多动型变焦距物镜设计

变焦距光学系统在校正像差的同时还必须满足像面稳定的要求,补偿或消除由于光学系统中各组元的运动所造成的像相对接收器的偏移。利用动态光学稳像原理,推导变焦距光学系统的稳像方程,建立变焦距光学系统的数学模型,设计光学系统的凸轮曲线。给出了变焦距物镜的动态分析过程,利用光学设计软件CODE V最终得到了一个变倍倍率为8.15×,焦距范围为27 mm~220 mm的变焦距物镜,光学系统F#数为固定值4.2,视场为4.12°~33.56°。给出了凸轮曲线的计算方法及CODE V成像质量分析结果和MTF等。     

大尺寸NaI（T1）晶体的热锻及封装

本文在讨论了NaI(T1)晶体热锻及封装机理和工艺的基础上,对大尺寸NaI(T1)晶体的热锻及封装的工艺作了详细地研究,并成功地制备了各项性能指标的大尺寸NaI(T1)晶体闪烁探测器。     

FDI影响我国经济增长的实证研究

通过对我国FDI主要特点和发展趋势进行分析,以内生经济增长理论为基础,从生产函数的基本模型出发,构建我国全要素生产率的测度模型,运用协整检验和格兰杰因果检验的分析方法,探究FDI与全要素生产率的关系,揭示FDI对我国经济增长的影响机理,最后利用我国1985-2007年经济发展数据进行实证研究。研究结果表明:FDI的大量进入,对我国经济增长具有一定的促进作用,但这种作用具有时滞性,是一种长期的趋势。     

8—14μm红外波段的窗口材料

本文简要说明了在恶劣环境下对８－１４μｍ窗口材料的性能要求，着重讨论了ＺｎＳ、硫镧钙、立方Ｌａ２Ｓ３、ＧａＰ和金刚石薄膜这几种窗口材料的制备和性能，并对它们的应用情况和发展前景作了评述。     

以S、Se为原料的CVD ZnS、CVD ZnSe的化学反应分析

本文详细分析了用单质硫或单质硒为原料,在Zn-S-H2-Ar体系或Zn-Se-H2-Ar体系中化学气相沉积生长 ZnS和ZnSe晶体所发生的化学反应,认为在这两种化学气相沉积过程中所发生的化学反应是以锌蒸汽与硫或硒蒸汽反应来实现的.计算出了上述反应的△H、△S和△G这些热力学函数,并将该△G与采用H2S气体(Zn-H2S-Ar体系)和H2Se气体(Zn-H2Se-Ar体系)为原料的CVD ZnS和ZnSe做了对比.实验结果表明,以单质Se为原料生长的CVD ZnSe比以H2Se为原料的CVD ZnSe的努普硬度有显著的提高.     

工艺参数对CVD ZnS沉积速率的影响

本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律.实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基板温度升高,沉积速率加快;工作气压增大,沉积速率变化不大.在本实验研究的条件下认为,采用合适的H2S(s)/Zn摩尔流量比和沉积温度,在较低的工作气压下生长晶体,能保证较稳定的沉积速率,生长出高质量的晶体.     

复合材料层合板的可靠性和优化问题的研究进展

纤维增强复合材料是由高强度、低密度的纤维材料与基体组成, 具有很多其它材料所不具有的特性, 其应用范围越来越大. 复合材料的机械性能与加工制造等过程密切相关, 其材料性能的离散度较大, 因此考虑不确定性因素的结构可靠性分析非常必要. 可设计性是复合材料的另一个特点, 因此复合材料结构的优化设计也是研究的热点之一. 本文讨论了复合材料层合板结构的可靠性分析方法, 优化设计, 可靠性优化设计以及鲁棒优化等, 并对其发展趋势作出展望.      

CVT法生长GaP多晶

阐述了CVT(化学气相输运)法生长GaP的基本反应和输运速度,采用CVT法生长出了GaP多晶.设计了石英管的结构以制造出一个局部的低温区域,防止了GaP在管壁的生长.生长出的GaP多晶相对密度为98;,红外透过率达到30;,努普硬度为611kg/mm2.散射颗粒测试表明主要的光散射颗粒为多晶中存在的孔隙.     

电感耦合等离子炬-原子发射光谱法测定铅及铅合金中的铜、银、砷

采用硝酸、酒石酸溶解样品,用电感耦合等离子炬-原子发射光谱法直接测定铅及铅合金中的铜、银、砷。该法测定速度快,测量结果的相对标准偏差为0．34％-0.49％,铜、银、砷的回收率分别为99．2％～116．7％、93．3％～101．1％、98．3％～116．O％。