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531.
532.
通过改变制备条件,研究了Ag-SiO2薄膜中的缺陷对电阻翻转效应的影响.对比不同的热处理实验条件, 发现在120 ℃退火的样品经forming过程后具有稳定的电阻转变特性;另一方面, 在Ar/O2混合气氛下生长的SiO2具有比在纯Ar下生长的样品更加稳定、重复的电阻转变特性. 通过实验分析,表明热处理、电场作用和样品制备气氛可以改变、调节样品中的缺陷分布 (Ag填隙原子和氧空位缺陷),从而导致Ag-SiO2中基于缺陷的导电通道结构的形成和湮灭, 提出了提高电阻翻转稳定性的必要条件. 相似文献
533.
534.
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We report that fully transparent resistive random access memory(TRRAM) devices based on ITO/TiO2/ITO sandwich structure,which are prepared by the method of RF magnetron sputtering,exhibit excellent switching stability.In the visible region(400-800 nm in wavelength) the TRRAM device has a transmittance of more than 80%.The fabricated TRRAM device shows a bipolar resistance switching behaviour at low voltage,while the retention test and rewrite cycles of more than 300,000 indicate the enhancement of switching capability.The mechanism of resistance switching is further explained by the forming and rupture processes of the filament in the TiO 2 layer with the help of more oxygen vacancies which are provided by the transparent ITO electrodes. 相似文献
536.
537.
A numerical method for one-dimensional nonlinear sine-Gordon equation using multiquadric quasi-interpolation 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
In this paper, we use a univariate multiquadric quasi-interpolation
scheme to solve the one-dimensional nonlinear sine-Gordon equation that
is related to many physical phenomena. We obtain a numerical scheme
by using the derivative of the quasi-interpolation to approximate
the spatial derivative and a difference scheme to approximate the
temporal derivative. The advantage of the obtained scheme is that
the algorithm is very simple so that it is very easy to implement.
The results of numerical experiments are presented and compared with
analytical solutions to confirm the good accuracy of the presented
scheme. 相似文献
538.
利用脉冲磁控溅射法,以铝青铜合金(C63200)和硅片为基底,制作不同Ti含量的MoS2-Ti复合涂层。通过XRD、SEM、EDS、光学显微镜、多环境摩擦试验机等表征了涂层的结构成分和摩擦性能。结果表明:随Ti含量的增加,涂层致密度提升,S、Mo原子比上升。Ti的掺入使涂层由高度结晶态向非晶态转变。Ti含量增加,涂层摩擦磨损性能先上升再下降,常温真空下含3%Ti的涂层拥有稳定和低至0.015的摩擦系数,23%Ti的涂层失去润滑性。温度升高到400℃,涂层摩擦系数由0.015~0.04上升至0.07~0.1,含13%Ti的涂层高温真空下在800s后润滑失效。磨痕形貌显示,含3%Ti的涂层磨痕最窄,温度升高宽度增加不大,含13%Ti的涂层磨损严重,400℃真空环境下很快磨穿,纯MoS2和13%Ti涂层摩擦时发现大量磨粒和破碎磨屑。 相似文献
539.
基于衍射理论 ,采用更接近光盘实际情况的椭圆型信息符模型并利用光盘的线性叠加原理得到光盘衍射模型的解析表达式 ,对三种主流盘片的盘片倾斜对循迹系统产生的影响进行定量的计算与分析。采用差动相位方式循轨的DVD ROM盘片随径向倾斜的偏移系数为 0 .0 6 μm/(°)。采用推挽方式循轨的DVD RAM盘片循轨误差随径向倾斜的偏移系数为 0 .15 μm/(°)。在相同的盘片参量情况下 ,差动相位检测方法获得循迹误差比推挽方法受盘片径向倾斜的影响更小 ,在读取过程中差动相位检测方法可以获得更好的伺服精度。分析了DVD RAM盘片预刻槽深度与循规误差信号受径向倾斜影响偏移量的关系。实验结果较好的验证了计算和结论。 相似文献
540.