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双模腔场中具有不同耦合常数的两原子多光子辐射谱 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了与双模腔场具有不同耦合常数的两个二能级原子的多光子辐射谱,给出了双模多光子辐射谱的一般表达式.结果表明,当双模腔场分别处于不同数态时,虽然两原子与双模腔场之间具有不同的耦合常数,但对于任意的N1和N2(Ni(i=1,2,)为模i腔场被每个原子吸收或发射的光子数),辐射谱总是关于共振频率ω0对称分布;并且,当N1=N2时,对于任意的数态光子数n1和n2交换,辐射谱不变.上述特点用解析方法给予了解释.计算了非简并双光子情况下的辐射谱,并得到了一些新结果.双模腔场中单原子及具有相同耦合常数的两原子辐射谱可从本文结果分别做为特例而得到. 相似文献
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Enhancement of Photoluminescence Intensity of GaInNAs/GaAs Quantum Wells by Two-Step Rapid Thermal Annealing 下载免费PDF全文
We investigate the effect of rapid thermal annealing on InGaNAs/GaAs quantum wells. At optimized annealing temperatures and times, the greatest enhancement of the photoluminescence intensity is obtained by a special two-step annealing process. To identify the mechanism affecting the material quality during the rapid thermal annealing, differential temperature analysis is applied, and temperature- and power-dependent photoluminescence is carried out on the samples annealed under different conditions. Our experiment reveals that some composition redistribution or other related ordering processes may occur in the quantum-well layer during annealing. Annealing at a lower temperature for a long time primarily can remove defects and dislocations while annealing at a higher temperature for a short time primarily homogenizes the composition in the quantum wells. 相似文献
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为实现高压、大电流脉冲变压器在高重复频率电压作用下稳定运行,变压器的绝缘选择与布置是其设计时重点考虑的问题之一。在短脉宽、高幅值的电压作用下,变压器绕组本身形成了一个不均匀场,如果绕组绝缘结构设计不当,就很容易在绕组的局部产生畸变的强电场,导致变压器绕组击穿,对脉冲功率发生装置的研制工作造成了极大的危害。这种现象在高频下更为明显。因此,研究高功率脉冲变压器绕组的电压分布,采用适当的措施实施有效方法进行绕组结构优化设计,改善高功率脉冲变压器绕组的电压分布,将会在很大程度上提高高功率脉冲变压器重复工作的能力,对保证高功率脉冲发生器可靠、安全运行具有重要的理论与工程意义。 相似文献
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As for the obstacles to direct comparison between superhigh and lower frequencies, we accomplish the accurate comparison between low and microwave frequencies with the 10^5 ratios of the operating frequencies on the basis of phase comparison between the signals whose frequencies are related by an arbitrary integer. This method is simple and accurate, and will be widely used as a special frequency comparison approach. 相似文献
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The full-potential linearized augmented plane wave method was applied to study the electronic and the magnetic properties of the compound pipz-H2[MnF4(HF2)](pipz=piperazine). The band structure, the total density of states, the partial density of states and the electron density were calculated to explain the electronic and the magnetic properties of pipz-H2[MnF4(HF2)] in the ferromagnetic state. It is found that the magnetic moment of the molecule mainly comes from the Mn atoms with partial contribution from the F atoms. The symmetrical σ/σ bonds via H atoms along Mn-F-H-F-Mn chains and the weak direct-exchange interaction between F(2), F(3) and Mn atoms have effect on the electronic structure and the magnetism of pipz-H2 [MnF4(HF2)]. 相似文献