相似文献   
110.
蔡利兵  王建国  朱湘琴 《物理学报》2011,60(8):85101-085101
通过粒子模拟方法,实现了强直流场下介质表面击穿过程中次级电子倍增效应的数值模拟.具体研究了强直流场场强、介质表面光滑度和次级电子产生率等对次级电子倍增的影响,以及倾斜直流场和外加磁场对次级电子倍增的抑制.结果表明,选择次级电子产生率较低的介质材料和倾斜强直流场可以有效降低次级电子倍增效应的强度,而外加磁场必须超过一定值时才可以有效降低次级电子倍增强度. 关键词: 次级电子倍增 强直流场 介质表面击穿 数值模拟  相似文献   
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